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ROHM開發(fā)CMOS運算放大器和比較器

  • ROHM株式會社針對力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機、游戲機等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
  • 關(guān)鍵字： CMOS  ROHM  比較器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  運算放大器  模擬IC  電源  

先進的3G多頻段收發(fā)器實現(xiàn)了前端的高度集成

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 3G  GSM  TD-SCDMA  收發(fā)器  2G  RF  WCDMA  UMTS  CMOS  HSDPA  LO  IF  LNA  3GPP  

移動終端中三類射頻電路的演進方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

CMOS集成電路使用注意事項

  • CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
  • 關(guān)鍵字： CMOS  集成電路  

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

  • 　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。 　　AMIS宣布首個2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動化設(shè)備、打印機和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時的功耗和噪音。 　　新的傳感器以AMI&nb
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32段CMOS LCD驅(qū)動器AY0438及其與單片機的接口設(shè)計

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計

  • 本設(shè)計中的并行式多頻段LNA為單個LNA，但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  多頻  低噪聲  放大器設(shè)計    

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計原則

  • 本文將對超低功耗電路設(shè)計原則進行分析，并就怎樣設(shè)計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
  • 關(guān)鍵字：   CMOS    TTL    單片機  

MCU 中輸入/輸出口的使用

  • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
  • 關(guān)鍵字： 掩膜  CMOS  電阻  

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計

  • 引言 隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時，會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
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集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

  • 集成多路模擬開關(guān)（以下簡稱多路開關(guān)）是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴謹和可靠性重要影響。  關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關(guān)的種類，注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
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ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

集成CMOS對稱式收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計

  • 本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關(guān)性能的因素，包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進行設(shè)計和實現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  開關(guān)  對稱  CMOS  集成  

思比科開發(fā)CMOS手機攝像芯片實現(xiàn)本土化

  • 　北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車電子、手機、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項技術(shù)擁有6項發(fā)明專利的200萬像素CMOS攝像芯片，已通過了技術(shù)測試。 　　思比科200萬像素攝像芯片，基于上海中芯國際0.18微米工藝，從設(shè)計開發(fā)到芯片制造的全部工作均在國內(nèi)完成，完全實現(xiàn)了國產(chǎn)化。 　　思比科表示：“目前，公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬像素、130萬像素、200萬像素等多種CMOS圖像傳感器，300萬和500萬像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請國內(nèi)專利8項，準備申請9項國內(nèi)專利，出
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源技術(shù)  手機攝像芯片  思比科  
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