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cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
IMT和北京大學(xué)微電子學(xué)研究院攜手加快MEMS技術(shù)在中國(guó)和美國(guó)的發(fā)展
- 美國(guó)最大的純MEMS技術(shù)和制造服務(wù)提供商IMT公司(Innovative Micro Technology)日前自豪地宣布:公司已與北京大學(xué)微電子學(xué)研究院簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。該協(xié)議著眼于為兩個(gè)組織在技術(shù)開(kāi)發(fā)和MEMS器件制造等領(lǐng)域內(nèi)構(gòu)建合作框架,并以此促進(jìn)北京大學(xué)微電子學(xué)研究院的在校本科生和研究生潛心于研究MEMS技術(shù)。 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件用于為當(dāng)今的電子產(chǎn)品創(chuàng)造對(duì)接“真實(shí)世界”的各種傳感器件。這些傳感器件通常可見(jiàn)于我們?nèi)粘I钪兴褂玫母鞣N電子產(chǎn)品之中,如智能
- 關(guān)鍵字: MEMS
創(chuàng)新:MEMS行業(yè)與生俱來(lái)的能力
- 回顧微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的初始發(fā)展,MEMS已經(jīng)走過(guò)了很長(zhǎng)的一段道路。20世紀(jì)80年代,人類(lèi)進(jìn)入了信息時(shí)代,在那個(gè)時(shí)代,信息和數(shù)據(jù)的處理成為PC個(gè)人計(jì)算機(jī)以及之后的膝上型計(jì)算機(jī)發(fā)展中的重點(diǎn)?! ∽?000年起,進(jìn)入了傳感和與廣泛傳播的MEMS和傳感器交互的時(shí)代,那個(gè)時(shí)代使我們能夠更好、更安全地感知和理解環(huán)境?! 〗裉?,MEMS已發(fā)展成為一個(gè)近150億套容量的市場(chǎng)(數(shù)據(jù)來(lái)源:MEMS行業(yè)發(fā)展?fàn)顟B(tài),Yole Development公司,2015年7月)。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2020年,這個(gè)市場(chǎng)將會(huì)增長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字: MEMS 壓力傳感器 樓氏 201511
ADI攜MEMS與無(wú)線(xiàn)通信“利器”助物聯(lián)網(wǎng)升級(jí)
- 萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代,物聯(lián)網(wǎng)的概念從理論到實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了人們生活的智能化突破。由物聯(lián)網(wǎng)帶起的新型信息化與傳統(tǒng)領(lǐng)域的深度融合,為市場(chǎng)帶來(lái)了不可小覷的變化。以用戶(hù)體驗(yàn)為核心的應(yīng)用創(chuàng)新是物聯(lián)網(wǎng)現(xiàn)階段發(fā)展的趨勢(shì)。在創(chuàng)新2.0的大背景下,物聯(lián)網(wǎng)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了機(jī)遇。而這其中,IOT傳感器與無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)是物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)新突破的核心與基石。 2015年10月,科技行業(yè)分析公司Linley Group預(yù)測(cè),到2020年,全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)將超過(guò)19億臺(tái)。其中,Linley Group創(chuàng)始人林利•格文納普(Linl
- 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) MEMS
最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。 重要信號(hào)線(xiàn)的上下拉問(wèn)題 一般說(shuō)來(lái),不光是重要的信號(hào)線(xiàn),只要信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無(wú)驅(qū)動(dòng)狀態(tài),就需要處理。 比如說(shuō),一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高,沒(méi)有處理,在懸空狀況下很容易撿拾到干擾,如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖,導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài),那輸出就可能是不確定的情況,也可能是上下MOS都導(dǎo)通,對(duì)器件壽命造成影響。 總線(xiàn)上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫(xiě)控制
- 關(guān)鍵字: CMOS TTL
Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購(gòu)可能
- Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后,將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter),故圖像更為銳利。像素自3,640萬(wàn)提高至4,240萬(wàn),同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。 日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo),該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色,感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102,400,結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種,實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日?qǐng)A(約3,800美
- 關(guān)鍵字: Sony CMOS
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時(shí),仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
- 關(guān)鍵字: DC-DC CMOS
艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺(tái)?;谠摳邏褐瞥唐脚_(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝,使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。 新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化,顯著降低了導(dǎo)通電阻,因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中,用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
- 關(guān)鍵字: 艾邁斯 CMOS
意法半導(dǎo)體:MEMS擁有太極一兩面性 麥克風(fēng)市場(chǎng)潛力大
- 日前,已經(jīng)在手機(jī)傳感器和消費(fèi)類(lèi)傳感器市場(chǎng)走在全球前列的意法半導(dǎo)體,對(duì)于下一步的發(fā)展有著怎樣的打算,這家公司又是如何看待物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備市場(chǎng)呢? 日前ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna在接受飛象網(wǎng)記者采訪(fǎng)時(shí)表示:“MEMS擁有太極一樣的兩面性,即傳感器和推進(jìn)器。但是不局限在傳感器和推進(jìn)器,ST還在其他器件研發(fā)方面擁有較好的發(fā)展,面對(duì)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),較之可穿戴設(shè)備,ST更看重智能家居和智能城市對(duì)MEMS市場(chǎng)的推動(dòng),同時(shí)堅(jiān)持麥克風(fēng)市場(chǎng)不動(dòng)搖
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MEMS
MEMS市場(chǎng)需求蓬勃 軟、硬件業(yè)者聯(lián)手打造生態(tài)系
- 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)正隨各種創(chuàng)新應(yīng)用而持續(xù)成長(zhǎng)當(dāng)中。MEMS裝置經(jīng)過(guò)高度專(zhuān)業(yè)化過(guò)程制造,根據(jù)不同裝置型態(tài)需求而客制化,不過(guò),由于MEMS制程選擇繁多,生產(chǎn)成本也因此提高,且市時(shí)程安排也更為費(fèi)時(shí)。 據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),以目前趨勢(shì)來(lái)看,市場(chǎng)逐漸將MEMS裝置導(dǎo)入CMOS IC量產(chǎn)制程,因此,MEMS產(chǎn)品元件也面臨縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、降低成本、符合繁復(fù)效能與穩(wěn)定性需求等挑戰(zhàn)。 MEMS裝置尺寸一般介于20微米(micrometer)至1毫米(millimeter)之間,MEMS子元件則在
- 關(guān)鍵字: MEMS
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi),TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng),CMOS以功耗低而著稱(chēng),其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題: 1、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí),最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字: CMOS 集成電路
本土MEMS制造需面向應(yīng)用,建立平臺(tái)
- 應(yīng)用材料公司全球服務(wù)產(chǎn)品事業(yè)部200毫米半導(dǎo)體及動(dòng)力輔助設(shè)備副總裁原錚博士:從全球來(lái)看,2014年到2015年的增長(zhǎng)勢(shì)頭非常好,但是亞洲地區(qū)的發(fā)展更明顯,尤其是中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。 應(yīng)用材料公司全球服務(wù)產(chǎn)品事業(yè)部設(shè)備產(chǎn)品部門(mén)200 毫米半導(dǎo)體及動(dòng)力輔助設(shè)備副總裁原錚博士 成本控制是MEMS制造的主旋律 200毫米還是300毫米?300毫米MEMS制程還是起步階段。一些客戶(hù)反映,究竟用300還是200毫米,實(shí)際不是技術(shù)問(wèn)題,而是現(xiàn)實(shí)成本考慮的問(wèn)題。 MEMS集成一般是不同
- 關(guān)鍵字: MEMS 物聯(lián)網(wǎng)
MEMS傳感器制造的難點(diǎn)
- *MEMS制造需要標(biāo)準(zhǔn)嗎? ST的Benedtto Vigna稱(chēng),目前幾家大公司有各自的生產(chǎn)工藝,沒(méi)有一個(gè)共同的生產(chǎn)工藝標(biāo)準(zhǔn)。飛思卡爾的Ian Chen解釋道:白貓黑貓,只要能抓住老鼠就是好貓。因此所謂的制造標(biāo)準(zhǔn)完全沒(méi)必要的,但某一個(gè)部件或者是這個(gè)部件的應(yīng)用是可以有標(biāo)準(zhǔn)的。 ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedtto Vigna 至于測(cè)試的方法,也不需要統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。因?yàn)闇y(cè)試跟成本是有關(guān)系的。MEMS的測(cè)試是廠(chǎng)商貨品成本中相當(dāng)重要的一部分,所以每家公
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器
樓氏:未來(lái)更多的產(chǎn)品將通過(guò)語(yǔ)音控制
- 可穿戴設(shè)備開(kāi)創(chuàng)了電子設(shè)備互聯(lián)互通的新時(shí)代,并能前所未有地獲得海量的用戶(hù)和環(huán)境數(shù)據(jù)。盡管尚未有可穿戴設(shè)備實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的普及,目前運(yùn)動(dòng)跟蹤器和智能手表等腕帶設(shè)備是市場(chǎng)主流。 創(chuàng)新是可穿戴設(shè)備成功的關(guān)鍵。對(duì)軟硬件融合工藝的改進(jìn)能創(chuàng)造出體積更小、速度更快的腕帶設(shè)備。而更小巧、性能更好的零部件則為新產(chǎn)品帶來(lái)了更廣闊的市場(chǎng)前景。 Knowles高性能音頻產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Bertrand Renaud 未來(lái)的可穿戴設(shè)備將會(huì)圍繞用戶(hù)需求和物聯(lián)網(wǎng)兩大中心發(fā)展。因此可穿戴設(shè)備是否能與其他電子產(chǎn)品有效互動(dòng)、是
- 關(guān)鍵字: 樓氏 MEMS
Benedetto Vigna對(duì)ST產(chǎn)品總結(jié)道,“We can do more with less!”
- 深耕MEMS 傳感器和執(zhí)行器領(lǐng)域10年,ST擁有完整的產(chǎn)品組合,其產(chǎn)品覆蓋運(yùn)動(dòng)傳感器、環(huán)境傳感器、麥克風(fēng)、觸控產(chǎn)品到執(zhí)行器、低功耗模擬器件和射頻芯片等領(lǐng)域。 ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedtto Vigna 在MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器方面,MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器不斷創(chuàng)新,其銷(xiāo)量更是超過(guò)50億,發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的6軸傳感器。MEMS 麥克風(fēng)銷(xiāo)量超過(guò)5億件,市場(chǎng)份額從2012年不足2%增長(zhǎng)到2014年的10%。此外,壓力傳感器、紫外傳感器均都取得不錯(cuò)的成績(jī)。
- 關(guān)鍵字: ST MEMS
cmos-mems介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos-mems的理解,并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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