首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> dram

傳爾必達(dá)放棄入股茂德的合作案

  • 　　日經(jīng)新聞12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第3大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)已放棄和全球第7大DRAM廠茂德就加強(qiáng)合作關(guān)系的談判。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)于去年秋天就和臺(tái)灣當(dāng)局及臺(tái)灣銀行團(tuán)針對(duì)包含入股茂德等方案在內(nèi)的救濟(jì)對(duì)策進(jìn)行協(xié)商，惟未能獲得共識(shí)，故爾必達(dá)決議放棄和財(cái)務(wù)體質(zhì)惡化風(fēng)險(xiǎn)高的茂德進(jìn)行合作談判，轉(zhuǎn)而將資源集中于具成長(zhǎng)性的行動(dòng)裝置用DRAM事業(yè)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 傳爾必  DRAM  

爾必達(dá)開(kāi)發(fā)25納米DRAM

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉在三星主要首長(zhǎng)團(tuán)會(huì)議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開(kāi)表示已開(kāi)發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

茂德6日起分盤(pán)交易　私募對(duì)象指向爾必達(dá)

  • 　　臺(tái)系DRAM廠茂德由于凈值已低于股本10分之3，且會(huì)計(jì)師出具「繼續(xù)經(jīng)營(yíng)假設(shè)有重大疑慮」之核閱報(bào)告，柜買(mǎi)中心在完成2010年和2011年第1季財(cái)報(bào)審閱后，將茂德從5月6月開(kāi)始列為分盤(pán)交易處置;再者，茂德已決議辦理私募，市場(chǎng)認(rèn)為引進(jìn)技術(shù)合作伙伴爾必達(dá)(Elpida)機(jī)率最高。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  WiMAX  

臺(tái)當(dāng)局否決出資整并DRAM產(chǎn)業(yè)

  • 　　針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpida)合作，以及與美商美光(Micron)合作，而且是集成不是整并，政府并沒(méi)有要出資整并多家DRAM廠成為1家公司規(guī)劃。 　
  • 關(guān)鍵字： 金士頓  DRAM  

爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。 　　爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  30nm  DRAM  

孫大衛(wèi)：三星威脅臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)

  • 　　面對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢(shì)力節(jié)節(jié)敗退，存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示，如果政府什么事都不做，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有未來(lái)，且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會(huì)面臨威脅，包括面板、晶圓代工等，因?yàn)橐耘_(tái)灣中小企業(yè)特性遇上三星，就象是單兵對(duì)上大軍團(tuán)，未來(lái)每個(gè)指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)恐被各個(gè)擊破。　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

分析顯示全球半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年均增長(zhǎng)將達(dá)9%

  • 　　印度市場(chǎng)調(diào)研公司RNCOSE-Services近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告稱(chēng)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2011-2013年的復(fù)合年均增長(zhǎng)率將達(dá)9%，電腦和手機(jī)將是半導(dǎo)體銷(xiāo)量增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。 　　
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  

智能手機(jī)和平板電腦需求急增 爾必達(dá)上年度營(yíng)益增加30%

  • 　　日經(jīng)新聞日前報(bào)導(dǎo)，日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財(cái)報(bào)顯示本業(yè)獲利狀況的合并營(yíng)益可望較前一年度(2009年度)勁揚(yáng)30%至350億日?qǐng)A，主因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)、平板產(chǎn)品需求急增帶動(dòng)Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長(zhǎng)，加上制程細(xì)微化令成本有效獲得刪減。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)上年度合并營(yíng)收預(yù)估將年增9%至5,100億日?qǐng)A，顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日?qǐng)A水平。 　　報(bào)導(dǎo)指出，2011年1-3月期間因PC用DRAM價(jià)格低迷導(dǎo)致
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  智能手機(jī)  DRAM  

爾必達(dá)2010年度營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%

  • 　　受惠于平板計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺，且制程推進(jìn)有助于撙節(jié)成本，爾必達(dá)(Elpida)2010會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%，達(dá)350億日?qǐng)A(約4.2億美元);而該季營(yíng)收約可達(dá)5,100億日?qǐng)A，年增率為9%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DRAM合約價(jià)成功調(diào)漲

  • 　　在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動(dòng)，4月DRAM合約價(jià)漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計(jì)4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報(bào)價(jià)回升至2美元，預(yù)計(jì)2GB模塊報(bào)價(jià)回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問(wèn)題持續(xù)，預(yù)計(jì)5、6月可順利回升至此價(jià)位?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： 硅晶圓  DRAM  

海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì)，社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。 　
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的預(yù)測(cè)，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的預(yù)測(cè)，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

日本地震或使全球芯片銷(xiāo)售收入提高7%

  • 　　研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli表示，由于日本地震導(dǎo)致該國(guó)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)減少之后推動(dòng)價(jià)格走高，預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將增長(zhǎng)7%至3,250億美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片  DRAM  
共1829條 71/122 |‹ « 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473