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[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展

　　日前，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會(huì)組織評(píng)選的2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過(guò)高校申報(bào)和公示、形式審查、學(xué)部初評(píng)、項(xiàng)目終審等評(píng)審流程后在京揭曉。　　由北京大學(xué)申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。　　 ? 　　芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。　　理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實(shí)現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢(shì)將高達(dá)上千
關(guān)鍵字： CMOS 碳納米管

　　區(qū)塊鏈壯大 – 區(qū)塊鏈?zhǔn)且环N為比特幣等加密數(shù)字貨幣提供支持的技術(shù)，它正蓄勢(shì)待發(fā)，在各種應(yīng)用中被廣泛采用，并因其固有安全性而使這些應(yīng)用大為受益?；趨^(qū)塊鏈的智能安全合約將在各個(gè)行業(yè)(從金融、房地產(chǎn)到教育和醫(yī)療)出現(xiàn)。即便是成熟的行業(yè)都可能開(kāi)始采用這種技術(shù)經(jīng)過(guò)許可或?qū)Ｓ械淖凅w，用來(lái)驗(yàn)證是否遵從國(guó)際流程標(biāo)準(zhǔn)。　　軟件真正無(wú)處不在 – 虛擬化技術(shù)推動(dòng)了大規(guī)模聯(lián)網(wǎng)計(jì)算的變革，使得云基礎(chǔ)架構(gòu)快速興起，這些云基礎(chǔ)架構(gòu)從根本上改變了實(shí)現(xiàn)價(jià)值的方式。隨著這種趨勢(shì)在聯(lián)網(wǎng)計(jì)算環(huán)境中快
關(guān)鍵字：是德科技 CMOS

基于塑料或紙基板的元件不像矽基元件那樣快速或精確，但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品，以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程

　　上海知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院正式受理了OmniVision?Technologies，?Inc.(以下簡(jiǎn)稱“豪威科技”或“OminiVison”)訴江蘇思特威電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“思特威”或“SmartSens”)侵害發(fā)明專利的相關(guān)訴訟。作為原告，豪威科技要求法院判令思特威公司立即停止有關(guān)SC5035型號(hào)芯片的專利侵權(quán)行為并進(jìn)行賠償。至此，CMOS制造業(yè)巨頭豪威科技正式展開(kāi)了其在華針對(duì)專利侵權(quán)問(wèn)題的首次維權(quán)?！　martSens思特威于2011年成立，主營(yíng)CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)
關(guān)鍵字： Omnivision CMOS

揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí)，對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
關(guān)鍵字： CMOS CR2032 德州儀器

所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái)，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲（THD+N）特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是，輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
關(guān)鍵字： CMOS 電源放大器 THD