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將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。 　　我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中，有無竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

  • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

  • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
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半導體，中國的芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破？

  • 世界集成電路三強：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國八九百億美元的營收，養(yǎng)活數(shù)萬美國工程師，還能帶來一百多億美元的凈利潤。中國的經(jīng)濟升級最大的兩個領(lǐng)域是汽車制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來怎樣能在這兩個超級產(chǎn)業(yè)完成逆襲？
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  

DRAM市場：海力士率先擴產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后

  • 　　DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時間，DRAM價格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。 　　僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過剩狀況來向DRAM制造商壓價，根本不管DRAM制造商在這樣低價合同上會賠多少錢?，F(xiàn)在，DRAM制造商正在“復(fù)仇”，不斷漲
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臺專家：中國半導體發(fā)展模式的探討

  • 　　大陸半導體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設(shè)時期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點。 　　  爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀發(fā)展戰(zhàn)略的帶動，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
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美光：未來兩季 DRAM供不應(yīng)求

  • 　　美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。 　　他強調(diào)，美光在上季公布財報時也預(yù)估本季營收和獲利展望，同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁，但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求，預(yù)估未來兩季，DRAM仍供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 　　艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術(shù)推進，短期內(nèi)不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
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聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能

  • 　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時間預(yù)計3年的情況下，則新廠2020年將可進入投產(chǎn)。 　　華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴增至4.8萬片，2018年底則擴增到5.3萬片。未來，最大的擴充能量到5.5萬片時就已經(jīng)將當前臺中廠的剩余空間給全部用光。 　　因此，面
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莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍

  • 　　與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。 　　01引言 　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。 　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。 　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進步
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存儲器價格為何居高不下？

  • 存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。
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存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產(chǎn)能缺口

  • 存儲器作為智能手機，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導致整個產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
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服務(wù)器DRAM大熱賣、報價季季漲 南亞科宜鼎受惠

  • 　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺，英特爾Purley平臺已經(jīng)開始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨，而在云端運算、人工智能的帶動下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報價又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會大受益。 　　DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出，業(yè)者多采制程推進增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價今年上半年已大漲逾4成幅度
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全球半導體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”

  • 　　在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導體行業(yè)風云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開了中國半導體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺的序幕。然而現(xiàn)在來看，前途仍然充滿荊棘! 　　國內(nèi)掀起半導體產(chǎn)業(yè)并購熱 　　半導體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個國家的綜合實力。在日本，半導體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。 　　8月23日晚，中國紫光集團斥資240億美元開始興建國內(nèi)首座先進存儲芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國
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全球DRAM供應(yīng)量不足 HPE內(nèi)存價格暴漲

  • 　　據(jù)消息人士透露，HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價格提高了20%，由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段，因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高，從而導致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價格上漲。與此同時，各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀錄的銷售額新高。 　　   　　在一封發(fā)送給貿(mào)易客戶的郵件中，HPE公司談到了涉及了這一定價變動，并解釋稱：“8月21日星期一，HPE將老版本與低容量內(nèi)存SKU的建議銷售價格提升10%至20%。” 　　以下內(nèi)存產(chǎn)品將受到影響：
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MRAM接班主流存儲器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進入MRAM市場，STT執(zhí)行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現(xiàn)有主流存儲器技術(shù)的未來前景。 　　或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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