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2017年第四季服務器DRAM營收成長約13.9%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，即使原廠透過產(chǎn)品線調整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。 　　DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的市況依然持續(xù)，而Server DR
  • 關鍵字： DRAM  

2017年第四季服務器DRAM營收成長約13.9%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，即使原廠透過產(chǎn)品線調整，但仍無法有效紓解市場供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠Server DRAM營收季成長約13.9%。 　　DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的市況依然持續(xù)，而Server DR
  • 關鍵字： DRAM  

三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍

  • HBM處理數(shù)據(jù)的速度較一般DRAM有顯著提升，業(yè)界預料，HBM市場將以每年2倍以上的速度擴大，不過目前HBM市場仍遠小于一般DRAM。
  • 關鍵字： HBM2  DRAM  

IEK:DRAM去年單價上漲55%,今年再漲32%

  • 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)引用市調機構調查報告指出，去年全球DRAM價量飆揚，產(chǎn)值年增達約77%、達725億美元，平均銷售單價上漲55%;今年預估還是供不應求，雖然漲幅力道不如去年大，但在主要供貨商仍有節(jié)制增產(chǎn)下， 預估今年平均銷售單價仍會漲逾32%，年產(chǎn)值估約年增23%、達近900億美元，為歷年來新高。 　　IEK看好今年內存仍將會是價量齊揚的一年，主因人工智能將從云端運算往下落到邊緣運算，預估到2022年，將會有高達75%的數(shù)據(jù)處理工作不在云端數(shù)據(jù)中心完成， 而是透過靠近用戶的邊緣運
  • 關鍵字： DRAM  

SK海力士2017利潤暴漲319%，2018年繼續(xù)創(chuàng)紀錄

  • 2017年第四季度存儲市場依舊火爆，受全球數(shù)據(jù)中心增長驅動，服務器存儲器需求尤其強勁，將繼續(xù)推動公司2018年利潤的增長，SK海力士也將擴展新生產(chǎn)線來滿足市場需求。
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

海力士：去年第四季DRAM平均價格漲9%

  • 　　全球第二大內存芯片廠韓國SK海力士受惠DRAM價格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第4季獲利創(chuàng)單季新高，看好今年服務器內存需求持續(xù)強勁。 市調機構集邦則預期，盡管智能手機銷售不如預期，恐導致本季移動內存合約價漲幅收斂為3%，但第2季將重啟拉貨動能，價格仍會續(xù)漲。 　　SK海力士昨天舉行發(fā)布會并公布去年財報，去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng)新高。 該公司分析，去年第4季獲利創(chuàng)高，主因DRAM芯片出貨季增3%，平均價格漲9%;NAND芯片出貨增16%，均價漲4%。 　　SK海力士預估，2018年DRAM芯
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

紫光國芯:DRAM芯片設計技術處于世界先進水平

  • 　　紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動平臺上回答投資者提問時介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實現(xiàn)較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會降低工作電壓，有利于更低的功耗。 　　同時，關于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術處于世界先進水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場份額不大。 　　針對投資者關于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢問，紫光國芯作出上述回應。 　　1月26日紫光國芯在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲
  • 關鍵字： 紫光國芯  DRAM  

2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

  • 　　2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 　　DRAM無新增產(chǎn)能 　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

南亞科：DRAM上半年還會漲

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價格持續(xù)看漲，但漲幅會收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實際增產(chǎn)內容才能做明確分析。 目前來看，韓國二大廠都表明將依市場需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 　　李培瑛表示，服務器和標準型DRAM今年市場需求持續(xù)強勁，南亞科內部預估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對服務器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運來臨，刺激電視與機頂盒等需求，帶動利基型D
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  

上演第二梯隊大逆襲 武漢存儲產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國家隊效應”

  • 　　武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處，一個被稱為“黃金大道”的T字形結構的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號工程”正是在中國存儲器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長江存儲科技責任有限公司(以下簡稱“長江存儲”)。 　　2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長江存儲的一期工廠已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團隊正在東湖高新區(qū)(以下簡稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進研發(fā)工作
  • 關鍵字： 集成電路  DRAM  

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

  • 　　RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 　　按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 　　SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。 　　SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
  • 關鍵字： SRAM  DRAM  

IC Insights:DRAM今年價格將開始下滑

  • 　　研調機構IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗來看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來，可能經(jīng)歷長期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價格將開始下滑，跌勢更恐達2年之久。 　　回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動服務器DRAM明顯升溫，同時智能手機與其他移動裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長，2017年DRAM價格報價一路上揚
  • 關鍵字： DRAM  

揭露DRAM和電容炒貨內幕，三星兜底策略縱容漲價

  • 缺貨漲價固然有產(chǎn)能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
  • 關鍵字： DRAM  三星  

兩大新技術加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機

  • 　　搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關鍵字： 三星  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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