4Q13全球DRAM產值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高

　　全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金，QoQ近5%。同時，前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升，其中獲利差異點取決于各DRAM廠標準型內存的供給多寡。

　　TrendForce研究協理吳雅婷表示，就4Q13合約價格走勢做觀察，由于九月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，DRAM 4GB合約均價最高來到34美元價位，較火災發(fā)生前上漲約二成，供貨不足下主要PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，亦是這波價格上漲受惠最多的廠商。其中三星受惠于25奈米制程開始放量，供貨最充足，所以盤據成交價的高價部位，美光次之，SK海力士為避免客戶流失，將合約價格放低，為這波漲價潮當中受惠最小的供貨商。2013年DRAM總產值總計達到34.4億美元，年成長約三成。

　　從全球DRAM廠自有品牌內存市占比例來觀察，三星半導體與SK海力士半導體各為39%與24%，兩者差距再進一步拉大。三星維持原先策略，標準型內存比重進一步提升，并意圖持續(xù)擴大行動式內存對外采購比重;由于三星的25奈米已經順利量產出貨，相較于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，顯然成本結構領先同業(yè)水平，在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業(yè)利益仍舊可以維持20%水位，無疑為產業(yè)獲利最高的廠商。SK海力士受無錫廠大火影響，其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%，營業(yè)利益也約略減少約5%。然而該公司傾全力恢復產出，預計產能流失的沖擊可望在今年首季全面回復。

　　在本次第四季營收市占報告中，TrendForce第二次將美光與日商爾必達合并計算，綜合市占為28.7%，正式超越SK海力士成為排名第二。除此之外，同時受惠于價格上揚與成本下降兩項因素，營業(yè)利益的成長超過10%，為產業(yè)之冠。美光集團2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米，預計正式量產時程約落在年末，若站在標準型內存的角度觀察，新美光集團的產出比例將占總產業(yè)的三分之一強，對該市場的影響力將大幅增加。

　　臺系廠部分，南科也積極轉進30nm制程，其投片量已來到總產能近八成，即使第四季停止從華亞科取得晶圓，在營收上仍有9.5%的季成長。力晶在DRAM營收上僅有6%的成長，除了力晶已轉型為代工業(yè)務為主外，去年下半年啟動的P3廠DRAM業(yè)務，也是屬于代工性質，不受DRAM價格波動影響，亦無法帶動DRAM營收繼續(xù)往上攀升。華邦則是受到火災轉單效應與傳統旺季需求，營收成長約9.7%，其中利基型內存的成長約為11%，行動式內存也有5%的成長，今年華邦除了提升投片量至38K外，提升46nm制程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助第一季的獲利表現。

　　從市場面來觀察，TrendForce認為無錫廠的復工狀況為牽動未來價格走勢的最主要關鍵;由于每年首季都是需求淡季，加上產出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士無錫廠復工)，TrendForce仍維持原先的預估，價格將呈現緩跌態(tài)勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。后續(xù)獲利能力的持盈保泰將有賴于制程轉進，而產業(yè)供給面將有賴各DRAM廠商共同維持，不貿然進行擴廠計劃;在以上前提成立之下，2014年的DRAM總產值可望進一步提升，并在后20nm時代來臨之前為各家?guī)矸€(wěn)定的獲利。