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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

  • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l  這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展

  • 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門(mén)業(yè)績(jī)低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換

  • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門(mén)和 DRAM 部門(mén)負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)副社長(zhǎng)鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開(kāi)發(fā)的部門(mén)負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營(yíng)銷部門(mén)副社長(zhǎng)的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對(duì) HB
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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器  RCD  DDR5  DIMM  

美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存

  • IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內(nèi)存，雙槽即可實(shí)現(xiàn) 96GB，四個(gè)內(nèi)存插槽全插滿可實(shí)現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開(kāi)始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當(dāng)于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  

DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？

  • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(zhǎng)率可能低于長(zhǎng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來(lái)各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
  • 關(guān)鍵字： DRAM  TrendForce  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見(jiàn)回暖

  • 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程

  • IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對(duì)
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DDR5  

韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

  • 5月26日，韓國(guó)媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認(rèn)為，與SK海力士和美
  • 關(guān)鍵字： 三星  4F2結(jié)構(gòu)  DRAM  

不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM

  • IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
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DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營(yíng)收成長(zhǎng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  TrendForce  

需求好轉(zhuǎn)？?jī)杉掖鎯?chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

  • 受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續(xù)“過(guò)冬”，加上今年一季度為市場(chǎng)淡季，供過(guò)于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來(lái)是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫(kù)存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫(kù)存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場(chǎng)應(yīng)用需求趨勢(shì)，南亞科持續(xù)開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
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存儲(chǔ)進(jìn)入筑底階段？

  • 伴隨存儲(chǔ)芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來(lái)越熱。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片  DRAM  

三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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