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內(nèi)存價格暴漲一整年：徹底沒法買了

  • 內(nèi)存、固態(tài)盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統(tǒng)計數(shù)據(jù)那是相當?shù)膰樔恕?/li>
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

2017年全球IC市場規(guī)模年增16% 成長幅度創(chuàng)近年新高

  • 　　隨著DRAM與NAND Flash市場規(guī)模大幅成長，調(diào)研機構(gòu)IC Insights預估，2017年全球整體IC市場規(guī)模將較2016年大幅成長16%，創(chuàng)下自2010年增33%以來，最佳年增紀錄。亦為2000年以來，第5度IC市場規(guī)模年增幅度達到雙位數(shù)百分比。 　　2017年全球DRAM市場規(guī)模將會年增55%，NAND Flash年增35%。不過該機構(gòu)亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場大幅成長的最主要因素，是來自于DRAM與NAND Flash平均售價(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
  • 關鍵字： IC  DRAM  

半導體行業(yè)競爭激烈 國內(nèi)半導體還需渡過哪些難關

  • 　　過去兩年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應用的火熱發(fā)展，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。 　　通盤來看，全球前十大半導體廠，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 　　國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施 　　眾所周知，半導體行業(yè)的技術(shù)主要是來自于美日韓半導體廠商的，他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數(shù)十載，技術(shù)成熟，專利頗多，而對于中國近年內(nèi)半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
  • 關鍵字： 半導體  DRAM  

DRAM 第三季度合約價持續(xù)攀高，七月漲幅約 4.6%

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價來到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價亦來到27美元，亦有超過一成的漲幅。7月PC DRAM合約價持續(xù)上揚約4.6%，預估下半年價格將會維持小幅上漲態(tài)勢。 　　旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時序進入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進入傳統(tǒng)旺季，原本就呈現(xiàn)吃緊的DRAM市場更
  • 關鍵字： DRAM  

存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。　　SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

回顧美日DRAM芯片之爭

  • 盛極而衰是自然規(guī)律，商業(yè)領域也是這樣。
  • 關鍵字： DRAM  東芝  

1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
  • 關鍵字： DRAM  Flash  

手機零組件供貨缺口恐擴大 PC產(chǎn)業(yè)營運難逃沖擊

  • 第3季零組件缺貨情況持續(xù)，而終端廠商考量營運壓力續(xù)轉(zhuǎn)嫁到PC終端售價之上，預料也將讓PC銷售回溫的力道受到影響，經(jīng)此相關廠商得更強化零組件缺貨所可能造成的風險管控等才是。
  • 關鍵字： SSD  DRAM  

存儲芯片銷售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng)新高

  • 　　北京時間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱，由于存儲芯片需求強勁，其第二季營業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng)有史以來新高，符合市場預期。 　　該財報刷新上次在第一季創(chuàng)下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預估的史上最高年營業(yè)利潤13萬億韓元(約合786.54億人民幣)邁進。 　　SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬億韓元(約合187.56億人民幣)。營收增長70%至6.7萬億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長3%，平均售價上漲11%;NAND芯
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士今年投資規(guī)模上看62億美元 致力于技術(shù)提升

  • 　　以往半導體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進，研發(fā)難度提高，投資規(guī)模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng)新開拓全球市場。 　　據(jù)韓媒每日經(jīng)濟報導，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續(xù)增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。 　　SK海力士將持續(xù)以大規(guī)模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。 　　資通訊技術(shù)發(fā)達帶動存儲器需求成長，移動裝置用DRAM及NAND Flash
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

Gartner預測2017年全球半導體收入將達到4千億美元

  • 　　根據(jù)全球領先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的最新預測，2017年全球半導體總體收入將首度突破4,000億美元大關，達到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導體收入曾創(chuàng)下3000億美元的紀錄，更早之前則是在2000年超過了2000億美元。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器的短缺正在帶動半導體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格，其收入和利潤亦隨之增長。”　　Gartner預計2017年存儲器市場的收入漲幅
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

下半年存儲器漲勢迎拐點：2017全年價格漲幅仍十分可觀

  • 　　市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創(chuàng)出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價格瘋漲。該機構(gòu)預計，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長2%，閃存出貨量增長對存儲器銷售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。 　　存儲器價格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價格都持續(xù)向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價格季度平均增長率為16.8%，NAND閃存價格季度平均增
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

晉華DRAM制程技術(shù)開發(fā)技術(shù)合同通過評審,交易額4億美元

  • 　　據(jù)科技日報報道，記者從福建省晉江科技和知識產(chǎn)權(quán)局獲悉，福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審，相關技術(shù)將填補國內(nèi)空白。 　　合同成交總金額達7億美元，其中技術(shù)交易額4億美元，折合人民幣26.0984億元，是目前國內(nèi)經(jīng)評審認定最大金額的單項技術(shù)合同。 　　評審會上，合同雙方通過技術(shù)合作開發(fā)的方式，開發(fā)DRAM相關制程技術(shù)，推動DRAM生產(chǎn)線的建設及技術(shù)國產(chǎn)化，將完善我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。來自福建省內(nèi)外的集成電路制造、技術(shù)合同管理、稅務及財務專家
  • 關鍵字： 晉華  DRAM  

ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

  • 　　ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。 　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
  • 關鍵字： DRAM  NAND  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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