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FLIR CMOS 機器視覺攝像頭使數(shù)字熒光顯微鏡變得經(jīng)濟實惠
- Zaber Technologies 設計和制造經(jīng)濟實惠、集成且易于使用的精確定位和運動控制設備,適用于光子學和光學、生命科學、顯微鏡和工業(yè)自動化領域的應用。其 MVR 電動倒置顯微鏡是一種可連續(xù)使用,且經(jīng)濟實惠的顯微鏡,降低了自動顯微成像的進入壁壘,為研究人員節(jié)省了時間和金錢。降低壁壘Zaber 之所以能開發(fā)出經(jīng)濟實惠但性能強大的顯微鏡,方法之一是顯著簡化光程。通過取消兩個目鏡筒,僅靠 FLIR Blackfly USB3 攝像頭進行圖像的觀察和捕獲,視覺系統(tǒng)設計人員得以取消顯微鏡中
- 關鍵字: FLIR CMOS 機器視覺攝像頭 數(shù)字熒光顯微鏡
手機CMOS出貨 恐年年減
- 受到手機需求下滑、中國品牌取消主相機景深鏡頭影響,市調機構Counterpoint表示,上半年手機CMOS影像傳感器出貨量比去年同期大減14%、只剩24億顆左右,雖然下半年手機CMOS出貨量有機會比上半年反彈5%~9%,然而在通膨、經(jīng)濟不景氣等影響下,預估全年出貨量仍會比去年下滑約1成,而在取消景深鏡頭已成業(yè)界共識下,明年CMOS影像傳感器出貨量恐較今年再減少。根據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)顯示,全球智能型手機上半年出貨量為6.21億支,比去年同期下滑8.4%,然而手機CMOS影像傳感器上半年出貨量卻年
- 關鍵字: CMOS Counterpoint 影像傳感器
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點,包括FD-SOI。ST和GF預計,該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片,到2026年將達到滿負荷生產(chǎn),每年生產(chǎn)多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠,長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看,F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法,可以實現(xiàn)FinF
- 關鍵字: FD-SOI GAAFET FinFET
Intel 4制程技術細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會,公布Intel 4制程的技術細節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達成兩項關鍵目標:它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節(jié)。對于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸(Critic
- 關鍵字: Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
如何有效地比較CMOS開關和固態(tài)繼電器的性能
- 源極和漏極之間的關斷電容CDS(OFF)可用來衡量關斷開關后,源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器)中常見的規(guī)格參數(shù),在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關通常不包含此規(guī)格參數(shù),但關斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法,關斷隔離度定義為,開關關斷狀態(tài)下,耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關斷隔離度推導出COUT,以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關的性能。這一點很重要,因為CMOS開關適合
- 關鍵字: ADI CMOS
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進節(jié)點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案,運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法,以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
- 關鍵字: 泛林 5nm FinFET
AR0331: CMOS 圖像傳感器,3 MP,1/3"
- 該 3.1 百萬像素傳感器采用安森美半導體的 A-Pix? 技術,通過全新的 2.2 微米像素傳感器的卓越性能滿足了不斷發(fā)展的、以全高清視頻為中心的監(jiān)控市場的需求。AR0331 具有卓越的圖像質量,其目標為 1/3 英寸光學格式監(jiān)控攝像頭主流市場。該傳感器讓監(jiān)控攝像頭制造商能夠將性能升級到當前的 3 百萬像素傳感器設計,它帶有業(yè)內最佳的功能集,將全高清視頻和寬動態(tài)范圍 (WDR) 功能以及內置的自適應局部色調映射相結合。這種新型傳感器可在 60 fps 的速度下提供高達 1080p 的高清
- 關鍵字: AR0331 CMOS 圖像傳感器
為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術趨勢,可以從新的半導體技術來著眼?;旧习雽w技術可以分為三大類,第一類是獨立電子、計算機和通訊技術,基礎技術是CMOS FinFET。在今天,最先進的是5奈米生產(chǎn)制程,其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術,逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道,目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作,正在開發(fā)下一代3/2奈米,在那里我們會看到一種新的突破,因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關鍵字: CMOS FinFET ST
cmos finfet介紹
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