首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

半導體商營收兩樣情 通訊旺DRAM衰

  •   2011年半導體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預估,2011年全球半導體市場產(chǎn)值成長率僅達2%,但受惠今年智慧型手機和平板等行動裝置熱銷,高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下,今年五家動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)大廠,則受市況不佳影響,表現(xiàn)大不如前,估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長,其余均是下跌走勢,其中,爾必達(Elpida)營收衰退幅度恐高達39%
  • 關(guān)鍵字: 高通  DRAM  

蘭巴斯告美光操縱DRAM價導致其股價暴跌

  •   蘭巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)與海力士(Hynix)共謀阻止其記憶芯片成為業(yè)界標準的官司失利,16日股價一度暴跌78%。   蘭巴斯指稱美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法,串通操縱DRAM價格,但舊金山的加州高等法院法官16日以九票對三票駁回這項指控。   蘭巴斯16日午盤股價最多暴跌14.04美元,以每股4美元成交,跌幅高達78%,收盤時回升到7.11美元,但跌幅仍達60.6%。美光股票則飆升23.4%,以6.74美元收盤;海力士股價17日在首爾股市則漲3.8%,收每
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

內(nèi)存殤:臺系DRAM廠年內(nèi)或凈虧近千億

  •   近日有業(yè)內(nèi)媒體消息透露,包括力晶科技、南亞科技、華亞科技以及茂德科技在內(nèi)的臺系四大DRAM芯片制造商2011年或?qū)⒃馐苤卮筇潛p。據(jù)消息透露,臺系四大DRAM制造商2011年最終將可能遭受總額超過800億新臺幣的凈虧損,這一數(shù)字距離千億級別僅一步之遙,約折合26.7億美元。   該消息同時還指出,僅力晶科技、南亞科技以及華亞科技三大DRAM制造商,2011年前三個季度的凈虧損額累計就達到了約570億新臺幣,這其中還未包含茂德科技。原本今年的DRAM行業(yè)情況就已經(jīng)相當糟糕,而近期以來泰國洪災的影響更是
  • 關(guān)鍵字: 力晶科技  DRAM  

力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑 臺廠勿再死守DRAM

  •   力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時,也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷,同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科,臺廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè),才有一起得救的機會;再者,他也暗示面板業(yè)資金借貸遠比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大,是政府和市場要重視之處。   力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas),早期幫是做代工,后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶,力
  • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

機頂盒將失去對DRAM市場的影響力

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM研究報告,盡管其DRAM含量不斷增加,但機頂盒在DRAM市場中的份額未來幾年將進一步下降。   按比特出貨量計算,2010年機頂盒(STB)使用的DRAM所占份額為1.06%,今年將降到0.97%。除了2014年預計出現(xiàn)短暫反彈,機頂盒占DRAM市場的份額隨后將繼續(xù)下滑,到2015年將只有0.76%。   然而,機頂盒產(chǎn)業(yè)的DRAM比特出貨量不斷增加,預計明年將達到2.796億Gb,到2015年底預計達到6.646億Gb。每臺機頂盒使用的DRAM數(shù)量也將不斷增
  • 關(guān)鍵字: 機頂盒  DRAM  

爾必達計劃調(diào)整4方向以提升獲利能力

  •   日廠爾必達(Elpida)現(xiàn)居全球第3大DRAM廠地位,DIGITIMES Research觀察其2011年第3季營運表現(xiàn),不僅營收僅641億日圓,為近7季最低水平,且營業(yè)損失與凈損更分別擴大至447億日圓與489億日圓,為近4季最大虧損金額,主因該季平均銷售單價(Average Selling Price;ASP)較第2季大幅下滑37%所致。   DIGITIMES Research分析,為改善虧損狀況,爾必達計劃自順應市場動向、降低成本、調(diào)整生產(chǎn)體制,及運用智財權(quán)優(yōu)勢等4方面著手提升獲利能力。
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  

三星總裁稱泰國洪災對DRAM市場產(chǎn)生不利影響

  •   據(jù)外國媒體報道,三星電子總裁近日宣稱,預計泰國洪災將會對個人電腦(PC)產(chǎn)量產(chǎn)生巨大沖擊,并將由此進一步?jīng)_擊計算機芯片市場,而且這種沖擊形成的不利局面可能要到明年第一季度才會好轉(zhuǎn)。   三星作為全球第二大個人電腦元件制造商,未能規(guī)避洪災的影響。自7月份以來的洪災重創(chuàng)了三星硬盤驅(qū)動(HDD)的產(chǎn)量,并進一步給整個個人電腦行業(yè)帶來了恐慌。特別是在全球整體經(jīng)濟增長緩慢以及個人電腦面臨智能手機和平板電腦等 產(chǎn)品威脅的形勢之下,這種洪災對個人電腦產(chǎn)生的不利影響也就不言而喻。   三星是全球頂級的DRAM(動
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

爾必達記憶體維持財年資本支出計劃在800億日圓不變

  •   日本最大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)生產(chǎn)商爾必達記憶體(Elpida Memory)近日稱,維持截至3月財年800億日圓(11億美元)的資本支出計劃不變.   該公司稱,預計當前季度記憶體芯片出貨量將增長約5%,上季增幅為16%.   其并稱,若日圓保持當前水準,將在籌備工作完成後把日本廣島工廠的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺灣瑞晶電子.   該公司表示,預計10-12月移動設備芯片出貨量持平,明年1-3月跳漲.   爾必達記憶體是排在三星電子和海力士半導體之後的全球第三大DRAM生產(chǎn)商。
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  

福懋科成Ultrabook最大受惠

  •   英特爾帶領(lǐng)全球ODM/OEM計算機大廠推出超輕薄筆電Ultrabook,記憶體架構(gòu)不再采用DRAM模塊,而是改成將DRAM顆粒直接打在主板上的「板載DRAM(DRAM On Board)」,DRAM顆粒良品率就成為DRAM廠能否接到訂單最大關(guān)鍵。南科(2408)及美光陣營已是臺、美、日計算機廠DRAM顆粒直接供貨商,旗下封測廠福懋科(8131)躍居良品率測試重鎮(zhèn),并成為Ultrabook架構(gòu)改變下的最大受惠者?! ?/li>
  • 關(guān)鍵字: 福懋科  Ultrabook  DRAM  

DRAM在PC中的增長遇阻

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM研究報告,2011年以及隨后四年,DRAM在PC中的增長將急劇放緩,這主要是因為英特爾推出超薄便攜電腦以及云計算服務的發(fā)展。PC是使用DRAM的傳統(tǒng)大戶。   
  • 關(guān)鍵字: 筆記本電腦  DRAM  

DRAM續(xù)唱悲歌 臺系3大廠3Q虧損達256億元

  •   DRAM廠第3季財報陸續(xù)公布,在價格崩盤、減產(chǎn)導致出貨減少下,各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴大,南亞科和華亞科合計單季虧損將近新臺幣190億元,力晶第3季則虧損66.63億元,對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市,南亞科釋出悲觀訊息表示,近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達龍頭廠日本電廠(Nidec),客戶對于11、12月訂單仍在評估中,最悲觀的情況是對2012年1、2月需求產(chǎn)生沖擊,讓DRAM市場更加疲軟。   南亞科2011年第3季自行營收73.23億元,較上季減少約36%,營業(yè)凈損98.2億元,稅后虧損119.63億元
  • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  

DRAM虧不完 想要政府伸手口難開

  •   據(jù)集邦科技訊 高科技產(chǎn)業(yè)在進入第四季之后,不少產(chǎn)業(yè)別因訂單減少,或是市場報價低于成本,而出現(xiàn)無薪假的傳聞。但DRAM業(yè)則是早已虧損累累,如果再面臨景氣衰退,業(yè)界擔心DRAM將不知何去何從!盡管有業(yè)界還是希望政府伸援手,卻不見有人開口,因為兩年多前政府所提的救DRAM方案,因為報價回升,業(yè)界很快就忘了虧損,也不愿配合自救方案,當時接受政府委托出面成立臺灣創(chuàng)新內(nèi)存公司的宣明智,最后是白忙一場。
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  DRAM  

2011年全球半導體市場仍可望有4.2%的成長

  •   資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)表示, 2011年全球半導體市場成長動能減緩,在日本 311大地震的影響下,半導體市場出現(xiàn)較為異常的波動,再加上歐美債務危機沖擊,導致第三季出現(xiàn)旺季不旺與季衰退的現(xiàn)象,也使得下半年產(chǎn)業(yè)能見度減低,預估半導體產(chǎn)業(yè)受外部不確定性因素高度影響的現(xiàn)象將延續(xù)至2012年上半年。  
  • 關(guān)鍵字: 晶圓代工  DRAM  

2011年智能手機DRAM市場遽增164%

  • 2011年使用在智能手機的DRAM需求急增,比2010年增加164.4%,反觀2011年整體DRAM市場增加率不過50%,智能手機DRAM的消費需求增加率,是一般DRAM市場成長速度的3倍。
  • 關(guān)鍵字: 智能手機  DRAM  

平板電腦領(lǐng)域DRAM增長潛力將大于PC和智能手機

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)報告,蘋果iPad等平板電腦將是DRAM市場的下一個重要增長領(lǐng)域,未來幾個季度DRAM在平板電腦領(lǐng)域的增長將最為迅速,超過PC和智能手機領(lǐng)域。  
  • 關(guān)鍵字: 蘋果  平板電腦  DRAM  
共1829條 65/122 |‹ « 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 » ›|

dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473