cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)
基于CMOS探測器的射線檢測設(shè)計應(yīng)用
- 概述:以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù),檢測精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列,需要在檢測時進(jìn)行相對掃描運動,逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測工裝設(shè)計,完成了探測器的固定、位置調(diào)節(jié)及實現(xiàn)與檢測工件的相對運動。介紹了檢測應(yīng)用中的探測器配置與校準(zhǔn)、透照方式選取、運動速度控制、檢測參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應(yīng)用結(jié)果表明,經(jīng)過工藝優(yōu)化,CMOS探測器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測。最后分析了應(yīng)用中存在的問題及后續(xù)研究方向。
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CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用
- CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用,1 引言 隨著醫(yī)療診斷儀器小型化、便攜化的進(jìn)程,高性能32位微處理器正在越來越多地應(yīng)用于各類小型醫(yī)療影像設(shè)備中,但是如何利用這些微處理器傳送和處理實時圖像,卻是一個丞待解決的問題。從ARM 7系列開始,ARM處理器
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CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖
- CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的,亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動顯示器,是一種功能齊全,使用 ...
- 關(guān)鍵字: CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn),以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧,效果會比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng),而非將它們平行排列在電路板上,以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是,目前用以填充硅晶孔洞的銅,卻會導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問題,因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅,包括熱
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Crocus與中芯國際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議
- Crocus科技,領(lǐng)先的強化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商,和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”),中國內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今天宣布,正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,兩家公司將共同開發(fā)針對汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的晶圓,這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
- 關(guān)鍵字: 中芯國際 半導(dǎo)體 CMOS
場效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧
- 焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字: CMOS 場效應(yīng)管 集成電路 焊接
cmos digital image sensor介紹
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