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美光爭取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺塑拒絕成瑞晶翻版

  • 　　華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺塑集團攤牌，希望能增加認購比例，爭取華亞科更多股權(quán)，惟臺塑集團回決此提議，認為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示，在瑞晶股權(quán)落入爾必達(Elpida)手中后，華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過，針對美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評。 　　2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
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2010年全球DRAM市場展望

  • 　　全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴廠競賽”以來，DRAM市場嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預(yù)期下，DRAM價格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 　　所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出，停止原先擴廠計劃，單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例，2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計劃遭到凍結(jié)或延后，茂德更為確?，F(xiàn)金，暫時退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列，轉(zhuǎn)而投入晶圓
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臺12寸DRAM廠廢墟變黃金　美日都覬覦

  • 　　臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個產(chǎn)業(yè)面臨垮臺的命運，根本原因就是過去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場的資金，因此盲目蓋了太多的12吋廠，隨著微軟(Microsoft)的Vista換機潮成夢一場，DRAM供需失衡的問題浮出，全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草，DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢。 　　熬過2009年，第1個出局的，反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺灣DRAM廠，而是奇夢達(Qimo
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2010年內(nèi)存市場預(yù)測:價格走高 產(chǎn)能不足

  • 　　隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到，步入2010年，多數(shù)型號內(nèi)存價格已有小幅上漲，或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內(nèi)存價格一路上揚，其主要原因在于金融危機對中國市場的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒有迅速提高，導(dǎo)致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 　　據(jù)商家預(yù)計，2010年內(nèi)存價格仍會緩慢上漲，寒假銷售情況被普遍看好。 　　據(jù)國外專業(yè)分析機構(gòu)DRAMeXchange報道，受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
  • 關(guān)鍵字： 奇夢達  DRAM  DDR3  內(nèi)存  

韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格

  • 　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 　　韓國快閃記
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華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元，2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進50奈米制程世代，且同時增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。
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韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格

  • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 　　韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 　　存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
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華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元，2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進50奈米制程世代，且同時增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 　　經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮，全球DRAM廠從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起，也使得各廠都沒有多余的資金可以擴產(chǎn)和進行制程微縮，配合終端需求有Windo
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記取DRAM再造失敗教訓(xùn)　臺“經(jīng)濟部”擬推動“產(chǎn)業(yè)再造法”

  • 　　臺“經(jīng)濟部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望，“經(jīng)濟部”長施顏祥29日首度松口表示，若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會遇到再造的需求，“經(jīng)濟部”也可能要仿效日本，制定「產(chǎn)業(yè)再造法」，作為政府解決產(chǎn)業(yè)危機的主要依據(jù)。 　　“經(jīng)濟部”長施顏祥29日舉行“經(jīng)濟部”年終記者會，對于TIMC停擺，政府的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方
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DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨 廠商受益

  • 　　由于消費者需求增長，以及企業(yè)進入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 　　2009年，DRAM芯片價格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢，因為受經(jīng)濟低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。 　　調(diào)研公司DRAMeXchange認為：“受PC銷量增長推動，DRAM芯片明年下半年將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨。對于DRAM廠商而言，2010年全年盈利的機會較大。” 　　DRAMeXchange預(yù)計，2010年P(guān)C出貨量將增長13%。其中，筆記本將增長22.5
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2010年DRAM資本支出將猛增80%

  • 　　據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，2010年DRAM制造商的資本支出將同比增長80至78.5億美元。2009年DRAM制造商的支出額為43億美元。 　　然而，該支出水平仍然低于過去十年的平均支出，比2006年和2007年的高峰值也低許多。 　　預(yù)計2011年和2012年將增至100億到120億美元。DRAMeXchange認為，資本支出的低水平和個人電腦的需求擴張放緩將限制DRAM供應(yīng)，DRAM廠商可以在供應(yīng)較緊的市場下獲利。
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臺灣當(dāng)局續(xù)推DRAM再造 研擬產(chǎn)業(yè)再生立法

  • 　　臺灣“經(jīng)濟部長”施顏祥29日表示，若“立法院”三讀通過否決“國發(fā)基金”投資DRAM再造，“經(jīng)濟部”已研擬三個替代方案，包括由民間資金投資、橫向整合、參考日本產(chǎn)業(yè)再生法，建立法制基礎(chǔ)，繼續(xù)推動DRAM產(chǎn)業(yè)的再造。 　　“立法院經(jīng)濟委員會”決議“國發(fā)基金”不得DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案的企業(yè)，但“經(jīng)濟部長”施顏祥重申，臺灣DRAM的結(jié)構(gòu)性問題一
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海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科

  • 　　國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來，最大規(guī)模的一次行動。 　　目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達、三星半導(dǎo)體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進宣布調(diào)高資本支出。 　　根據(jù)外電指出，海
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機構(gòu)預(yù)計2010年下半年內(nèi)存芯片緊缺

  • 　　業(yè)界分析機構(gòu)DRAMeXchange表示，受消費者需求和企業(yè)更新PC拉動影響，預(yù)計明年下半年計算機芯片將出現(xiàn)緊缺。 　　芯片廠商受經(jīng)濟低迷打擊削減產(chǎn)量和資本支出，導(dǎo)致DRAM芯片緊缺，其價格在今年一直上漲，DRAM價格在過去兩個月中已企穩(wěn)。 　　DRAMeXchange周四預(yù)計明年P(guān)C發(fā)貨量將增長13%,筆記本發(fā)貨量將增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本發(fā)貨量將增長22%至3500萬臺。 　　DRAMeXchange稱：“在PC熱銷的拉動下，DRAM芯片將在2010年下半年面臨嚴(yán)重的緊
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基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

  • 1、引言
    當(dāng)代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進行研究。
    本文第二部分介紹當(dāng)代D
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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