- 2010年DRAM貨源持續(xù)短缺，由于Windows 7換機潮驅動下，PC大廠DRAM采購規(guī)模持續(xù)擴大，排擠到存儲器模塊廠的貨源，為進一步確保與DRAM廠間的合作關系，且彼此拉進距離，日前創(chuàng)見董事會同意貸款給力晶新臺幣15億元，同時以瑞晶股票作擔保品，并依債權的100%設定質權予創(chuàng)見。
過去DRAM價格崩盤之時，也常出現存儲器模塊廠金援上游廠的例子，彼此互相協助來共度難關，以往模塊廠常以預付貨款的方式，協助DRAM廠買原物料生產，再以?？顚Ｓ梅绞絹泶_保產能回銷給模塊廠。
創(chuàng)見指出，這次貸款給
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力晶 存儲器 DRAM
- 盡管爾必達(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權爭議還未達成協議，但在DRAM產能分配上已先獲得共識，力晶已超過1年未向瑞晶拿貨，近期與爾必達協商成功，4月起重獲瑞晶產能分配權，未來每月將多出2.4萬片產能挹注，爾必達則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配貨權，多數要再回銷給爾必達來供應PC客戶，未來該陣營釋放至現貨市場DRAM貨源，恐將進一步短缺。
爾必達與力晶分別對瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圓廠產能8萬片，2大股東可按照持股比例，獲得同等的瑞晶產能分配，
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Elpida DRAM
- 據臺灣《經濟日報》周四援引力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., )董事長黃崇仁(Frank Huang)的話稱，由于供應吃緊，DRAM芯片價格將繼續(xù)持穩(wěn)，至少在2010年年內是如此。
報導援引黃崇仁的話稱，力晶半導體第一季度凈利潤將較前一季度有所增長，2009年第四季度公司實現凈利潤新臺幣16億元左右。
以收入計，力晶半導體是臺灣最大的DRAM芯片生產商。
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力晶 DRAM
- 日本存儲器大廠爾必達(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉換公司債，籌資187億日圓(約1.98億美元)，以作為2010年度中擴充廣島廠半導體尖端設備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達4.79%的持股，成為爾必達的第6大股東。
此次，爾必達向金士頓發(fā)行的新股為647萬股，每股發(fā)行價格為1,805日圓，總額約117億日圓;另發(fā)行可轉換公司債約70億日圓。
金士頓為爾必達的主要客戶之1，金士頓希望透過注資爾必達，穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達則為將廣島廠產線由
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Elpida 存儲器 DRAM
- 據國外媒體報道，美國舊金山聯邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。
該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。
但根據和解協議，上述三家公司均未承認不當行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。
DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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東芝 DRAM
- 據國外媒體報道，美國舊金山聯邦法院的文件顯示，日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。
該案原告為DRAM芯片的直接采購方，他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據原告方律師周四提交的文件，日立將支付1150萬美元，東芝將支付920萬美元，三菱則支付710萬美元。
但根據和解協議，上述三家公司均未承認不當行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。
DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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東芝 DRAM
- 受全球存儲芯片供應短缺利好影響，三星電子存儲芯片業(yè)務增長明顯，預計其2010年上半年營業(yè)利潤有望超過4萬億韓元，約合35億美元。
三星公司消息人士稱，三星電子自身預估2010年全年的芯片業(yè)務營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元，但韓國媒體報道稱，三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。
據悉，三星電子是目前全球最大的存儲芯片生產商，其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%，而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
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三星電子 存儲芯片 DRAM
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當地時間
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三星電子 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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三星電子 DRAM NAND
- 隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。
如果細分近期有意向至大陸設廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴大產能需要，在大陸投資設廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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LED DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。
三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。
存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
- 根據DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產業(yè)供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產業(yè)有機會連續(xù)獲利。
DRAMeXchange指出，DRAM產業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉
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智能手機 DRAM 40nm
- 近期內存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應該一味擴大產能惡性競爭而重新導致DRAM內存暴跌。
韓國三星半導體業(yè)務總裁權五鉉日前表示，DRAM制造商不應該盲目擴大產能，而應當把大規(guī)模投資放在提升技術水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產能的問題上應當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。
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三星 DRAM
- 據外電報道，美國國際貿易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產品、記憶模塊展開調查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權指控。
英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產品。
被調查的企業(yè)名單
USITC表示，將依據1930年美國關稅法第337條，對下列廠商展開調查，包括日商爾必
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英飛凌 DRAM
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅動IC、功率放大器(PA)等產品線均出現供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價5%至10%,但電子終端產品價格并未跟進調漲，顯示今年電子生產鏈上肥下瘦已成定局。
根據通路業(yè)者指出，今年中國農歷年期間因終端市場需求強勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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電源管理 NOR閃存 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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