cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

針對(duì)工業(yè)及醫(yī)療等應(yīng)用的安森美半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器方案

近年來(lái)，隨著CMOS工藝技術(shù)的不斷改進(jìn)，CMOS傳感器的應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣泛，包括數(shù)碼相機(jī)、電腦攝像頭、視頻電話、手機(jī)、視頻會(huì)議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達(dá)、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等應(yīng)有盡有。實(shí)際上，CMOS
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器方案半導(dǎo)體安森美工業(yè) 醫(yī)療應(yīng)用

東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略致力BSI型CMOS傳感器

　　東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計(jì)劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實(shí)力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來(lái)的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤(pán)業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲(chǔ)產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，應(yīng)用在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實(shí)力。由此來(lái)培育出繼存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級(jí)常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲(chǔ)器公司社長(zhǎng)小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。　　
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 傳感器

采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)

摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號(hào)為2．
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 平衡 CMOS ADS 采用

基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

1　引言　　鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場(chǎng)很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如
關(guān)鍵字：保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 電池聚合物 CMOS 工藝基于

卓然發(fā)布單晶片COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器

為數(shù)億部數(shù)碼相機(jī)提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達(dá)克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器平臺(tái)可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機(jī)。
關(guān)鍵字：卓然 CMOS COACH 14

Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

　　手機(jī)高級(jí)功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機(jī)用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性，AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能，包括交換機(jī)和復(fù)合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。　
關(guān)鍵字： Amalfi CMOS

CCD和CMOS主要技術(shù)分析

CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
關(guān)鍵字：分析技術(shù) 主要 CMOS CCD

提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
關(guān)鍵字： CMOS 共源共柵功率放大器方案

基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)

摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
關(guān)鍵字： CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

0 引言
模擬電路廣泛
關(guān)鍵字：仿真分析電壓基準(zhǔn) CMOS

艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
關(guān)鍵字：艾克賽利 CMOS

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)

摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
關(guān)鍵字： 4GHz CMOS 35 集成

鎖存繼電器的CMOS電路研究

圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈?！　∷矂?dòng)開(kāi)關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
關(guān)鍵字：研究電路 CMOS 繼電器

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。
關(guān)鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器設(shè)計(jì) 線性 LDO 成型 CMOS 全集

共1007條 42/68 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

cmos digital image sensor介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cmos digital image sensor!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。創(chuàng)建詞條