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第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長(zhǎng)約9.5%。 　　三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠 　　從市場(chǎng)面觀察，由于第二季 DRAM 合
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iSuppli：下半年DRAM芯片短缺 價(jià)格將上漲

  • 　　市場(chǎng)研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于個(gè)人電腦的主存儲(chǔ)芯片的短缺，將導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲。DRAM芯片廠商目前面臨兩個(gè)供應(yīng)問題：無力獲得所 需的生產(chǎn)設(shè)備和難以引入高新技術(shù)。DRAM芯片短缺將為全球電腦市場(chǎng)帶來危機(jī)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC最新數(shù)據(jù)顯示，二季度個(gè)人電腦出貨量同比增長(zhǎng) 22.4%，而與此同時(shí)，DRAM芯片廠商仍然在試圖從去年的經(jīng)濟(jì)低迷中復(fù)蘇。 　　去年眾多DRAM廠商沒有足夠的資金來購(gòu)買新設(shè)備，今年他們從設(shè)備廠商手中訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。 DRAM市場(chǎng)成功的關(guān)鍵在于盡可能快的生產(chǎn)出盡可能多、盡
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華邦：NOR Flash市場(chǎng)3Q漲價(jià)不易

  • 　　存儲(chǔ)器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%，稅后獲利較上季成長(zhǎng)率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示，華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷，第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營(yíng)收比重降至2%，未來華邦是全方面存儲(chǔ)器供應(yīng)商，第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產(chǎn)品線，其次是Mobile RAM，惟原本預(yù)計(jì)第4季才會(huì)供需平衡的NOR Flash市場(chǎng)，提前在第3季發(fā)生，因此預(yù)期第3季NOR Flash價(jià)格上漲不易，但華邦會(huì)推出新產(chǎn)品和持續(xù)耕耘一線大客戶，第3季整體成長(zhǎng)動(dòng)能仍是持續(xù)。 　　華邦第2季合并營(yíng)收新臺(tái)幣85.31億元，較上季成長(zhǎng)22%，
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DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

  • 　　近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 　　2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
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DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

  • 　　近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 　　2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
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DDR2季度出貨大幅縮水 三星芯片份額第一

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內(nèi)存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告。受到期貨價(jià)格穩(wěn)定和出貨量小幅增長(zhǎng)的利好影響，該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比下降了3%，但是2GB DDR3內(nèi)存的期貨價(jià)格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價(jià)格進(jìn)一步下滑的影響，DDR2內(nèi)存該季度的出貨量大幅度降低。 　　二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長(zhǎng)10%，但所用晶圓出貨量增長(zhǎng)率只有3.8%。集邦科技分析稱，芯片供應(yīng)商都將重點(diǎn)放在了制程工藝的升級(jí)，而非產(chǎn)能提升上面。 　　三
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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 　　正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
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EUV要加大投資強(qiáng)度

  • 　　未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì)上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì)議
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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 　　正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
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力晶半導(dǎo)體：DRAM芯片價(jià)格8月回漲

  • 　　內(nèi)存價(jià)格最近是一路下滑，特別是已經(jīng)失去主流地位的DDR2。不過力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黃崇仁近日就表示，DRAM芯片價(jià)格將在8月份反彈，價(jià)格回漲，十一月份和十二月份可能會(huì)受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。 　　黃崇仁稱，DRAM芯片近期的價(jià)格下滑是由于市場(chǎng)需求過低導(dǎo)致，并不是芯片供應(yīng)商之間的價(jià)格戰(zhàn)引起，而且他還認(rèn)為，PC OEM廠商為了降低生產(chǎn)成本，降低了一些產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量，從而影響了市場(chǎng)需求。 　　他還對(duì)未來2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度，不過認(rèn)為芯片容量的上升對(duì)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的促進(jìn)有限。 　　此外黃崇仁還表
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誰是下一個(gè)奇夢(mèng)達(dá)？

  • 　　近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對(duì)芯片業(yè)務(wù)支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計(jì)劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達(dá)到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預(yù)計(jì)這些支出中將有相當(dāng)一部分進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。 　　2007年以來，DRAM市場(chǎng)開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢(mèng)達(dá)轟然倒塌，令業(yè)界震驚扼腕。市場(chǎng)低迷的根本原因是產(chǎn)能過剩、供過于求。2006年市場(chǎng)獲得
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Immersion機(jī)臺(tái)缺貨　臺(tái)DRAM廠改采購(gòu)舊機(jī)種應(yīng)急

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí);存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)開始轉(zhuǎn)向采購(gòu)舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營(yíng)則認(rèn)為，舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機(jī)
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ASML整合微影方案獲意法采用

  • 　　受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程，對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 　　ASML指出，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來越高昂，生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(zhǎng)，良率更難提升，制程容許度(p
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第三季度DRAM價(jià)格或下滑

  • 　　據(jù)韓國(guó)ET NEWS報(bào)導(dǎo)，過去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國(guó)企業(yè)的凈利也將減少，但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。 　　據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì)有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價(jià)格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求，可能會(huì)有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應(yīng)不大。 　　摩根大通(JP Morgan Chase &
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爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

  • 　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。 　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。 　　官員透露，爾必達(dá)來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
  • 關(guān)鍵字： TIMC  NAND  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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