cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
三星侵犯大學(xué)專利,賠償金或高達(dá)4億美元
- 近日,德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決:三星電子因侵犯韓國(guó)技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù),需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元?! ?jù)了解,韓國(guó)技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟,指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示,它與韓國(guó)技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù),并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對(duì)這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對(duì)此不屑一顧時(shí),其對(duì)手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán),圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變,三星才開始重視這個(gè)事件的嚴(yán)重性。 據(jù)悉
- 關(guān)鍵字: 三星 FinFET
如何正確處理CMOS和TTL集成門電路多余輸入端?
- CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作? 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法: 1、
- 關(guān)鍵字: CMOS TTL
胡正明:技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍
- “半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新,可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍,仍有巨大空間?!苯眨绹?guó)加州大學(xué)伯克利分校教授、國(guó)際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示?! ∽?965年摩爾定律提出以來,歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,如今越來越遭遇挑戰(zhàn),特別是新世紀(jì)以來,每隔十年,摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)?! 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI),兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機(jī)。 2011年5月
- 關(guān)鍵字: FinFET 7納米
新應(yīng)用蓬勃發(fā)展,全球CMOS圖像傳感器銷售額年年創(chuàng)新高
- 由于車載應(yīng)用、機(jī)器視覺、人臉識(shí)別與安防監(jiān)控的快速發(fā)展,以及越來越強(qiáng)大的手機(jī)拍照功能(譯者注:例如雙攝像頭或三攝像頭),全球CMOS圖像傳感器銷售額屢創(chuàng)新高,市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì),2017年銷售額為125億美元,同比增長(zhǎng)19%,預(yù)計(jì)2018年CMOS圖像傳感器銷售額有望達(dá)到137億美元,同比增長(zhǎng)10%,將連續(xù)八年創(chuàng)歷史記錄。再向后看,該機(jī)構(gòu)認(rèn)為,一直到2022年,CMOS圖像傳感器都將保持出貨量與銷售額年年創(chuàng)新高的趨勢(shì)。 IC Insights在其最新報(bào)告中指出,CMOS圖像傳感
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器
全球最先進(jìn)的毫米波3D成像CMOS系統(tǒng)級(jí)芯片問世
- 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,3D成像技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Vayyar Imaging(以下簡(jiǎn)稱Vayyar)近日宣布推出全球最先進(jìn)的毫米波(mmWave)3D成像系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC),它集成了數(shù)量空前的收發(fā)器以及一款先進(jìn)的DSP(數(shù)字信號(hào)處理器),帶來高精度高分辨率的3D輪廓成像。 Vayyar在單顆芯片上集成了72個(gè)發(fā)射器和72個(gè)接收器,覆蓋了3GHz-81GHz雷達(dá)和成像頻段。憑借集成的大內(nèi)存高性能DSP,Vayyar的傳感器無需任何外部CPU執(zhí)行復(fù)雜的成像算法。 突破了目前傳感器
- 關(guān)鍵字: CMOS 芯片
為什么我的處理器漏電?
- 問:為什么我的處理器功耗大于數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的值? 答:在我的上一篇文章中,我談到了一個(gè)功耗過小的器件——是的,的確有這種情況——帶來麻煩的事情。但這種情況很罕見。我處理的更常見情況是客戶抱怨器件功耗大于數(shù)據(jù)手冊(cè)所宣稱的值?! ?nbsp; 記得有一次,客戶拿著處理器板走進(jìn)我的辦公室,說它的功耗太大,耗盡了電池電量。由于我們?cè)湴恋匦Q該處理器屬于超低功耗器件,因此舉證責(zé)任在我們這邊。我準(zhǔn)備按照慣例,一個(gè)一個(gè)地切斷電路板上不同器件的電源,直至找到真正肇事者,這時(shí)我想起不久之前的一個(gè)類似
- 關(guān)鍵字: 處理器 CMOS
這家中國(guó)首個(gè)高起點(diǎn)的CMOS圖像傳感器IDM公司,是什么來歷?
- 從蘋果第一代iPhone誕生代表的智能手機(jī)時(shí)代開始,CMOS圖像傳感器一直處于龐大且快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求和不斷提升的用戶體驗(yàn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)升級(jí)的變革中。拍照和攝影作為其主要應(yīng)用,不斷涌現(xiàn)的新應(yīng)用、新型設(shè)備和創(chuàng)新技術(shù),正進(jìn)一步重塑CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)?! ∈袌?chǎng)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2016年CMOS圖像傳感器市場(chǎng)達(dá)到116億美元,其中亞洲市場(chǎng)的份額在逐步擴(kuò)大中。CMOS圖像傳感器是一種采用數(shù)字處理的模擬器件,業(yè)界一直遵循“one application, one pixel, one process”原則。因此在
- 關(guān)鍵字: CMOS IDM
Mentor贊助高級(jí)CMOS技術(shù)冬季大師班
- Mentor,A Siemens Business今天宣布贊助高級(jí)CMOS 技術(shù)冬季大師班。高級(jí) CMOS 技術(shù)冬季大師班由 IEEE 電路與系統(tǒng)學(xué)會(huì)(CASS)和 IEEE 固態(tài)電路學(xué)會(huì)(SSCS)共同舉辦。1月21日至26日,每天邀請(qǐng)一位來自集成電路領(lǐng)域?qū)W術(shù)界或工業(yè)界的頂級(jí)專家進(jìn)行主題演講。每天長(zhǎng)達(dá)6小時(shí),針對(duì)人工智能信息處理、生物醫(yī)療電子、神經(jīng)回路研究前沿、腦機(jī)接口、智能傳感等應(yīng)用領(lǐng)域,帶領(lǐng)學(xué)員全方位深入理解先進(jìn)集成電路工藝與設(shè)計(jì)技巧。 “很高興Mentor能夠贊助大師班。&r
- 關(guān)鍵字: Mentor CMOS
詳解TTL電平接口/CMOS電平接口/線圈耦合接口等7個(gè)常用的接口類型
- 我們知道,在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會(huì)存在一些問題導(dǎo)致信號(hào)無法正常、高質(zhì)量地“流通”,例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差(如CPU與外設(shè))或者各自的信號(hào)類型不一致(如傳感器檢測(cè)光信號(hào))等,這時(shí)我們應(yīng)該考慮通過相應(yīng)的接口方式來很好地處理這個(gè)問題?! ∠旅婢碗娐吩O(shè)計(jì)中7個(gè)常用的接口類型的關(guān)鍵點(diǎn)進(jìn)行說明一下: 1TTL電平接口 這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧,從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始,對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì),TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi),這
- 關(guān)鍵字: TTL CMOS
[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展
- 日前,由教育部科學(xué)技術(shù)委員會(huì)組織評(píng)選的2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過高校申報(bào)和公示、形式審查、學(xué)部初評(píng)、項(xiàng)目終審等評(píng)審流程后在京揭曉。 由北京大學(xué)申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。 ? 芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力,現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。 理論研究表明,碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗,且較易實(shí)現(xiàn)三維集成,系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢(shì)將高達(dá)上千
- 關(guān)鍵字: CMOS 碳納米管
cmos finfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473