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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr3-2133

美高森美與 New Wave DV合作開發(fā)用于以太網(wǎng)和光纖通道解決方案的創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和IP內(nèi)核

  • 　　致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布與New Wave Design & Verification (New Wave DV)合作開發(fā)網(wǎng)絡(luò)硬件和光纖通道IP內(nèi)核?，F(xiàn)在，PMC/XMC 卡和IP內(nèi)核均可用于美高森美的SmartFusion2® SoC FPGA和IGLOO2® FPGA器件，能夠?yàn)橛靡蕴W(wǎng)和/或光纖通道的新型國(guó)防、航空航天、企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用加快開發(fā)周期。 　　美高
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Intel絕妙創(chuàng)意：同時(shí)兼容DDR3/DDR4規(guī)格

  • 　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候，Intel總是同時(shí)提供支持，主板廠商也會(huì)推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說(shuō)其實(shí)也支持DDR3但屏蔽了)，實(shí)在有點(diǎn)激進(jìn)。 　　不過(guò)，Intel其實(shí)還有一個(gè)鬼點(diǎn)子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來(lái)的LPDDR4共享一種接口規(guī)格，隨便更換、升級(jí)。 　　   　　Universal DIMM(U
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關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析

  • 　　游戲機(jī)、數(shù)字電視(DTV)和個(gè)人電腦等流行的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功能越來(lái)越多，性能也越來(lái)越高。這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理能力的增強(qiáng)使它們的DRAM存儲(chǔ)器接口功能與產(chǎn)品本身的功能緊密聯(lián)系在一起，以支持更多功能和更高性能。數(shù)據(jù)速率達(dá)數(shù)Gbps的存儲(chǔ)器接口架構(gòu)可以幫助這些產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)所需的功能和性能，但是存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)必須克服艱巨的挑戰(zhàn)才能達(dá)到想要的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。 　　更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能，完全可以克服數(shù)Gbps存儲(chǔ)器接口架構(gòu)帶來(lái)的挑戰(zhàn)。但是，DDR3 SDR
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第一季度DRAM營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 市場(chǎng)保持上行走勢(shì)

  • 　　據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，在平均銷售價(jià)格上升的推動(dòng)下，DRAM市場(chǎng)繼續(xù)上行，第一季度營(yíng)業(yè)收入連續(xù)第二個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng)。 　　今年1-3月DRAM營(yíng)業(yè)收入從2012年第四季度的67億美元增長(zhǎng)到71億美元，而且高于第三季度的64億美元。第一季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出了將近兩年來(lái)的最高水平，僅低于2011年第二季度的81億美元，如圖2所示。 　　圖2：全球DRAM營(yíng)業(yè)收入概況(單位是10億美元) 　　 ? 　　DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)主要源于商品型DRAM領(lǐng)域的增長(zhǎng)，此前由于出貨量未能跟上
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針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)

  • 摘要 　　本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板（PCB）時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中
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IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。
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IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片

  • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過(guò)提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用
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相當(dāng)重口味!獨(dú)家華碩ROG主板暴力拆解

  • 　　泡泡網(wǎng)主板頻道3月7日 一提到華碩的高端主板，我們首先都會(huì)想到華碩的ROG些列主板產(chǎn)品，其定位頂級(jí)發(fā)燒用戶，其極致的超頻性能以及相當(dāng)奢華且精致的做工用料一直是廣大DIY愛(ài)好者做夢(mèng)都想得到的頂級(jí)裝備。 　　不過(guò)，對(duì)于大多數(shù)DIYer來(lái)說(shuō)ROG主板還是比較陌生的產(chǎn)物，筆者今日有幸拿到了一款高貴的ROG系列主板，為了讓更多的DIY愛(ài)好者能夠?qū)OG主板有一個(gè)感性的認(rèn)識(shí)，忍痛對(duì)此主板進(jìn)行了完全的拆解，包括每一個(gè)很小很小的MOS管元器件都要從PCB板上完全地拆除掉，總共拆成了2百多塊零件并把它們整齊地?cái)[放好給
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DDR3測(cè)試的挑戰(zhàn)及解決方法

  • 前言作為DDR2的繼任者，根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn), 目前DDR3的數(shù)據(jù)速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗(yàn)的同時(shí), DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個(gè)DRAM市場(chǎng)低迷，DDR3的出貨量遠(yuǎn)
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DRAM價(jià)格十一月繼續(xù)走低

  • 　　根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受到泰國(guó)水患影響硬盤供應(yīng)鏈，以及正逢P(guān)C步入淡季，DRAM 11月下旬合約價(jià)再跌，DDR3 4GB跌幅約7.9%，2GB跌幅近7.3%，雖然南科與爾必達(dá)宣布減產(chǎn)，但投片到產(chǎn)出需2個(gè)月的時(shí)間，因此效果要到明年第1季才有機(jī)會(huì)浮現(xiàn)。 　　集邦科技指出，由于11月份PC-OEM買貨意愿不高，甚至傳出部分訂單被取消，DRAM廠在出貨壓力下，只好再降價(jià)銷售，DRAM 11月下旬合約價(jià)公布，DDR3 4GB均價(jià)來(lái)到17.5美元，跌幅約7.9%，DDR3 2G
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爾必達(dá)25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成

  • 　　爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。 　
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是好是壞 全球內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格近日大漲

  • 　　內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格近日持續(xù)大漲，DDR32GB有效測(cè)試顆粒(eTT)現(xiàn)貨價(jià)19日大漲6.91%，順利站上1美元大關(guān)，漲勢(shì)從而引發(fā)市況好轉(zhuǎn)的聯(lián)想。 　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖表示，返校需求沒(méi)有預(yù)期差，加上內(nèi)地十一長(zhǎng)假的備料需求，預(yù)計(jì)通路庫(kù)存大約剩下2至3周，比起7月中旬1個(gè)月以上的庫(kù)存來(lái)看，價(jià)格壓力可望寬緩一些。 　
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第三季度及下半年 DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，第三季度DRAM市場(chǎng)將面臨供應(yīng)嚴(yán)重過(guò)剩和價(jià)格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。 　　主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)第三季度將降到1.60美元，比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅，此前在第二季度表現(xiàn)異常堅(jiān)挺，價(jià)格只比第一季度下降5%，如圖4所示。第四季度價(jià)格可能進(jìn)一步下降22%至1.25美元，接近許多生產(chǎn)商的現(xiàn)金成本。一年前的第三季度，價(jià)格還保持在4.70美元。
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第3季度DRAM展望

  • 　　第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DRAM市場(chǎng)持續(xù)陷入供過(guò)于求情況。
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DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
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