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無線傳感器網(wǎng)絡(luò)承載信息感知重任

  • 　　WSN是wireless sensor network的簡稱，即無線傳感器網(wǎng)絡(luò)。 　　無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(Wireless Sensor Network,WSN)就是由部署在監(jiān)測區(qū)域內(nèi)大量的廉價(jià)微型傳感器節(jié)點(diǎn)組成，通過無線通信方式形成的一個(gè)多跳的自組織的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，其目的是協(xié)作地感知、采集和處理網(wǎng)絡(luò)覆蓋區(qū)域中被感知對象的信息，并發(fā)送給觀察者。傳感器、感知對象和觀察者構(gòu)成了無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的三個(gè)要素。
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CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

  • 目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
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意法半導(dǎo)體是2010年最大MEMS廠商 德州儀器居次

  • 　　據(jù)IHS iSuppli研究，意法半導(dǎo)體(STM)在2010年仍然是最大的MEMS傳感器生產(chǎn)商，營業(yè)收入幾乎是排名第二的德州儀器的五倍。
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ADI推出慣性測量單元

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商ADI，近日正式全面推出慣性測量單元，在單個(gè)封裝中集成一個(gè)三軸陀螺儀、一個(gè)三軸加速度計(jì)、一個(gè)三軸磁力計(jì)和一個(gè)壓力傳感器。ADIS16407 中的每個(gè)傳感器都結(jié)合了 ADI 公司業(yè)界領(lǐng)先的 i MEMS? 技術(shù)與信號調(diào)理技術(shù)，以優(yōu)化 IMU 的10自由度動(dòng)態(tài)性能。每個(gè) IMU 的靈敏度、偏置、對準(zhǔn)和溫度均在出廠時(shí)校準(zhǔn)。因此，各傳感器均有其自己的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償公式，以最大程度地提高傳感器測量的精度。
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“寬動(dòng)態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)標(biāo)配

  • 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個(gè)非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場合，發(fā)揮了重要的作用。寬動(dòng)...
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飛思卡爾壓力傳感器為基于位置的服務(wù)簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 飛思卡爾半導(dǎo)體推出用于測量海拔的高精度壓力傳感器，旨在幫助用戶進(jìn)一步利用高級導(dǎo)航功能和新的基于位置的服...
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MEMS技術(shù)

  • MEMS技術(shù)基礎(chǔ)MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域，如電子技術(shù)、機(jī)械技術(shù)、物理
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MEMS加速度傳感器的自動(dòng)校準(zhǔn)平臺

  • 摘要：介紹了一種基于MEMS加速度傳感器的自動(dòng)校準(zhǔn)平臺的設(shè)計(jì)方案。從數(shù)學(xué)模型入手，推導(dǎo)了傾角測量算法并設(shè)計(jì)了調(diào)平控制方案。在電機(jī)控制環(huán)節(jié)加入改進(jìn)后的PID算法，解決了輸出突變導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降的問題?？炻龣n的設(shè)
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MEMS壓力傳感器應(yīng)用

  • MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路（IC）設(shè)計(jì)技術(shù)和制造工藝，進(jìn)行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費(fèi)電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。M
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CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
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基于ARM-Linux的微慣性單元數(shù)據(jù)采集與處理

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對那些不了解
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高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  

傳感器接口標(biāo)準(zhǔn)最新進(jìn)展

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