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2008年:中國半導體市場增長趨緩
- 對于中國的半導體產(chǎn)業(yè)而言,2008年將是又一輪循環(huán)發(fā)展的新起點。這一年,既是中國的首個奧運年,也是全球第一塊集成電路(IC)誕生50周年。感知事業(yè)冷暖,預言市場趨勢,雖有著諸多不確定的變數(shù),但跟隨2007年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步,仍是有跡可循。 國際市場將回暖? 2007年,全球半導體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)疲軟。 雖然2006年底和2007年初,國內(nèi)外各大業(yè)內(nèi)機構對2007年全球半導體市場都有一個相對樂觀的預測,普遍認為2007年度全球市場的增長率將在5%~10%之間,但根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(W
- 關鍵字: 半導體 IC DRAM 半導體材料
DRAM制造商將減少內(nèi)存現(xiàn)貨供應 力爭穩(wěn)定價格
- 【eNet硅谷動力消息】12月29日消息,來自中國臺灣DRAM制造商的消息來源稱,由于DRAM合約價格繼續(xù)下跌,DRAM制造商們打算縮減現(xiàn)貨市場的供應數(shù)量,以便穩(wěn)定內(nèi)存市場的整體價格環(huán)境。此舉意在避免合約市場中DRAM價格的急劇下跌。 正如人們預期,DRAM合約價格一直在保持著下降趨勢。內(nèi)存交易機構DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,主流產(chǎn)品DDR2芯片合約價格持續(xù)下滑 10%。在12月下半月,512MB DDR2-667的收盤價格為0.88美元,而1GB芯片收盤價格是1.75美元。到12月2
- 關鍵字: DRAM
2008:巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關鍵字: DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
Gartner:明年全球芯片設備支出將下降10%
- 市場研究公司Gartner周四發(fā)表聲明預計,由于電腦內(nèi)存制造商減少投資,明年全球半導體設備市場的規(guī)模將縮小近10%。Gartner預計,明年全球芯片設備支出將從今年的448億美元下降至403億美元左右。 由全球用于生產(chǎn)微芯片的產(chǎn)品制造商組成的行業(yè)協(xié)會國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)本月初預計,2008年全球芯片設備的支出為410.5億美元,不過該協(xié)會估計2007年的芯片設備支出為417億美元,認為下降幅度小于上述的下降幅度。 Gartner分析師克勞斯在談到電腦中使用的DRAM(動態(tài)
- 關鍵字: 芯片 半導體 DRAM IC 制造制程
三星大舉清庫存 臺DRAM廠頓感晴天霹靂
- 據(jù)臺灣媒體報道,近期傳出三星電子(SamsungElectronics)拋出降價營銷策略,幾乎打出半買半送的口號,要在今年底前出清繪圖存儲器庫存。對于臺灣DRAM廠來說,無異晴天霹靂,三星此舉將可能導致臺廠的繪圖存儲器滯銷,令臺系DRAM廠毫無招架之力。 幾個月來,一些DRAM廠都在賠錢走貨,狀況低迷,原賴以生存的繪圖存儲器市場被三星的半買半送策略一攪,近期遭受如此重創(chuàng),也算來了個措手不及。過去繪圖存儲器仍是高于標準型DRAM的毛利率,但現(xiàn)在恐怕又將出現(xiàn)虧損擴大的現(xiàn)象了。 臺DRAM廠表示
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 三星 DRAM 晶圓 MCU和嵌入式微處理器
Gartner:2007年全球半導體收入將增長3%
- 市場調(diào)研機構Gartner日前發(fā)布了2007年全球半導體市場收入預測報告。報告顯示,2007年全球半導體市場收入同比去年增長2.9%,達到2730億美元。而且銷售收入排名前十位的廠商當中,兩家公司的收入增長保持兩位數(shù)增長,而另有兩家公司收入出現(xiàn)下滑。 Gartner負責市場調(diào)查業(yè)務的資深副總裁Andrew Norwood稱,“半導體廠商目前的經(jīng)營狀況,與終端客戶的聯(lián)系更加緊密起來,因為當前半導體業(yè)界與消費者的支出模式有直接關系。” 英特爾2007年的芯片銷售收入增長幅度超過了半導體市場平均
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 芯片 DRAM
中芯國際今年仍盈利無望 赴內(nèi)地上市存障礙
- 中芯國際連年虧損,今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示,今年仍然可能無法實現(xiàn)盈利目標,但對集團整體展望仍是正面。 中芯第三季業(yè)績因DRAM價格走弱而虧損2,555萬美元,外電引述張汝京的話表示,若集團的DRAM業(yè)務能夠達到收支平衡,全年才有望獲得盈利。 集團早前預期今年DRAM業(yè)務將難有明顯改善。此外,張汝京表示,中芯仍計劃于內(nèi)地上市,但目前仍存有許多障礙。 集團于上海的12英寸芯片生產(chǎn)線,昨日正式投產(chǎn),初期投資4.5億美元,未來投資總額將增加至20億美元。張汝京表示,上海的生產(chǎn)線
- 關鍵字: 消費電子 中芯國際 DRAM 芯片 消費電子
分割DRAM虧損部門 矽統(tǒng)裁員不裁錢
- 據(jù)臺灣媒體報道,芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐,進行重整計劃,上月爆出消息,矽統(tǒng)將虧損關鍵DRAM模塊部門分割獨立為子公司昱聯(lián)科技外,近期傳出,矽統(tǒng)將大舉進行裁員。矽統(tǒng)表示,由于DRAM跌價重創(chuàng),前三季都大虧,為改善這一局面,矽統(tǒng)將進行規(guī)模重整,調(diào)整營運步伐,進行有效裁員,期望至明年上半年慢慢回升績效,至明年下半年,可望營收回升,整體回暖。 威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵,帶給英特爾極大的威脅,但由于一些技術上以及專利方面的原因,以及全球大氣候的影響,慢慢被強勁的對手比拼,聲勢日漸低落,即使全力一搏,
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 芯片 矽統(tǒng) 模擬IC 電源
DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應商,尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?!? 預計2008年,DRAM領域的資本開支將下滑超過30%,原來預計下降20%。這將導致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后,該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?!斑@主要由于按容量計
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
第三季度NAND閃存銷售額增長37%,達42億美元
- 市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%,達到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭,本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求,本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。 韓國海力士半導體第三季度增長最快,其NAND銷售額比第二季度大增79%,達到8.06億美元。它的市場份額是19%,在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子,市場份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數(shù)量
- 關鍵字: NAND 閃存 DRAM 存儲器
NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術
- NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術的開發(fā),使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術比新一代45nm半導體配線工藝更加微細,被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次,NEC電子推出的工藝中,一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝,它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz,同時保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝,它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NEC DRAM LSI
供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
- 美國iSuppli調(diào)研結果顯示,由于供應過剩與價格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。 NAND閃存方面,預計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
2007年上半年DRAM模塊市場晴雨表 金士頓仍是霸主
- 據(jù)iSuppli公司,2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場中的領先地位,但同期增長最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見與記憶科技。 2007年上半年,臺灣創(chuàng)見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%,在所有的供應商中增長率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長到2.5億美元。創(chuàng)見在品牌第三方DRAM模塊市場中的排名從2006年上半年時的第10升至第六。 iSuppli公司的存儲IC和存儲系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示:“由于創(chuàng)見
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 金士頓 臺灣 MCU和嵌入式微處理器
08年半導體設備市場前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風險
- 2008年半導體設備市場前景黯淡,資本開支預計下滑超過3%。Hosseini預測,前端設備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設備預計也充滿變數(shù)。 他在報告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長率出現(xiàn)拐點,2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風險。我們預計前端設備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預計后端訂單勢頭平緩至下滑,之后有望重現(xiàn)恢復?!? 他最大的擔憂在DRAM行業(yè),預計“整
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 半導體 DRAM 芯片 元件 制造
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