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面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略

  • 面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄，韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來(lái)針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來(lái)10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
  • 關(guān)鍵字： CHIPS法案  韓國(guó)半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(zhǎng)周期

  • IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢(xún)報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費(fèi)類(lèi)DRAM無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用需求？

  • 消費(fèi)類(lèi)DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類(lèi)DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類(lèi)DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類(lèi) DRAM 模塊沒(méi)有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會(huì)發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì)在用戶(hù)未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶(hù)可能會(huì)在一月份訂購(gòu)兩個(gè) DIMM 用于測(cè)試，在三月份再訂購(gòu)五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無(wú)法保證一月份訂購(gòu)的模塊與三月份訂購(gòu)的模塊包含相同的材料。即使是物料
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美光訂價(jià)能力升 營(yíng)運(yùn)露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤(pán)后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長(zhǎng)Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營(yíng)運(yùn)有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
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存儲(chǔ)廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來(lái)供需平衡？

  • 受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響，存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過(guò)，由于市場(chǎng)需求持續(xù)衰弱，2023年存儲(chǔ)市況仍未復(fù)蘇，價(jià)格不斷下跌，廠商業(yè)績(jī)承壓。這一背景下，部分存儲(chǔ)廠商期望通過(guò)繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺(tái)灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶(hù)需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)疲軟，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調(diào)降20％以?xún)?nèi)。此前，全球市場(chǎng)
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3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
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DRAM的變數(shù)

  • 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢(xún)研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，止跌是大家喜聞樂(lè)見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應(yīng)商庫(kù)存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺(tái)灣 《中央通訊社》 報(bào)道，臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)盧東暉表示，美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn)，其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，日本廠未來(lái)也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

  • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l  這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展

  • 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
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三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門(mén)業(yè)績(jī)低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換

  • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門(mén)和 DRAM 部門(mén)負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)副社長(zhǎng)鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開(kāi)發(fā)的部門(mén)負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)副社長(zhǎng)的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對(duì) HB
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？

  • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(zhǎng)率可能低于長(zhǎng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來(lái)各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車(chē)、智能家庭、智能穿戴
  • 關(guān)鍵字： DRAM  TrendForce  

韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

  • 5月26日，韓國(guó)媒體The Elec引用知情人士消息稱(chēng)，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱(chēng)，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認(rèn)為，與SK海力士和美
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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