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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車的燃油效率

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  柵極驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  IGBT  

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

  • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的快速增長(zhǎng)之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國(guó)家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長(zhǎng)，今后兩年中國(guó)的市場(chǎng)需求整體也將繼續(xù)較快增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  節(jié)能  IGBT  MOSFET  數(shù)字電源  穩(wěn)壓器  200903  

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

  • 許多電子設(shè)計(jì)應(yīng)用要求的激勵(lì)源幅度超出了當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測(cè)器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號(hào)的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說(shuō)明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢(shì)。
  • 關(guān)鍵字： 泰克  MOSFET  IGBT  200903  

選擇自鉗位MOSFET提高電動(dòng)工具系統(tǒng)可靠性

  • 電動(dòng)工具由于其設(shè)計(jì)輕巧、動(dòng)力強(qiáng)勁、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在各種場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。電動(dòng)工具一般采用直流有刷電機(jī)配合電子無(wú)級(jí)調(diào)速電路實(shí)現(xiàn)，具有起動(dòng)靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動(dòng)起子等。無(wú)級(jí)調(diào)速電路一
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  可靠性  電動(dòng)工具  提高  MOSFET  選擇  

STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

  •         產(chǎn)品特性： 耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A） 采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu)         應(yīng)用范圍： 太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器
  • 關(guān)鍵字： 意法  MOSFET  IGBT  

意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MDmeshV  MOSFET  RDS  

關(guān)于DSP應(yīng)用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)研究

  • 自從美國(guó)TI公司推出通用可編程DSP芯片以來(lái)，DSP技術(shù)得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。DSP電源設(shè)計(jì)是DSP應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一...
  • 關(guān)鍵字： DSP  CPU  電源芯片  MOSFET  

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過(guò)壓保護(hù)及外部附件過(guò)流保護(hù)器件

  • ??????? NCP370保護(hù)便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來(lái)保護(hù)便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機(jī)、MP3/4、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
  • 關(guān)鍵字： 安森美  OVP  OCP  MOSFET  

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 　　現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
  • 關(guān)鍵字： MOSFET   

Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

  • 　　Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 　　雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對(duì)極小值。 　 　　ZXMS
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMS6004FF  

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過(guò)程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  漏極  導(dǎo)通  開關(guān)過(guò)程    

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

  • 功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)――硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。

  • 關(guān)鍵字： MOSFET  表面貼裝  封裝    

如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計(jì)

  • 　　有些設(shè)計(jì)者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機(jī)Vdd解決方案 　　對(duì)于手機(jī)Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu)，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計(jì)者選用小尺寸的電感和輸出電容,
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源  OLED  

尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響

  • 0 引言 　　近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。 　　低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  
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