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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1　概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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CMOS圖像傳感器再見增長

  • 10年以前拍照手機盛行，加上便攜筆記本電腦和個人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機，促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長，2006年登頂，達45億美元。但隨后產(chǎn)品市場走向成熟，制造商激增，圖像傳感器特別是用于拍照手機的產(chǎn)品供過于求而陷入困境，增速不穩(wěn)，起伏不定，直至2011年才重新走上增長的道路。
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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

  • 互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

  • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識解析方案

  • 1、引言小型會議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對可靠性、經(jīng)
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基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護電路設(shè)計

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計，并在一款多功能故
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數(shù)碼攝像機Digital Video工作原理及分類

  • 標簽：DV 數(shù)碼攝像機就是DV，DV是DigitalVideo的縮寫，譯成中文就是“數(shù)字視頻”的意思，它是由索尼(SONY)、松下(PANASONIC)、JVC(勝利)、夏普(SHARP)、東芝(TOSHIBA)和佳能(CANON)等多家著名家電巨擘聯(lián)合
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一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運算放大器設(shè)計

  • 摘要：設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機是ld
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CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  • 　　AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 　　在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設(shè)計人員提出了幾種在線路設(shè)計中如何抗靜電，以保護CMOS
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cmos digital image sensor介紹

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