首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> dram

存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來(lái)區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 　　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價(jià)格依然看漲

  • 　　隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛說(shuō)，第2季DRAM市場(chǎng)狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對(duì)第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照 　　需求增加，供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來(lái)出現(xiàn)罕見同時(shí)供應(yīng)吃緊的情況。 　　隨著時(shí)序逐漸步入傳統(tǒng)旺季，加上短時(shí)間新產(chǎn)能
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

第三季度服務(wù)器DRAM合約價(jià)續(xù)揚(yáng)，預(yù)估季增3%~8%

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢(shì)尚未改變，今年第一季合約價(jià)上揚(yáng)近四成，第二季合約價(jià)更進(jìn)一步上揚(yáng)約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價(jià)格將來(lái)到260美元大關(guān)，二線廠更會(huì)高于此價(jià)格水位，使得整體第三季價(jià)格將會(huì)持續(xù)季增3%~8%的幅度。 　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進(jìn)一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機(jī)容量上的提升與
  • 關(guān)鍵字： 服務(wù)器  DRAM  

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

  • 差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對(duì)CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
  • 關(guān)鍵字： DDR  差分時(shí)鐘  DRAM  DDR2  

存儲(chǔ)“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　多數(shù)手機(jī)以不同存儲(chǔ)規(guī)格來(lái)區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價(jià)可達(dá)到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲(chǔ)器的重要性。 　　   　　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)

  • 　　量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭(zhēng)奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 　　同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)在
  • 關(guān)鍵字： 微軟  DRAM  

第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價(jià)再度上漲超過(guò)三成，亦帶動(dòng)其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng)，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價(jià)格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀，移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格也有近一成的漲幅。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約13.4%。從市場(chǎng)面來(lái)觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。 　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關(guān)鍵字： DRAM  Flash  

傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺(tái)/美/日半導(dǎo)體大廠

  • 　　全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)瓶頸，后續(xù)恐將演變成國(guó)家級(jí)的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺(tái)積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺(tái)、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 　　硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過(guò)去10年來(lái)硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過(guò)于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運(yùn)作，尤其是12吋規(guī)
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  

一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來(lái)引爆內(nèi)存市場(chǎng)革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長(zhǎng)的路要走，直到 2025 年，這個(gè)技術(shù)都是安然無(wú)憂的。 因此，NAND Flash 暫時(shí)不會(huì)被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

高盛:DRAM漲勢(shì)將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢(shì)可能在未來(lái)幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì)轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評(píng)等。 　　巴倫周刊8日?qǐng)?bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過(guò)去四個(gè)季度以來(lái)，DRAM毛利不斷提高。 過(guò)往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢(shì)代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來(lái)到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。 　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長(zhǎng)動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力

  • 　　三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報(bào)價(jià)急速攀升的氣勢(shì)，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動(dòng)存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)上漲。 　　從DRAM角度來(lái)看，存儲(chǔ)器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  DRAM  

三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤(rùn)大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級(jí)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個(gè)是針對(duì)NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  
共1830條 27/122 |‹ « 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473