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DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
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紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機與中轉(zhuǎn)

  • 半導體無所不在，舉凡汽車、家電、手機到戰(zhàn)斗機，皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外，韓國經(jīng)濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內(nèi)存價格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
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MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M
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中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴密保護，其目的將難以達成?！　髮е赋觯?018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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手機存儲芯片價格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價格跑贏了房價”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  DRAM  

DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀?！　≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。　　B2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價 三星的半導體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報告指，今年以來DRAM內(nèi)存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保?！　〈鎯π酒瑑r格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段?！　∽鳛?/li>
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

  • 　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！　RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
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中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴。　　韓國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個原因?！　∈紫龋袊鴽]有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業(yè)的影響。
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全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
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DRAM技術(shù)再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

  • 　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！　〗邮懿稍L時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來?！　im Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合?！　≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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莫大康：影響2019中國半導體業(yè)增長的三個關(guān)鍵因素

  • 業(yè)界都謹慎地觀察2019年中國半導體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業(yè)的增長。
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2019年全球Flash支出達260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  Flash  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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