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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢(shì)放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  納米  

爾必達(dá)擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

  • 　　據(jù)路透社報(bào)道，世界第三大芯片制造商日本爾必達(dá)公司近日計(jì)劃發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達(dá)從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了更為有利可圖的智能手機(jī)芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進(jìn)行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DRAM錢(qián)坑 臺(tái)塑集團(tuán)進(jìn)退兩難

  • 　　聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智暗指臺(tái)塑集團(tuán)可以出面集成臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無(wú)法評(píng)論此事;存儲(chǔ)器業(yè)界則認(rèn)為，臺(tái)塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問(wèn)題，沒(méi)有技術(shù)和專(zhuān)利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投錢(qián)集成，也未必拼得過(guò)韓廠，而臺(tái)塑集團(tuán)這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒(méi)有得到等值回報(bào)，或許茂德財(cái)務(wù)狀況圓滿(mǎn)解決后，有非常劃算的機(jī)會(huì)可取，臺(tái)塑才會(huì)考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢(qián)集成，臺(tái)塑意愿恐怕不大。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)塑  DRAM  

存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  光刻  

茂德再度減資85%

  • 　　茂德再度啟動(dòng)2次減資計(jì)劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會(huì)中再度通過(guò)減資85%，預(yù)計(jì)將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進(jìn)策略性投資人，市場(chǎng)屢次點(diǎn)名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團(tuán)，再度被提出來(lái)討論。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

  • 　　最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： Inotera  DRAM  

存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM

  • 　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 　　雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  

傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

  • 　　茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元，想買(mǎi)茂德12吋廠，且推測(cè)背后應(yīng)是獲得臺(tái)積電默許，主要系因驅(qū)動(dòng)IC未來(lái)采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢(shì)，世界先進(jìn)可趁此機(jī)會(huì)撿便宜。不過(guò)，茂德和世界先進(jìn)對(duì)此事都予以否認(rèn)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

  • 　　瑞晶董事會(huì)日前通過(guò)30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過(guò)，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購(gòu)重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤(rùn)機(jī)臺(tái)等?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自?xún)?nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買(mǎi)下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠以開(kāi)發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級(jí)封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計(jì)開(kāi)發(fā)時(shí)程約1年，屆時(shí)新竹廠正好開(kāi)始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時(shí)于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 封裝  DRAM  

華芯預(yù)計(jì)內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過(guò)億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)部經(jīng)理殷和國(guó)6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》透露，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來(lái)超過(guò)1億元的收入。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華芯  DRAM  

iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  

爾必達(dá)宣布開(kāi)始銷(xiāo)售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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