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新一代國(guó)產(chǎn)X86處理器將采用7nm工藝 支持DDR5

  • 自從國(guó)外對(duì)我們實(shí)行卡脖子的政策后，在芯片這件事上加速進(jìn)階就成為了國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略，而上海兆芯推出的KX-6000是一款國(guó)產(chǎn)x86處理器，采用16nm工藝，最高8核架構(gòu)，代號(hào)為“陸家嘴 (Lujiazui)”，日前知名的編譯器GCC也添加了對(duì)KX-6000的支持。     KX-6000系列處理器在2019年6月份發(fā)布，由上代的KX-5000系列的28nm升級(jí)到16nm工藝，有4核及8核兩種規(guī)格，頻率可達(dá)3.0GHz，還支持PCIe 3.0、雙通道DDR4內(nèi)存，搭配的芯片
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DDR5內(nèi)存五大升級(jí)都有啥？最后一個(gè)你絕對(duì)想不到

  • 12代酷睿誕生以來，除開CPU本身，最受關(guān)注的莫過于在先進(jìn)協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。關(guān)于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費(fèi)級(jí)PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過。今天，重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)
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第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購(gòu)買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)影響，引發(fā)PC OEM對(duì)第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長(zhǎng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達(dá)3～8％，且可能會(huì)進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
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DDR4再見：Intel 700系列芯片或僅支持DDR5內(nèi)存

  • 　　據(jù)TechPowerUp的報(bào)告來看，Intel正在研發(fā)僅為13代Raptor Lake處理器提供支持的700系列芯片組主板，雖然DDR4+DDR5的內(nèi)存控制器仍是主流，但I(xiàn)ntel正在努力提升DDR5內(nèi)存的市場(chǎng)比例?！　脑搱?bào)道來看，Intel正在研發(fā)的700系列芯片組主板將僅支持DDR5內(nèi)存，而DDR4內(nèi)存則主要保留在600系芯片組平臺(tái)?！　〔贿^需要注意的是，廠商往往并不會(huì)完全聽從Intel指揮，只要市場(chǎng)需要700系主板支持DDR5內(nèi)存的呼聲夠大，總會(huì)有廠商忍不住?！　〈送?，13代Raptor La
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用

  • 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X驗(yàn)證

  • 　　11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，聯(lián)發(fā)科（MediaTek）已在其全新的5G旗艦智能手機(jī)芯片天璣9000平臺(tái)上完成了對(duì)美光LPDDR5X DRAM內(nèi)存的驗(yàn)證。美光由此成為首家送樣并驗(yàn)證該款業(yè)界最快、最先進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存的半導(dǎo)體廠商，并已出貨首批基于1α節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X樣片。美光同時(shí)也是業(yè)界首家應(yīng)用1α制造節(jié)點(diǎn)的廠商。美光LPDDR5X專為高端與旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì)，讓智能手機(jī)生態(tài)系統(tǒng)能夠在人工智能(AI)與5G創(chuàng)新背景下，推動(dòng)數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的新一波發(fā)展浪潮。Micron LPDDR5X　　
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達(dá)高水位，庫存迭高問題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
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SK海力士即將量產(chǎn)DDR5內(nèi)存 搭配Intel 12代酷睿

  • 　　今年下半年，最快10月底就能升級(jí)DDR5內(nèi)存了，這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會(huì)首發(fā)支持DDR5。SK海力士日前在財(cái)報(bào)會(huì)議上也表示未來幾個(gè)月就要量產(chǎn)DDR5內(nèi)存?！　DR5的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)發(fā)布一年多了，相比DDR4繼續(xù)提升性能、降低功耗，標(biāo)準(zhǔn)電壓從1.2V進(jìn)一步降至1.1V，最大單條容量從32GB來到128GB(單Die密度64Gb)，標(biāo)準(zhǔn)最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實(shí)際瞄準(zhǔn)8400MHz)，此時(shí)帶寬達(dá)到51GB/s，基本是DDR4-3200的兩倍?！　×硗猓珼DR5支
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！　〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場(chǎng)新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動(dòng)終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  10納米  DRAM  

美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

  • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
  • 關(guān)鍵字： 美光  176層NAND  1α DRAM   

美光專家對(duì)1α節(jié)點(diǎn)DRAM的解答

  • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)1α 節(jié)點(diǎn)DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
  • 關(guān)鍵字： 202104  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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