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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

  • 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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國際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國存儲方隊(duì)逆勢擴(kuò)張

  • 　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲器布局上。當(dāng)前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲方隊(duì)既要面對技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對當(dāng)前國際半導(dǎo)體市場勢弱，存儲大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢擴(kuò)張。　　國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴(kuò)張?！　?jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半
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美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
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紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。
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DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
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MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。　　其
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集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M(jìn)
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！　?bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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手機(jī)存儲芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房價(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
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DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀。　　在韓國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%。　　B2B(企業(yè)間交易)市場價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！　〈鎯π酒瑑r(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?！　∽鳛?/li>
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集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

  • 　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。　　DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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