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NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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韓DRAM微細(xì)制程比重高

  • 　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績(jī)，其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時(shí)機(jī)較晚，第1季營(yíng)收多不理想。 　　
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爾必達(dá)“高明投資”方式應(yīng)對(duì)DRAM需求增長(zhǎng)

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達(dá)到50%/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來應(yīng)對(duì)。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計(jì)劃得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。 　　
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DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠以爭(zhēng)取時(shí)間

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)景氣到底復(fù)蘇沒?同樣一個(gè)問題問上游芯片制造商和下游模組廠，可能會(huì)得到兩極化的答案，再看看國(guó)際大廠財(cái)報(bào)，對(duì)比一下臺(tái)灣DRAM廠財(cái)報(bào)，可能也會(huì)一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價(jià)格比起2010年第4季水準(zhǔn)，或許大幅改善，但臺(tái)系DRAM廠前債太多，成了繼續(xù)往前走最大的陰影和阻礙，退出品牌、賣廠止血都是被逼到絕路的招數(shù)，但手上牌快出完，賽局卻越來越不利，茂德的困境便是臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的縮影。
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茂德計(jì)劃出售重慶8英寸芯片工廠

  • 　　臺(tái)系DRAM廠茂德由于資金窘迫，17日董事會(huì)通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出，規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠，至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府，處分后至少暫時(shí)不需再認(rèn)列渝德廠虧損，對(duì)于手上財(cái)務(wù)資金應(yīng)用可較寬裕。 　
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茂德結(jié)束在陸投資

  • 　　DRAM 廠茂德科技日前公告，為集中資源在臺(tái)灣母公司，董事會(huì)決議處分中國(guó)子公司重慶渝德科技股份，將暫時(shí)結(jié)束在大陸的投資。茂德是政府開放8吋晶圓廠赴大陸投資的3家公司之一，截至目前，除臺(tái)積電已順利在大陸量產(chǎn)運(yùn)作外，力晶、茂德的西進(jìn)路均不如預(yù)期順利。 　　
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三星成DRAM合約價(jià)增長(zhǎng)推手

  • 　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問題，導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過去相當(dāng)少見差距?！?/li>
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分析DRAM漲價(jià)成功原因

  • 　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問題，導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過去相當(dāng)少見差距。　
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創(chuàng)見：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題與景氣無關(guān)

  • 　　創(chuàng)見董事長(zhǎng)束崇萬看好下半年DRAM和NAND Flash市場(chǎng)景氣都不錯(cuò)，對(duì)存儲(chǔ)器模塊廠而言，是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年，但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng)，而是臺(tái)灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)在專利都被國(guó)際大廠把持，一切都為時(shí)已晚。 　
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傳爾必達(dá)放棄入股茂德的合作案

  • 　　日經(jīng)新聞12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第3大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)已放棄和全球第7大DRAM廠茂德就加強(qiáng)合作關(guān)系的談判。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)于去年秋天就和臺(tái)灣當(dāng)局及臺(tái)灣銀行團(tuán)針對(duì)包含入股茂德等方案在內(nèi)的救濟(jì)對(duì)策進(jìn)行協(xié)商，惟未能獲得共識(shí)，故爾必達(dá)決議放棄和財(cái)務(wù)體質(zhì)惡化風(fēng)險(xiǎn)高的茂德進(jìn)行合作談判，轉(zhuǎn)而將資源集中于具成長(zhǎng)性的行動(dòng)裝置用DRAM事業(yè)。 　　
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爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉在三星主要首長(zhǎng)團(tuán)會(huì)議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。 　　
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茂德6日起分盤交易　私募對(duì)象指向爾必達(dá)

  • 　　臺(tái)系DRAM廠茂德由于凈值已低于股本10分之3，且會(huì)計(jì)師出具「繼續(xù)經(jīng)營(yíng)假設(shè)有重大疑慮」之核閱報(bào)告，柜買中心在完成2010年和2011年第1季財(cái)報(bào)審閱后，將茂德從5月6月開始列為分盤交易處置;再者，茂德已決議辦理私募，市場(chǎng)認(rèn)為引進(jìn)技術(shù)合作伙伴爾必達(dá)(Elpida)機(jī)率最高。 　　
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一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。 　　
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臺(tái)當(dāng)局否決出資整并DRAM產(chǎn)業(yè)

  • 　　針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpida)合作，以及與美商美光(Micron)合作，而且是集成不是整并，政府并沒有要出資整并多家DRAM廠成為1家公司規(guī)劃。 　
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爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。 　　爾必達(dá)從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  30nm  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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