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NIST開發(fā)出微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)延遲線內(nèi)存控制器
- 美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)日前展示一款采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的延遲線內(nèi)存控制器,可望作為未來量子電腦的暫 ...
- 關(guān)鍵字: NIST 微機(jī) MEMS 延遲線 內(nèi)存控制器
華虹宏力和矽??萍悸?lián)合發(fā)力MEMS傳感器市場
- 世界領(lǐng)先的8英寸晶圓代工廠之一,上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“華虹宏力”)和上海矽??萍加邢薰?以下簡稱“矽睿科技”)共同宣布,雙方已結(jié)為戰(zhàn)略合作伙伴,聯(lián)合開發(fā)和生產(chǎn)新一代MEMS傳感器。雙方合作生產(chǎn)的首款產(chǎn)品,擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的AMR磁傳感器QMC6983,已于今日成功上市,成為矽??萍己腿A虹宏力發(fā)力MEMS傳感器市場的開端。該款產(chǎn)品是矽睿科技基于Honeywell公司AMR磁感應(yīng)技術(shù)自主研發(fā)的第一款三軸單芯片磁傳感器產(chǎn)品。 該款產(chǎn)
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上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機(jī)銷售禁令 紅外LED廠受惠
- 隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近,本周自貿(mào)熱卷土重來:龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板,且漲勢有向縱深方向擴(kuò)散的跡象。此前,市場人士就已獲悉,允許國外企業(yè)在華銷售游戲機(jī)將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間,百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告,更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機(jī)概念的炒作熱潮一觸即發(fā),百視通昨日就強(qiáng)勢漲停。 分析人士表示,百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明,實(shí)行了十三年的游戲機(jī)禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下,預(yù)計與游戲機(jī)生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司,如水晶光電
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銅柱凸點(diǎn)將成為倒裝芯片封裝的主流
- 銅柱凸點(diǎn)和微焊點(diǎn)將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說,是因?yàn)槌艘苿赢a(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。 目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元,以年增長率為9%計算,到2018年將達(dá)到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中,銅柱凸點(diǎn)式封裝的年增長率將達(dá)到19%。到2014年,已形成凸點(diǎn)的晶圓中將有50%使用銅柱凸點(diǎn),從數(shù)量上來說,銅柱凸點(diǎn)式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。
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無錫建成國內(nèi)最先進(jìn)MEMS智能傳感器孵化器
- 近日從位于無錫新區(qū)的中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園獲悉,針對當(dāng)前國內(nèi)傳感器研發(fā)技術(shù)力量不足,由江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心、無錫微納產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司和華潤微電子等三方共建的國內(nèi)首個完備MEMS智能傳感器公共技術(shù)平臺目前已進(jìn)入實(shí)際運(yùn)行階段。依托該平臺技術(shù)輻射,多家國內(nèi)頂尖研發(fā)機(jī)構(gòu)和企業(yè)已入駐,成為當(dāng)?shù)匚锫?lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的重要引擎。 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))被認(rèn)為是繼微電子之后又一個對國民經(jīng)濟(jì)和軍事具有重大影響的技術(shù)領(lǐng)域,具有體積小、功耗低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),也是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中的最核心環(huán)節(jié)。今年2月,工信部發(fā)文明確將微型智能傳
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ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
- 高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT),整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件,NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選,但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
- 關(guān)鍵字: ASM CMOS
MEMS麥克風(fēng)技術(shù)規(guī)格和術(shù)語闡釋
- 簡介在ADI公司的眾多產(chǎn)品中,MEMS麥克風(fēng)IC的獨(dú)特之處在于其輸入為聲壓波。因此,這些器件的數(shù)據(jù)手冊中包括的某...
- 關(guān)鍵字: 靈敏度 MEMS 麥克風(fēng)技術(shù)
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