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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)!三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20%
- 5月15日消息,據(jù)市場消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍,PC、服務(wù)器都不再使用,但因?yàn)榉浅3墒?,功耗和價格都很低,在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對于芯片廠商來說,DDR3利潤微薄,無利可圖,形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下,HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升,產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足,2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預(yù)計(jì)明年
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「落后」的內(nèi)存要大幅漲價,中國廠商迎來商機(jī)
- 當(dāng)下,AI 服務(wù)器系統(tǒng)和應(yīng)用最為火爆,其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增,因此,在全球內(nèi)存市場,DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級,參數(shù)持續(xù)增長,大模型的參數(shù)規(guī)模越大,算力負(fù)擔(dān)越重,而 AI 服務(wù)器是算力的核心。2023 年,AI 服務(wù)器出貨量近 120 萬臺,年增 38.4%,占整體服務(wù)器出貨量的 9%,按照這個勢頭發(fā)展下去,2026 年將占到 15% 的市場份額。更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內(nèi)存支持。針對 AI 服務(wù)器的高性能要求,更強(qiáng)大的內(nèi)存——DD
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第三季利基型DRAM價格持平,DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查,DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價,價格大致和6月相同。展望第三季,預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存,因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu),報價預(yù)期沒有明顯變動。整體而言,第三季利基型內(nèi)存價格走勢預(yù)估將持平?! DR3具成本優(yōu)勢,短期仍為利基型記內(nèi)存主流 就產(chǎn)品應(yīng)用種類觀察,首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視,今年出貨量持穩(wěn),約為2.157億臺。不過
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內(nèi)存狂漲價:臺灣南亞量產(chǎn)DDR3/4
- 內(nèi)存價格持續(xù)上漲,主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應(yīng)嚴(yán)重不足,而且整個2018年都不會緩和。 其實(shí)在臺灣還有一家DRAM廠商南亞科技,只是市場規(guī)模偏小而已。DRAM市場需求如此旺盛的情況下,南亞也積極動手了,首先已經(jīng)開始量產(chǎn)20nm4GbDDR3顆粒,今年第四季度還會量產(chǎn)20nm8GbDDR4。 DDR4的時代為何還要大規(guī)模生產(chǎn)DDR3?主要還是DDR4產(chǎn)能即便再怎么擴(kuò)充,也需要時間,一時半會不可能緩解,而在很多領(lǐng)域,DDR3仍然有很大的需求。 最近不少主板廠商
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DDR4內(nèi)存的未來
- 我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展,已經(jīng)成為目前主流的選擇,而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133,明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn),預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳,可以達(dá)到4266的水平.
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DDR4陣營持續(xù)擴(kuò)大 將首度超越DDR3
- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來,銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同,當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%,大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估,隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏,預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會揚(yáng)升至58%,首度超越DDR3的39%,正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計(jì)
- DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作電壓,采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何實(shí)現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DI
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基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì)
- 基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì),摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術(shù)特點(diǎn)、工作原理,以及控制器的構(gòu)成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上,實(shí)現(xiàn)了控制器的設(shè)計(jì)方法,并給出了ISim仿真驗(yàn)證結(jié)果,驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)方案的可行性。DDR3 SDRAM
- 關(guān)鍵字: FPGA DDR3 SDRAM控制器 MIG ISim
Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實(shí)現(xiàn)
- 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開發(fā)中,本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進(jìn)行了分析研究,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設(shè)計(jì)。通過對系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關(guān)系的研究,發(fā)現(xiàn)該控制器256位接口對工程開發(fā)十分不便,通過創(chuàng)建FIFO控制系統(tǒng)和讀寫接口FIFO的方式,將接口轉(zhuǎn)換為64位。該方案對控制核重新構(gòu)建并上板測試,均符合高速數(shù)據(jù)傳輸緩存的要求,使DDR3成為一個大容量且可控的高速FIFO。
- 關(guān)鍵字: MIG核 FIFO DDR3 SDRAM 201608
基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實(shí)現(xiàn)2D圖形的繪制,構(gòu)成各種飛行參數(shù)畫面,同時疊加實(shí)時的外景視頻。由于FPGA具有強(qiáng)大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點(diǎn),基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求,因此需要配置外部存儲器。 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此選擇DDR3 SDRAM作為機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)的外部存儲器。 本文以
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ddr3-2133介紹
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