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三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減

  • 　　三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對(duì)于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營(yíng)益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。 　　三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準(zhǔn)。 　　三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計(jì)將依照市場(chǎng)供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準(zhǔn)。
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請(qǐng)注意，這14類(lèi)IC今年會(huì)增長(zhǎng)迅速

  • 　　市場(chǎng)研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)報(bào)告發(fā)布更新，在該報(bào)告統(tǒng)計(jì)的33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類(lèi)別中，有14項(xiàng)產(chǎn)品類(lèi)別在今年的成長(zhǎng)率將超過(guò)2%，尤其是手機(jī)應(yīng)用處理器MPU與訊號(hào)轉(zhuǎn)換IC的成長(zhǎng)幅度居冠。 　　ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類(lèi)別在2020年以前的市場(chǎng)成長(zhǎng)。如圖1列出33項(xiàng)主要的IC產(chǎn)品類(lèi)別，分別以更新的2016年成長(zhǎng)率排名。ICInsights預(yù)測(cè)，今年將有14項(xiàng)產(chǎn)品類(lèi)別的成長(zhǎng)幅度超過(guò)2%—
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不影響DRAM市場(chǎng)結(jié)構(gòu)　公平會(huì)核準(zhǔn)美光購(gòu)并華亞科

  • 　　公平交易委員會(huì)于2016年4月13日第1,275次委員會(huì)議決議，核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過(guò)其子公司臺(tái)灣美光取得華亞科全部股權(quán)，向該會(huì)申報(bào)事業(yè)結(jié)合乙案，依公平交易法第13條第1項(xiàng)規(guī)定，不禁止其結(jié)合。 　　公平會(huì)表示，本案系屬公平法第10條第1項(xiàng)第2、5款之結(jié)合型態(tài)，又美商美光于相關(guān)市場(chǎng)之市占率達(dá)25%，符合公平法第11條第1項(xiàng)第2款規(guī)定之申報(bào)門(mén)檻，且無(wú)同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結(jié)合申報(bào)。 　　公平會(huì)表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光，故華亞科
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三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨(dú)活

  • 三星量產(chǎn)18nm DRAM，生產(chǎn)成本的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)拉大，就算DRAM價(jià)格繼續(xù) 下滑，其他業(yè)者陷入虧損，三星仍能維持獲利，這招比較狠。
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三星DRAM連霸24年　2015年市占寫(xiě)下45%新高

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市占率第一，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%，營(yíng)收突破200億美元，不但刷新自身紀(jì)錄，也成為存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。 　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營(yíng)收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長(zhǎng)9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營(yíng)收卻
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三星開(kāi)始量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM，采用ArF液浸四重曝光

  • 　　韓國(guó)三星電子2016年4月5日宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級(jí)工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 　　   　　此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(jí)(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲(chǔ)電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

  • 　　目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱(chēng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國(guó)市調(diào)公司IHS指，韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 　　三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 　　據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場(chǎng)所向披靡 手機(jī)份額萎縮

  • 　　三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告，結(jié)果一則以喜，一則以憂(yōu)，雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個(gè)營(yíng)收主力，也就是手機(jī)部門(mén)表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí)，三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則，營(yíng)運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上，有如此結(jié)果也不令人意外。 　　據(jù) 三星統(tǒng)計(jì)，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個(gè)百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板 等行動(dòng)產(chǎn)品減緩，但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場(chǎng)將持續(xù)成長(zhǎng)。除此之外，三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車(chē)對(duì)存儲(chǔ)器的需求展望。 　　在
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續(xù)5季衰退。 　　在DRAM與NAND Flash的平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)
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三星18納米DRAM投產(chǎn)　海力士、美光面臨更大壓力

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來(lái)在DRAM市場(chǎng)上，勢(shì)必將更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。 　　根據(jù)韓媒ETnews報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的價(jià)格越來(lái)越低，越快將成本壓到比下滑的市場(chǎng)價(jià)格更低的話(huà)，才有利潤(rùn)能剩下，若降低成本的速度太慢，就會(huì)產(chǎn)生赤字。以目前看來(lái)，2016年美光最需擔(dān)憂(yōu)的就是赤字問(wèn)題，因?yàn)槊拦鉀](méi)能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑

  • 　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元，對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。 　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%

  • 　　美國(guó)記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運(yùn)將有壓力。 　　受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營(yíng)收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元，每股凈損0.09美元。 　　美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價(jià)格或跌40%

  • 　　全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊(duì)的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過(guò)內(nèi)存市場(chǎng)今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%。 　　跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來(lái)感覺(jué)是越來(lái)越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠

  • 　　28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工，建成后將成為中國(guó)最大、最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國(guó)紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司，一時(shí)間中國(guó)半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國(guó)公司的威脅了。早在去年，紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購(gòu)美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。 　　中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購(gòu)已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購(gòu)美光不成功之后，大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
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無(wú)廠DRAM企業(yè)Sino King　意圖革新商業(yè)模式

  • 　　前日本爾必達(dá)(Elpida Memory)社長(zhǎng)坂本幸雄開(kāi)設(shè)IC設(shè)計(jì)公司Sino King Technology，指出目前半導(dǎo)體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強(qiáng)調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺(tái)積電。 　　而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類(lèi)公司，以研發(fā)高度客制化存儲(chǔ)器為重，不
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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