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全球第四次DRAM戰(zhàn)爭：中韓定鼎之戰(zhàn)

  • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕，而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進行著試探。
  • 關鍵字： DRAM  紫光  

紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

  • 　　紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 　　前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
  • 關鍵字： 紫光  DRAM  

內(nèi)存價格一年漲三倍：外企壟斷流通價格倒掛

  • 在此輪內(nèi)存漲價行情中，由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度，導致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價格倒掛的現(xiàn)象。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設備市場

  • 　　近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機構(gòu)調(diào)研時表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預期，對全年業(yè)績估計相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
  • 關鍵字： 紫光國芯  DRAM  

數(shù)據(jù)中心需求熱，SK海力士第三季營收大幅增長30.1%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

  • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下

  • 　　DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調(diào)壓力。 　　調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰(zhàn)。
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

內(nèi)存條漲價背后：廠家紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的業(yè)務

  • 作為一個寡頭壟斷市場，內(nèi)存條價格一路飆升背后，是三星電子、美光科技、SK海力士內(nèi)存廠商正經(jīng)歷一次較為一致的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。
  • 關鍵字： 內(nèi)存條  DRAM  

DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺

  • 　　臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為，動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 　　威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎設備及服務規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 　　只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 　　創(chuàng)見預期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應求，產(chǎn)品價格也將維持高檔。 　　威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
  • 關鍵字： DRAM  

DRAM核心設計的新舊存取技術差異

  • 　　本文討論不同的存取技術對于DRAM在進行實體設計時所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 　　不同的存取技術對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發(fā)生什么改變?當動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 　　陣列結(jié)
  • 關鍵字： DRAM  

0.7納秒！相變存儲器速度新極限

  • 　　隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。 　　   　　近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術研究所的合作論文——《Red
  • 關鍵字： 相變存儲器  DRAM  

蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%

  • 　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
  • 關鍵字： 蘋果  DRAM  

三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年

  • 　　包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。 　　以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％

  • 　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于43～4
  • 關鍵字： DRAM  存儲器  

半導體迎來第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與升級世界將裝上“中國芯”？

  • 從過去的兩次半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移來看，中國如今已經(jīng)具備成為行業(yè)新霸主的條件，未來半導體行業(yè)迎來大發(fā)展可以期待。
  • 關鍵字： 中國芯  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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