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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)在
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第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚(yáng)，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價格上揚(yáng)也相當(dāng)可觀，移動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
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麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 　　整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導(dǎo)體大廠

  • 　　全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 　　硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運作，尤其是12吋規(guī)
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一文看懂3D Xpoint！ 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術(shù)逐漸出現(xiàn)，傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術(shù)都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
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高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

  • 　　據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 　　巴倫周刊8日報導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價
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后PC時代 移動型DRAM成市場主力

  • 　　三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 　　三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。 　　從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
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三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
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新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預(yù)期，由于市場需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機(jī)會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 　　半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機(jī)服務(wù)。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
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力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒 etnews 18 日報導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后。 　　三星從 20 納米制程(28→25&rar
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韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒etnews 18日報導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時間可能延后。 　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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