SEMI：未來臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)表示，過去五年，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加，不僅在晶圓代工和封裝測(cè)試市場(chǎng)的占有率有所提升，同時(shí)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)域亦見成長(zhǎng)。不僅如此，臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資，也將為后續(xù)幾年進(jìn)一步的發(fā)展而鋪路。

　　盡管世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測(cè)，2015和2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將各別小幅成長(zhǎng)3.4%，但臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長(zhǎng)，其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測(cè)試廠商的貢獻(xiàn)下，將為臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來更強(qiáng)勁的漲幅。尤其是晶圓代工廠在增加新產(chǎn)能以及設(shè)備投資方面都將領(lǐng)先其他廠商。

　　晶圓代工廠未來兩年的主要投資項(xiàng)目為快速建立14/16奈米產(chǎn)能，以及導(dǎo)入10奈米和10奈米以下技術(shù)。在DRAM廠方面，短期內(nèi)或許不會(huì)增加太多新產(chǎn)能，其投資焦點(diǎn)為20奈米技術(shù)的導(dǎo)入，并且調(diào)整產(chǎn)品組合來配合行動(dòng)市場(chǎng)。至于封裝測(cè)試廠商則是積極投資先進(jìn)封裝技術(shù)，如：晶圓級(jí)封裝、銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)以及行動(dòng)與穿戴式應(yīng)用所需的其他封裝技術(shù)。

　　2015和2016年，臺(tái)灣前段晶圓廠整體投資預(yù)計(jì)將達(dá)120億美元之規(guī)模。晶圓代工廠在技術(shù)和產(chǎn)能投資的帶動(dòng)下，從2012年起每年的投資金額皆逾90億美元。至于DRAM產(chǎn)業(yè)，在價(jià)格環(huán)境有利與技術(shù)轉(zhuǎn)移需求的雙重因素下，2014年臺(tái)灣DRAM晶圓廠的支出開始復(fù)蘇，并預(yù)期將維持成長(zhǎng)至2016年。

　　臺(tái)灣12寸(300mm)晶圓廠亦出現(xiàn)類似的趨勢(shì)。過去幾年，晶圓代工廠不斷增加新的產(chǎn)能，自2012至2016年的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為8.8%。反觀記憶體市場(chǎng)，在過去幾年因2010年初期晶圓廠關(guān)閉與產(chǎn)品組合變化的關(guān)系而呈現(xiàn)微幅衰退。短期內(nèi)DRAM產(chǎn)能的下滑反映了技術(shù)轉(zhuǎn)移期間的產(chǎn)能損失。

　　SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示：“盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2015年第二季因庫存調(diào)整與PC銷售量不佳而出現(xiàn)短期的修正，但我們認(rèn)為整體產(chǎn)業(yè)在2015下半年應(yīng)該會(huì)逐漸穩(wěn)定回溫。同樣的，臺(tái)灣在下半年也將看到類似的趨勢(shì)。在行動(dòng)晶片市場(chǎng)高滲透率與大量出貨量的情況下，臺(tái)灣也將感受到行動(dòng)化時(shí)代的成長(zhǎng)動(dòng)能。在制造規(guī)模與科技成熟的有利條件下，臺(tái)灣早已準(zhǔn)備迎接未來IoT時(shí)代的來臨。”