首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

三星稱PC低迷將導(dǎo)致DRAM生產(chǎn)過剩

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星周二表示，由于全球PC市場低迷，DRAM內(nèi)存芯片將于第四季度出現(xiàn)生產(chǎn)過剩的局面。 　　臺灣復(fù)華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經(jīng)理約翰·酋(John Chiu)稱：“眾所周知，當(dāng)前PC市場并不景氣。如果需求不能提升，那么庫存就會增加。” 　　約翰·酋還稱：“人們都把希望寄托于中國內(nèi)地的10月長假和新年假期，如果需求有所增長，那么庫存就會有所緩解。” 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  

DRAM銷售將于后年衰退近三成

  • 　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。 　　顧能表示，由于初期PC市場表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少，使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預(yù)期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變，2012年的銷售恐將衰退29%。 　　不過，快閃存儲器市場在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  閃存  

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

  • 　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺灣DRA
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM   Flash  

臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

  • 　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。 　　
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  Flash  

分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

  • 　　市場研究公司IC Insights日前預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 　　基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計(jì)劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額
  • 關(guān)鍵字： 三星芯片  DRAM  NAND  

份額再漲 三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM內(nèi)存市場

  • 　　雖然在美國液晶電視市場的領(lǐng)先優(yōu)勢遭到蠶食，但三星在DRAM顆粒高級制造工藝上的投資就得到了回報(bào)。根據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli發(fā)布的二季度DRAM市場統(tǒng)計(jì)報(bào)告，三星在保持DRAM市場老大位置的同時(shí)繼續(xù)擴(kuò)大了自家市場份額。全球DRAM市場二季度收入為108億美元，相比一季度的94億美元上漲14.4%;DRAM出貨量按位計(jì)算增長近5%，平均價(jià)格增長9%。 　　三星該季度DRAM收入38億美元，和上一季度的31億美元相比增長24.3%，為前五大DRAM供應(yīng)商中增速最快。三星該季度的DRAM市場份額為35.
  • 關(guān)鍵字： 液晶電視  DRAM  

來自美國硅谷的信息(下)

  • 　　不要忽略驗(yàn)證工具 　　Mentor Graphics副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產(chǎn)品，版圖的寄生參數(shù)提取工具Calibre xACT 3D，Joseph稱，以往此類工具在提取器件的寄生參數(shù)時(shí)都是二維的，即對器件的幾何坐標(biāo)進(jìn)行標(biāo)示和記錄從而確定寄生參數(shù)，而Calibre xACT 3D則是提取單個(gè)器件以及不同器件之間的三維空間信息，這樣所得到的寄生參數(shù)當(dāng)然更精確。 　　八仙過海，鏖戰(zhàn)消費(fèi)電子 　　電子產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇已經(jīng)成為不爭的事實(shí)，眾廠商怎么在這第二輪增長中挖到自己
  • 關(guān)鍵字： Mentor  USB接口  DRAM  存儲器  201008  

舉債擴(kuò)產(chǎn) 非臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

  • 　　過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù)，在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。 　　當(dāng)年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術(shù)的十字路口時(shí)，日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術(shù)，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

韓國三星電子公司發(fā)展模式的啟迪

  • 　　環(huán)視當(dāng)今世界電子企業(yè)巨頭，其中最被稱道的公司有兩家：一是美國的App1e公司，一是韓國的三星電子集團(tuán)。尤其是三星電子公司特別值得中國公司學(xué)習(xí)，也的確是最應(yīng)該學(xué)習(xí)的公司。據(jù)說，有中國公司如聯(lián)想、TCL等都曾以三星電子公司為榜樣，但愿未來在中國的土地上真能出現(xiàn)“中國的三星公司”，中國電子工業(yè)勢必將走上更快更好的發(fā)展道路。 　　發(fā)展簡史 　　三星電子集團(tuán)公司成立于1938年，當(dāng)初只是一家做做干魚、蔬菜、水果等出口貿(mào)易的小公司，但發(fā)展頗快，到上世紀(jì)50年代初，便成長為韓國的頭號貿(mào)易
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  TFT-LCD  201008  

Hynix擬在7-9月期間擬投5.69億美金擴(kuò)充升級廠房

  • 　　Yonhap News報(bào)導(dǎo)，全球第二大記憶體制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韓國證交所的文件中宣布，該公司將投資6,770億韓元(5.69億美元)擴(kuò)充、升級現(xiàn)有的生產(chǎn)線，同時(shí)并將投入研發(fā)工作。Hynix表示，這項(xiàng)投資目的在改善成本競爭力并增加產(chǎn)能，以幫助該公司提升對市場需求的反應(yīng)能力。Hynix并表示，這項(xiàng)投資計(jì)劃將在7-9月期間執(zhí)行。 　　iSuppli曾于8月9日發(fā)表研究報(bào)告指出，受到制造設(shè)備供應(yīng)量有限、制程轉(zhuǎn)換面臨挑戰(zhàn)的影響，2010年下半年DRAM供給量
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  

iSuppli：DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)

  • 　　iSuppli警告稱，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類芯片價(jià)格上漲。 　　iSuppli指出，當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類供應(yīng)問題：無法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備，部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。 　　DRAM芯片供應(yīng)緊張對全球計(jì)算機(jī)市場而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷量急劇增長——第二季度同比增長22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。 　　去年，許多DRAM芯片廠商沒有資金采購生產(chǎn)設(shè)備，今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
  • 關(guān)鍵字： PC  DRAM  

友達(dá)與奇美電稱訴狀未收到 無法評論

  • 　　據(jù)臺灣媒體報(bào)道，被美國紐約州、伊利諾州和佛羅里達(dá)州檢察長，相繼提告操控價(jià)格的友達(dá)、奇美電，昨日表示，迄今未收到告訴狀，無法評論。奇美電說，待收到訴狀將進(jìn)行研究，但對進(jìn)入法律程序案件，循例不對外說明。 　　眾達(dá)國際法律事務(wù)所資深顧問陳泰明11日表示，為今之計(jì)，被控公司首先要做好應(yīng)訴準(zhǔn)備;再針對訴狀之主張與專業(yè)律師展開深入剖析。 　　陳泰明指出，自從美國總統(tǒng)奧巴馬于就職演說中，宣示反壟斷的決心，美國積極展開打擊操控價(jià)格的企業(yè)行動。他說，上周末他就預(yù)言紐約州檢察長將是第一把火，果然本周就有伊利諾州和佛羅
  • 關(guān)鍵字： 友達(dá)  DRAM  

iSuppli：DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)

  • 　　iSuppli警告稱，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類芯片價(jià)格上漲。 　　iSuppli指出，當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類供應(yīng)問題：無法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備，部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。 　　DRAM芯片供應(yīng)緊張對全球計(jì)算機(jī)市場而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷量急劇增長——第二季度同比增長22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。 　　去年，許多DRAM芯片廠商沒有資金采購生產(chǎn)設(shè)備，今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
  • 關(guān)鍵字： 計(jì)算機(jī)  DRAM  

iSuppli警告：DRAM下半年供不應(yīng)求

  • 　　市場研究業(yè)者iSuppli警告，由于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限，DRAM市場下半年可能供不應(yīng)求。 　　分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期，今年DRAM芯片出貨量可望成長49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時(shí)供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負(fù)荷。 　　iSuppli指出，有兩個(gè)問題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量，甚至恐會造成供不應(yīng)求。首先，由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  
共1829條 80/122 |‹ « 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473