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臺(tái)當(dāng)局否決出資整并DRAM產(chǎn)業(yè)

  • 　　針對(duì)存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺(tái)幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，政府對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpida)合作，以及與美商美光(Micron)合作，而且是集成不是整并，政府并沒(méi)有要出資整并多家DRAM廠成為1家公司規(guī)劃。 　
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爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。 　　爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM
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孫大衛(wèi)：三星威脅臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)

  • 　　面對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢(shì)力節(jié)節(jié)敗退，存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示，如果政府什么事都不做，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有未來(lái)，且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會(huì)面臨威脅，包括面板、晶圓代工等，因?yàn)橐耘_(tái)灣中小企業(yè)特性遇上三星，就象是單兵對(duì)上大軍團(tuán)，未來(lái)每個(gè)指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)恐被各個(gè)擊破。　
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分析顯示全球半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年均增長(zhǎng)將達(dá)9%

  • 　　印度市場(chǎng)調(diào)研公司RNCOSE-Services近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告稱，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2011-2013年的復(fù)合年均增長(zhǎng)率將達(dá)9%，電腦和手機(jī)將是半導(dǎo)體銷(xiāo)量增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。 　　
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智能手機(jī)和平板電腦需求急增 爾必達(dá)上年度營(yíng)益增加30%

  • 　　日經(jīng)新聞日前報(bào)導(dǎo)，日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財(cái)報(bào)顯示本業(yè)獲利狀況的合并營(yíng)益可望較前一年度(2009年度)勁揚(yáng)30%至350億日?qǐng)A，主因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)、平板產(chǎn)品需求急增帶動(dòng)Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長(zhǎng)，加上制程細(xì)微化令成本有效獲得刪減。報(bào)導(dǎo)指出，爾必達(dá)上年度合并營(yíng)收預(yù)估將年增9%至5,100億日?qǐng)A，顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日?qǐng)A水平。 　　報(bào)導(dǎo)指出，2011年1-3月期間因PC用DRAM價(jià)格低迷導(dǎo)致
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爾必達(dá)2010年度營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%

  • 　　受惠于平板計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺，且制程推進(jìn)有助于撙節(jié)成本，爾必達(dá)(Elpida)2010會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%，達(dá)350億日?qǐng)A(約4.2億美元);而該季營(yíng)收約可達(dá)5,100億日?qǐng)A，年增率為9%。 　　
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DRAM合約價(jià)成功調(diào)漲

  • 　　在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動(dòng)，4月DRAM合約價(jià)漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計(jì)4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報(bào)價(jià)回升至2美元，預(yù)計(jì)2GB模塊報(bào)價(jià)回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問(wèn)題持續(xù)，預(yù)計(jì)5、6月可順利回升至此價(jià)位?！　?/li>
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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì)，社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。 　
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iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的預(yù)測(cè)，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的預(yù)測(cè)，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

日本地震或使全球芯片銷(xiāo)售收入提高7%

  • 　　研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli表示，由于日本地震導(dǎo)致該國(guó)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)減少之后推動(dòng)價(jià)格走高，預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將增長(zhǎng)7%至3,250億美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片  DRAM  

分析稱日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入

  • 　　4月6日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，有分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入。 　　受到3月11日日本地震和海嘯的影響，芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈遭到一定破壞，這導(dǎo)致了芯片價(jià)格的上漲，根據(jù)分析機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的預(yù)測(cè)，并將可能影響全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入，可能使之環(huán)比去年上漲7%，而之前預(yù)測(cè)的數(shù)值是5.8%?！?/li>
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LPDDR2內(nèi)存統(tǒng)治移動(dòng)內(nèi)存芯片

  • 　　據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli稱，由于智能手機(jī)和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序，新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片占整個(gè)移動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的份額將增加。iSuppli稱，LPDDR2（低功率雙數(shù)據(jù)速率2）內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動(dòng)DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末，LPDDR2移動(dòng)內(nèi)存占移動(dòng)內(nèi)存的市場(chǎng)份額將從第一季度的31%提高到40%。　
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OEM廠備貨 將拉高DRAM上旬合約價(jià)

  • 　　雖然日本強(qiáng)震導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈供貨不順，但是因各家計(jì)算機(jī)大廠手中仍有1-2個(gè)月庫(kù)存，所以4月及5月份計(jì)算機(jī)出貨仍沒(méi)有太大問(wèn)題，由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復(fù)正常供貨量，OEM廠已開(kāi)始放大英特爾Sandy Bridge平臺(tái)出貨。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

  • 　　韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長(zhǎng)線來(lái)看，日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清，目前市場(chǎng)買(mǎi)盤(pán)多是邊走邊看，沒(méi)有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。 　　
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  NAND Flash  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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