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半導體商營收兩樣情 通訊旺DRAM衰
- 2011年半導體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預估,2011年全球半導體市場產(chǎn)值成長率僅達2%,但受惠今年智慧型手機和平板等行動裝置熱銷,高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下,今年五家動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)大廠,則受市況不佳影響,表現(xiàn)大不如前,估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長,其余均是下跌走勢,其中,爾必達(Elpida)營收衰退幅度恐高達39%
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內(nèi)存殤:臺系DRAM廠年內(nèi)或凈虧近千億
- 近日有業(yè)內(nèi)媒體消息透露,包括力晶科技、南亞科技、華亞科技以及茂德科技在內(nèi)的臺系四大DRAM芯片制造商2011年或?qū)⒃馐苤卮筇潛p。據(jù)消息透露,臺系四大DRAM制造商2011年最終將可能遭受總額超過800億新臺幣的凈虧損,這一數(shù)字距離千億級別僅一步之遙,約折合26.7億美元。 該消息同時還指出,僅力晶科技、南亞科技以及華亞科技三大DRAM制造商,2011年前三個季度的凈虧損額累計就達到了約570億新臺幣,這其中還未包含茂德科技。原本今年的DRAM行業(yè)情況就已經(jīng)相當糟糕,而近期以來泰國洪災的影響更是
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力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑 臺廠勿再死守DRAM
- 力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時,也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷,同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科,臺廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè),才有一起得救的機會;再者,他也暗示面板業(yè)資金借貸遠比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大,是政府和市場要重視之處。 力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas),早期幫是做代工,后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶,力
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爾必達計劃調(diào)整4方向以提升獲利能力
- 日廠爾必達(Elpida)現(xiàn)居全球第3大DRAM廠地位,DIGITIMES Research觀察其2011年第3季營運表現(xiàn),不僅營收僅641億日圓,為近7季最低水平,且營業(yè)損失與凈損更分別擴大至447億日圓與489億日圓,為近4季最大虧損金額,主因該季平均銷售單價(Average Selling Price;ASP)較第2季大幅下滑37%所致。 DIGITIMES Research分析,為改善虧損狀況,爾必達計劃自順應市場動向、降低成本、調(diào)整生產(chǎn)體制,及運用智財權(quán)優(yōu)勢等4方面著手提升獲利能力。
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三星總裁稱泰國洪災對DRAM市場產(chǎn)生不利影響
- 據(jù)外國媒體報道,三星電子總裁近日宣稱,預計泰國洪災將會對個人電腦(PC)產(chǎn)量產(chǎn)生巨大沖擊,并將由此進一步?jīng)_擊計算機芯片市場,而且這種沖擊形成的不利局面可能要到明年第一季度才會好轉(zhuǎn)。 三星作為全球第二大個人電腦元件制造商,未能規(guī)避洪災的影響。自7月份以來的洪災重創(chuàng)了三星硬盤驅(qū)動(HDD)的產(chǎn)量,并進一步給整個個人電腦行業(yè)帶來了恐慌。特別是在全球整體經(jīng)濟增長緩慢以及個人電腦面臨智能手機和平板電腦等 產(chǎn)品威脅的形勢之下,這種洪災對個人電腦產(chǎn)生的不利影響也就不言而喻。 三星是全球頂級的DRAM(動
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DRAM續(xù)唱悲歌 臺系3大廠3Q虧損達256億元
- DRAM廠第3季財報陸續(xù)公布,在價格崩盤、減產(chǎn)導致出貨減少下,各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴大,南亞科和華亞科合計單季虧損將近新臺幣190億元,力晶第3季則虧損66.63億元,對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市,南亞科釋出悲觀訊息表示,近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達龍頭廠日本電廠(Nidec),客戶對于11、12月訂單仍在評估中,最悲觀的情況是對2012年1、2月需求產(chǎn)生沖擊,讓DRAM市場更加疲軟。 南亞科2011年第3季自行營收73.23億元,較上季減少約36%,營業(yè)凈損98.2億元,稅后虧損119.63億元
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dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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