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大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒(méi)影響

  • 　　針對(duì)中國(guó)將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長(zhǎng)李培瑛表示， 由于中國(guó)未能取得技術(shù)來(lái)源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢(shì)必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專(zhuān)利及高度專(zhuān)業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門(mén)檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成，預(yù)期5年內(nèi)將不會(huì)造成DRAM市場(chǎng)的影響，短期內(nèi)難有進(jìn)展。 　　李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國(guó)美 光三大廠(chǎng)手中，為維持自身利益及寡占市場(chǎng)結(jié)構(gòu)，避免中國(guó)廠(chǎng)商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國(guó)技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠(chǎng)計(jì)劃。中國(guó)若未能取得技術(shù)來(lái)源，短 期
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TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行

  • 　　自2015年第四季以來(lái)，全球終端需求始終停滯，智慧型手機(jī)品牌商皆計(jì)畫(huà)調(diào)降今年首季的出貨計(jì)畫(huà)，整體市場(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫(kù)存消化 (channel inventory digest)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示，受益于庫(kù)存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表，2月中起中國(guó)手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫(kù)存回補(bǔ)的需求。此外，中國(guó)智慧型手機(jī)營(yíng)運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率，針對(duì)數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度，也推升消費(fèi)者的購(gòu)買(mǎi)欲望。 　　TrendForce預(yù)估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠(chǎng) 28日動(dòng)工

  • 　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 　　這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購(gòu)多家國(guó)際大廠(chǎng)之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠(chǎng)案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。 　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
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SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出動(dòng)能

  • 　　SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)”報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  

大陸臺(tái)灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國(guó)最大DRAM廠(chǎng)

  • 　　還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠(chǎng)蠶食，爾必達(dá)于2012年申請(qǐng)破產(chǎn)、之后被美國(guó)美光(Micron)收購(gòu)，而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長(zhǎng)、在爾必達(dá)被美光收購(gòu)后就辭去社長(zhǎng)一職以示負(fù)責(zé)。不過(guò)坂本幸雄要開(kāi)始踏上復(fù)仇之路了，此次將攜手臺(tái)灣、中國(guó)大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠(chǎng)，力抗三星等廠(chǎng)商。 　　日經(jīng)新聞11日?qǐng)?bào)導(dǎo)，由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡(jiǎn)稱(chēng)SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠(chǎng)興建契約，Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
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韓廠(chǎng)欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠(chǎng)，將成為首間擁有DRAM工廠(chǎng)的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠(chǎng)三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠(chǎng)規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)

  • 　　中國(guó)紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠(chǎng)爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國(guó)合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國(guó)的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說(shuō)明。 　　臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購(gòu)后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國(guó)內(nèi)存市場(chǎng)，加上中國(guó)企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠(chǎng)欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠(chǎng)，將成為首間擁有DRAM工廠(chǎng)的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠(chǎng)三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠(chǎng)規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠(chǎng)第二階段增設(shè)恐延期

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠(chǎng)進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠(chǎng)，也使三星開(kāi)始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。 　　目前三星電子西安工廠(chǎng)只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來(lái)說(shuō)，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價(jià)格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

  • 　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過(guò)于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋(píng)果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠(chǎng)制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。 　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，
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中國(guó)如何撕開(kāi)存儲(chǔ)芯片壟斷圍欄？

  • 存儲(chǔ)芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場(chǎng)，我國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國(guó)家安全，意義重大。
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠(chǎng)，循華亞科模式

  • 　　大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠(chǎng)，并循當(dāng)年臺(tái)塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠(chǎng)，再邀請(qǐng)美光等國(guó)際大廠(chǎng)入股，解決技術(shù)授權(quán)問(wèn)題。 　　據(jù)了解，此計(jì)畫(huà)由前華亞科董事長(zhǎng)、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。 　　大陸官方自前年成立國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專(zhuān)利及矽智財(cái)都掌握前國(guó)際大廠(chǎng)手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán)，由
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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑

  • 　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示，臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng)，但去年增率卻是近三年來(lái)首見(jiàn)個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，也結(jié)束自2011年以來(lái)的上升走勢(shì)，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 　　臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長(zhǎng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷(xiāo)售成長(zhǎng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。 　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
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紫光計(jì)劃今年再收購(gòu)2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

  • 　　清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng)，接受彭博訪(fǎng)問(wèn)時(shí)坦承，由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過(guò)關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 　　他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 　　徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中，主攻DRAM的同方國(guó)芯，今年將投下約2000億人民幣，再買(mǎi)下兩家海外IC業(yè)者，但沒(méi)有透露可能購(gòu)并對(duì)象。 　　徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
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三星開(kāi)始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

  • 　　三星電子2016年1月19日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。 　　   　　HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 　　按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過(guò)TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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