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合約價跌跌不休 DRAM廠恐啟動減產(chǎn)機制

  • 　　目前各DRAM廠雖無積極擴產(chǎn)，不過在加速制程轉(zhuǎn)換下，使得產(chǎn)出量大為提升，而隨著2Gb價格來到現(xiàn)金成本，大部分DRAM廠財務(wù)狀況與現(xiàn)金水位都尚未回復(fù)至金融風(fēng)暴前的水平，以及下半年P(guān)C內(nèi)存搭載未顯著提升、加上全球經(jīng)濟衰退疑慮下，集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange指出，全球DRAM廠啟動減產(chǎn)機制的可能性將大增。 　
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  DRAM  

DRAM報價直落 爾必達逆勢大舉募資

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動裝置用存儲器的技術(shù)投資。不過由于爾必達這次在市場景氣低迷之際，進行如此大規(guī)模的募資行動，也引發(fā)市場不小爭議。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。 　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  納米  

爾必達擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

  • 　　據(jù)路透社報道，世界第三大芯片制造商日本爾必達公司近日計劃發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了更為有利可圖的智能手機芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
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DRAM錢坑 臺塑集團進退兩難

  • 　　聯(lián)電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事;存儲器業(yè)界則認為，臺塑集團雖然資金實力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投錢集成，也未必拼得過韓廠，而臺塑集團這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒有得到等值回報，或許茂德財務(wù)狀況圓滿解決后，有非常劃算的機會可取，臺塑才會考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢集成，臺塑意愿恐怕不大。
  • 關(guān)鍵字： 臺塑  DRAM  

存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  光刻  

茂德再度減資85%

  • 　　茂德再度啟動2次減資計劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會中再度通過減資85%，預(yù)計將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進策略性投資人，市場屢次點名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團，再度被提出來討論。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

  • 　　最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： Inotera  DRAM  

存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。 　　雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  

傳世界先進有意投資茂德中科12吋廠

  • 　　茂德申請負債降息暫化解當(dāng)前財務(wù)危機后，引進新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個出價者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進出價新臺幣100億元，想買茂德12吋廠，且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許，主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢，世界先進可趁此機會撿便宜。不過，茂德和世界先進對此事都予以否認?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺灣DRAM廠

  • 　　瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片，成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機臺等?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預(yù)計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發(fā)時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 封裝  DRAM  

華芯預(yù)計內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露，預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華芯  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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