華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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DRAM NAND
由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
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存儲器 DRAM NAND Flash
近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產業(yè)帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
存儲模組大廠威剛認為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場庫存水位較低，看好DRAM價格回溫時間可望早于NAND
Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇，第一季DRAM與NAND
Flash合約價仍有小幅下跌壓力，但存儲器中下游業(yè)者庫存調整已歷經近一年時間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲器價格明確落底，市場備貨需求將可望快速啟動，加速產業(yè)供需平衡。威剛預估，第一季營收走勢可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認為，DRAM上半年仍會處于供過于求，但在原廠減產、減少資本支
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存儲模組 威剛 宇瞻 DRAM
據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業(yè)的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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存儲 3D DRAM
本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數(shù)據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產能移轉至前景相對強勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
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DRAM 市場
IT之家 2 月 10 日消息，據威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時掌握產業(yè)變化，預期內存產業(yè)供應鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費性需求回籠，以及各項產品單機內存搭載容量快速成長，內存產業(yè)需求有望從第三季起恢復成長動能。威剛董事長陳立白進一步指出，目前公司對內存景氣展望不變，預期本季內存價格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應商獲利不再且投片態(tài)度轉趨保守，DRAM 與 NAND
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威剛 DRAM
2023 年 2 月 7 日消息，據 DT 報道稱主要存儲廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預期保持謹慎，甚至預測到 2023 年第四季度才能回暖。價格方面，目前 DRAM 內存芯片價格預計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價格預計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價可以選擇入手！
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DRAM 市場
IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報告指出，全球經濟持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務供應商下修 2023 年服務器采購量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預計，四家廠商服務器采購量由原先預估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務器整機出貨年增率下降到 1.87%，進一步加劇 Server DRAM 供
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DRAM 市場
IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經濟日報》表示，盡管明年全球經濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠增加芯片產能。據稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導體的晶圓產能提高約 10%。業(yè)內消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設備，12 英寸晶圓月產能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產線的每月 2 萬片產能。三星電子計劃利用新的設備生產 12 納米級 DRAM。截至今
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三星 晶圓代工 DRAM
三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5
DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據中心和AI驅動系統(tǒng)等領域更可持續(xù)運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數(shù)據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
12月5日，DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結合并營收為新臺幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計合并營收為新臺幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer
DRAM產品比重高，第三季營收衰退達40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉進1Anm的進度仍舊持續(xù)，預期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導入意愿可能并不積極，預計
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DRAM 南亞科
很顯然內存市場的需求依然很淡，不少消費者依然沒有出手，當然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調研機構TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢，主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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內存 DRAM，三星 SK海力士
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據保持很短的時間。為了保持數(shù)據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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