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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr3-2133

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

  • 　　市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場統(tǒng)計報告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。 　　
  • 關鍵字： DRAM  DDR3  WiMAX  

內(nèi)存芯片廠商醞釀漲價

  • 　　據(jù)《蘋果日報》援引匿名消息提供者的說法稱，由于PC OEM廠商正在積極囤積庫存，內(nèi)存芯片廠商南亞公司計劃四月份將其產(chǎn)品的價格提價5%。報道還稱三星公司已經(jīng)知會其客戶稱4月上半月將對旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價5-6%，2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價格有望爬升到2美元以上。 　
  • 關鍵字： 內(nèi)存芯片  DDR3  

爾必達瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

  • 　　日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設計準則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品?！?/li>
  • 關鍵字： 爾必達  DDR3  

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應用

  • DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
  • 關鍵字： 視頻  數(shù)據(jù)處理  應用  IP  控制器  存儲器  接口  DDR3  

如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

  • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
  • 關鍵字： SDRAM  FPGA  DDR3  存儲器    

爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

  • 　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進步速度非?？?，最先進的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。 　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀錄。 　　據(jù)了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機電流下降10%。 　　爾必達聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
  • 關鍵字： 爾必達  DDR3  30nm  

三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

  • 　　三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%，比1.8V DDR2節(jié)電67%。 　　這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上，如將插槽插滿，共可容下32GB內(nèi)存。
  • 關鍵字： 三星  DDR3  40納米  

DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 　　D
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線

  • 　　韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。 　　據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網(wǎng)本，移動設備的各種應用。 　　三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預計這款產(chǎn)品今年才會投入使用。
  • 關鍵字： 三星  30nm  DDR3  

DDR3存儲器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應用

  • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件...
  • 關鍵字： FPGA  IP核  DDR3  數(shù)據(jù)處理  

茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

  • 　　臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬片。 　　茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產(chǎn)，并計劃在明年年底
  • 關鍵字： 茂德  DDR3  內(nèi)存  

Quamtum-SI DDR3仿真解析

  • Automated DDR3 Analysis

    Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
  • 關鍵字： Quamtum-SI  DDR3  仿真    

Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

  • 　　DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續(xù)走揚。 　　根據(jù)統(tǒng)計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價上漲5%，現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 　　而在產(chǎn)品價格走揚，加上各
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR3  

三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能

  • 　　頂級內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內(nèi)存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。 　　三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存芯片  40nm  DDR3  
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