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Bosch Sensortec:提供全方位產(chǎn)品解決方案

  •   做為全球排名第一的MEMS傳感器供應(yīng)商,Bosch Sensortec早在1995年就已經(jīng)開始量產(chǎn)MEMS,MEMS產(chǎn)量達(dá)60億,擁有超過1000項專利。   Bosch Sensortec亞太區(qū)總裁Leopold Beer   目前,Bosch擁有慣性傳感器、環(huán)境傳感器、智能傳感器、聲學(xué)傳感器四類產(chǎn)品,同時為客戶提供傳感器融合軟件以實現(xiàn)產(chǎn)品的最佳應(yīng)用性能,提供標(biāo)準(zhǔn)操作系統(tǒng)/平臺的完整解決方案。Bosch Sensortec亞太區(qū)總裁Leopold Beer指出,未來傳感器將延伸至IoT解決方
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摸索中前行——中國MEMS眾生相

  • 物聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展背景下,可以預(yù)見傳感器率先受益,而MEMS傳感器優(yōu)勢明顯,將成未來趨勢,空間巨大,但是國內(nèi)的MEMS主要靠進(jìn)口,這個產(chǎn)業(yè)何時能崛起。
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一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)

  •   現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項。   TTL:Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。   Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。   因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計要求

  •   簡介:大部分的ESD電流來自電路外部,因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計在PAD旁,I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部,因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路,將ESD電流引入電壓線,再由電壓線分布到芯片各個管腳,降低ESD的影響。   引言   靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧 厚度越來越薄,芯片的面
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的

  •   簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去!   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

  •   簡介:CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法,供大家參考。   CMOS門電路   CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點,輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
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TTL與CMOS電路的區(qū)別

  •   簡介:本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。   TTL:雙極型器件,一般電源電壓 5V,速度快(數(shù)ns),功耗大(mA級),負(fù)載力大,不用端多數(shù)不用處理。   CMOS:單級器件,一般電源電壓 15V,速度慢(幾百ns),功耗低,省電(uA級),負(fù)載力小,不用端必須處理。   CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。   CMOS:它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2,因為 CMOS 的輸入時互補(bǔ)的,保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。   TTL:
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物聯(lián)網(wǎng)時代,MEMS傳感器發(fā)展面臨更多挑戰(zhàn)

  • 上海微技術(shù)工業(yè)研究院(SITRI)協(xié)辦的第二屆MIG亞洲會議上,全球傳感器巨頭暢談了未來的MEMS傳感器發(fā)展戰(zhàn)略;會后本刊還采訪了其他MEMS廠商,請他們談了關(guān)注的方向。
  • 關(guān)鍵字: MEMS  數(shù)據(jù)分析  物聯(lián)網(wǎng)  DLP  語音控制  201510  

MEMS傳感器,左右可穿戴設(shè)備的設(shè)計走向的中樞

  •   剛剛在上海閉幕的MIG大會,這次MEMS行業(yè)標(biāo)桿型的會議首次在中國召開。這次大會無疑為中國MEMS市場的蓬勃前景又注射了一針強(qiáng)心劑。為期三天的會議針對MEMS全行業(yè)包括設(shè)計,生產(chǎn),加工,終端等不同企業(yè)進(jìn)行了全面的展示。在中國這樣一個電子消費品大國,MEMS傳感器的需求量不言而喻。其中,越來越多的份額被可穿戴設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)等非傳統(tǒng)消費電子類產(chǎn)品所占有。   ADI亞太區(qū)微機(jī)電產(chǎn)品市場和應(yīng)用經(jīng)理 趙延輝   MEMS傳感器在可穿戴設(shè)備上的應(yīng)用設(shè)計與傳統(tǒng)的手機(jī)等終端的應(yīng)用設(shè)計有著不同的側(cè)重點。對于這
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理

  •   一、CMOS門電路   CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點,輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法:   1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平,輸出信號就為低電平,只有全部為高電平時,輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)(3)

  •   簡介:繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下,和大家共享。   1、在數(shù)字電路中,BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū),放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程,這個過程越長,說明它的動態(tài)性能越差;同理,CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū),恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值,不能過于“含糊”,否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣!   2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來,這樣
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的

  •   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2,但是
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MEMS傳感器的未來在哪里? 聽業(yè)界大佬怎么說

  •   點按手環(huán)關(guān)閉鬧鐘,打開手機(jī)APP看看昨晚的睡眠狀態(tài),這是每天伴隨筆者的起床動作。整個過程中,智能手機(jī)、可穿戴產(chǎn)品都包含單個或多個傳感器,正如聯(lián)芯科技總裁錢國良在MIG亞洲大會上講道,“傳感器已無處不在!”   拿蘋果iPhone 6為例,在全部76個芯片中,光MEMS產(chǎn)品有15-16個,占比約19%,隨著更多傳感器的應(yīng)用,這一比例仍在持續(xù)上升。在追逐萬物互聯(lián),智能生活的今天,傳感器的發(fā)展變化將成為物聯(lián)網(wǎng)時代“智能化”的關(guān)鍵因素。作為傳感器芯片領(lǐng)域的&l
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫

  •   過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片,近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅,除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖,大陸MEMS感測芯片設(shè)計業(yè)者亦如雨后春筍般冒出,并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機(jī)行列,臺積電亦不遑多讓,企圖打破國際IDM大廠獨霸局面,透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商,全力沖刺感測器事業(yè)。   目前全球MEMS感測器商機(jī)主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占,在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下,ME
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫

  •   過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片,近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅,除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖,大陸MEMS感測芯片設(shè)計業(yè)者亦如雨后春筍般冒出,并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機(jī)行列,臺積電亦不遑多讓,企圖打破國際IDM大廠獨霸局面,透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商,全力沖刺感測器事業(yè)。   目前全球MEMS感測器商機(jī)主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占,在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下,ME
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