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庫存穩(wěn)步上升 DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報，需求增長乏力和增長前景黯淡，已在困擾DRAM產(chǎn)業(yè)，如今又面臨庫存急劇上升的問題。庫存勁增可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑。 　　第三季度IHS iSuppli DRAM庫存指數(shù)為12.75周，如圖2所示。這比第二季度的9.8周激增了30.8%，是2010年第一季度6.1周的兩倍以上。該庫存指數(shù)在2010年第一季度降至近期低位。第三季度庫存指數(shù)也明顯高于9.23周的長期平均水平。 　　DRAM庫存指數(shù)用于衡量每個季度末的庫存金額相對于當(dāng)季銷售額的情況。該指
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美光科技連續(xù)第二財季虧損

  • 　　北京時間12月22日早間消息，美國第一大電腦存儲芯片廠商美光科技周三發(fā)布公告稱，由于PC需求疲軟導(dǎo)致存儲芯片價格下滑，該公司連續(xù)第二財季虧損。 　　在截至12月1日的第一財季內(nèi)，美光科技凈虧損1.87億美元，折合每股虧損0.19美元，去年同期實現(xiàn)凈利潤1.55億美元，折合每股收益0.15美元;實現(xiàn)營業(yè)收入20.9億美元，同比下滑7.2%。分析師此前平均預(yù)計該公司每股虧損0.08美元，營業(yè)收入為21.2億美元。 　　美國投資公司Raymond James & Associates分析師漢斯&
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直接總線式DRAM的信號連接

  • DirectRambusDRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以...
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英特爾今年市場份額提升至15.9%

  • 　　iSuppli近日發(fā)布報告稱，在領(lǐng)先優(yōu)勢連續(xù)3年縮小后，英特爾今年有望重新鞏固全球半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)地位。 　　據(jù)iSuppli測算，英特爾今年有望實現(xiàn)497億美元銷售收入，較2010年增長23%。得益于自身的強(qiáng)勁表現(xiàn)和對英飛凌無線業(yè)務(wù)的收購，英特爾今年的增速有望超過市場整體水平，份額則從去年的13.2%提升至15.9%。 　　按照這一數(shù)據(jù)計算，英特爾將領(lǐng)先排名第二的三星6.5個百分點。此前三年，該公司的領(lǐng)先優(yōu)勢一直在不斷縮小，從2008年領(lǐng)先三星6.5個百分點，到去年僅領(lǐng)先3.9個百分點。 　　
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英特爾今年全球半導(dǎo)體市場份額將達(dá)15.9%

  • 　　美國市場研究公司iSuppli周四發(fā)布報告稱，在領(lǐng)先優(yōu)勢連續(xù)3年縮小后，英特爾今年有望重新鞏固全球半導(dǎo)體市場的主導(dǎo)地位。據(jù)iSuppli測算，英特爾今年有望實現(xiàn)497億美元銷售收入，較2010年增長23%。得益于自身的強(qiáng)勁表現(xiàn)和對英飛凌無線業(yè)務(wù)的收購，英特爾今年的增速有望超過市場整體水平，份額則從去年的13.2%提升至15.9%。 　　按照這一數(shù)據(jù)計算，英特爾將領(lǐng)先排名第二的三星6.5個百分點。此前三年，該公司的領(lǐng)先優(yōu)勢一直在不斷縮小，從2008年領(lǐng)先三星6.5個百分點，到去年僅領(lǐng)先3.9個百分點。
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ipad銷售與DRAM價格冰火兩重天

  • 　　據(jù)《彭博社》統(tǒng)計，日本爾必達(dá)、韓國海力士還有數(shù)不清的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)制造商過去 3 年總共損失 140 億美元;而調(diào)研機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 才剛推估這些內(nèi)存公司先前因看好成長前景，挹注 370 億美元興土木蓋工廠。 　　本月，隨著個人計算機(jī)(PC)出貨量未能達(dá)到分析師的預(yù)測， DRAM 價格跌到歷史低點;而 iPad 銷售則達(dá)到破紀(jì)錄的 1110 萬臺。 　　三星電子研發(fā)應(yīng)用在智能型手機(jī)、平板計算機(jī)和服務(wù)器的特殊芯片，以多元經(jīng)營突破困局站上獲利高峰。DRAM 廠商看著這家企業(yè)
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華東科技將收購爾必達(dá)EBS特別股

  • 　　臺灣地區(qū)記憶體封測廠華東科技出資37.5億日圓，收購日本DRAM大廠爾必達(dá)旗下子公司EBS特別股，預(yù)計在十二月中完成交易。 　　華東公布重大訊息表示，該公司以每股五十萬日圓收購EBS的特別股，共計七千五百股，換算新臺幣約十四.七二億元，將在年底前完成付款。華東與爾必達(dá)長期合作關(guān)系良好，華東營收有九成五來自DRAM封測，主要客戶包括爾必達(dá)、南科及華邦。華東表示此次收購主要是強(qiáng)化與爾必達(dá)的策略聯(lián)盟。 　　過去半年，全球DRAM景氣低迷，價格下滑了近五十%，再加上日圓升值的沖擊，爾必達(dá)的財務(wù)狀況也隨之惡
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DRAM價格十一月繼續(xù)走低

  • 　　根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受到泰國水患影響硬盤供應(yīng)鏈，以及正逢P(guān)C步入淡季，DRAM 11月下旬合約價再跌，DDR3 4GB跌幅約7.9%，2GB跌幅近7.3%，雖然南科與爾必達(dá)宣布減產(chǎn)，但投片到產(chǎn)出需2個月的時間，因此效果要到明年第1季才有機(jī)會浮現(xiàn)。 　　集邦科技指出，由于11月份PC-OEM買貨意愿不高，甚至傳出部分訂單被取消，DRAM廠在出貨壓力下，只好再降價銷售，DRAM 11月下旬合約價公布，DDR3 4GB均價來到17.5美元，跌幅約7.9%，DDR3 2G
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盧超群：臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)發(fā)展更多有兼職的產(chǎn)品

  • 　　DRAM設(shè)計鈺創(chuàng)董事長盧超群近日表示，DRAM產(chǎn)業(yè)確實遇到許多瓶頸，不過在未來世代，記憶體還是很重要的產(chǎn)品之一，DRAM產(chǎn)業(yè)仍有發(fā)展前景，不過要思考誰能在產(chǎn)業(yè)中獲利，而臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)要能與韓國三星競爭，最重要的還是要拓展更多價值型的DRAM，如Mobile DRAM與Graphic DRAM產(chǎn)品，減少在大量型DRAM的比重，同時產(chǎn)官學(xué)也需引領(lǐng)一個新秩序，產(chǎn)業(yè)才有持續(xù)發(fā)展的機(jī)會。 　　盧超群表示，未來的IC將走向堆迭模式，臺積電也積極開發(fā)3D IC的技術(shù)，打算把CPU與記憶體等重要元件堆迭在一顆IC
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三星與美光在DRAM市場低迷之際表現(xiàn)出色

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報，DRAM市場第三季度形勢困難，但幾家廠商和表現(xiàn)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)整體水平，占市場營業(yè)收入的份額略有增長，尤其是韓國三星電子和美國美光。 　　總體來看，排名前8的廠商第三季度合計占有97.6%的DRAM市場，與第二季度時的97.4%相差很小。但是，合計營業(yè)收入降到66億美元，比第二季度時的80億美元減少了18.5%，如表1所示。與此同時，由于價格下滑23.0%，整體產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入環(huán)比亦下降15.8%，降至68億美元。 　　盡管第三季度形勢低迷，但還是有兩個明顯的
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2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

  • 　　2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下，今年五家動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)大廠，則受市況不佳影響，表現(xiàn)大不如前，估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長，其余均是下跌走勢，其中，爾必達(dá)(Elpida)營收衰退幅度恐高達(dá)39%
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半導(dǎo)體商營收兩樣情 通訊旺DRAM衰

  • 　　2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下，今年五家動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)大廠，則受市況不佳影響，表現(xiàn)大不如前，估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長，其余均是下跌走勢，其中，爾必達(dá)(Elpida)營收衰退幅度恐高達(dá)39%
  • 關(guān)鍵字： 高通  DRAM  

蘭巴斯告美光操縱DRAM價導(dǎo)致其股價暴跌

  • 　　蘭巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)與海力士(Hynix)共謀阻止其記憶芯片成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的官司失利，16日股價一度暴跌78%。 　　蘭巴斯指稱美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法，串通操縱DRAM價格，但舊金山的加州高等法院法官16日以九票對三票駁回這項指控。 　　蘭巴斯16日午盤股價最多暴跌14.04美元，以每股4美元成交，跌幅高達(dá)78%，收盤時回升到7.11美元，但跌幅仍達(dá)60.6%。美光股票則飆升23.4%，以6.74美元收盤;海力士股價17日在首爾股市則漲3.8%，收每
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內(nèi)存殤：臺系DRAM廠年內(nèi)或凈虧近千億

  • 　　近日有業(yè)內(nèi)媒體消息透露，包括力晶科技、南亞科技、華亞科技以及茂德科技在內(nèi)的臺系四大DRAM芯片制造商2011年或?qū)⒃馐苤卮筇潛p。據(jù)消息透露，臺系四大DRAM制造商2011年最終將可能遭受總額超過800億新臺幣的凈虧損，這一數(shù)字距離千億級別僅一步之遙，約折合26.7億美元。 　　該消息同時還指出，僅力晶科技、南亞科技以及華亞科技三大DRAM制造商，2011年前三個季度的凈虧損額累計就達(dá)到了約570億新臺幣，這其中還未包含茂德科技。原本今年的DRAM行業(yè)情況就已經(jīng)相當(dāng)糟糕，而近期以來泰國洪災(zāi)的影響更是
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力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

  • 　　力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科，臺廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè)，才有一起得救的機(jī)會;再者，他也暗示面板業(yè)資金借貸遠(yuǎn)比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大，是政府和市場要重視之處。 　　力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas)，早期幫是做代工，后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶，力
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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