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三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專(zhuān)利授權(quán)費(fèi)以達(dá)成和解

  • 　　韓國(guó)三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專(zhuān)利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達(dá)9億美金的專(zhuān)利授 權(quán)費(fèi)用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬(wàn)美元的方式逐步將剩下的金額以專(zhuān)利授權(quán)費(fèi)的形式支付給對(duì)方，其中包括一筆用于購(gòu)買(mǎi)三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專(zhuān)利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 　　據(jù)Rambus公司高級(jí)副總裁Sharon Holt
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廠(chǎng)商采取搭售策略 挽回DDR2銷(xiāo)售頹勢(shì)

  • 　　全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠(chǎng)開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠(chǎng)和模塊廠(chǎng)不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠(chǎng)，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴(yán)重背道而馳。 　　近期DRAM市場(chǎng)已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫(kù)存卻是愈堆愈多，存儲(chǔ)
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DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  存儲(chǔ)器  

海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤(rùn)創(chuàng)下4年來(lái)新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠(chǎng)商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤(rùn)有助于海力士吸引其他收購(gòu)方。去年11月，曉星公司撤消了收購(gòu)海力士的收購(gòu)要約。分析師稱(chēng)，由于PC需求增長(zhǎng)，今年
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臺(tái)灣DRAM廠(chǎng)商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

  • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠(chǎng)商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 　　另一家DRAM大廠(chǎng)
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

  • 　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱(chēng)它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 　　縱觀(guān)DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠(chǎng)退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴(yán)重，各廠(chǎng)只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠(chǎng)大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠(chǎng)又開(kāi)始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠(chǎng)冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。 　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
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DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠(chǎng)搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

  • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠(chǎng)紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。 　　臺(tái) DRAM廠(chǎng)表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

  • 　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠(chǎng)，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠(chǎng)借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買(mǎi)家

  • 　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東，將對(duì)出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度，這部分股票市值最高達(dá)35億美元。這些股東計(jì)劃在今年上半年挑選出一買(mǎi)家。 　　這些股東包括韓國(guó)外換銀行和國(guó)有的韓國(guó)金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán)，將在1月29日前收到初步購(gòu)買(mǎi)要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商。 　　韓國(guó)金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱(chēng)，“談到股票規(guī)模,可能僅會(huì)出售15%，不過(guò)這取決于股東委員會(huì)的決議。”該公司是去年末從韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀
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硅晶圓需求旺　1Q報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%

  • 　　晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊，加上8寸晶圓廠(chǎng)營(yíng)運(yùn)也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠(chǎng)交貨不及，產(chǎn)能無(wú)法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能，第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 　　繼大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后，晶圓代工廠(chǎng)用硅晶圓也確定漲價(jià)，目前2010年第1季漲價(jià)幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠(chǎng)包括臺(tái)積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿(mǎn)載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠(chǎng)Shin-Etsu與代理商崇越、Su
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DDR3將成為2010年主流 廠(chǎng)商以先進(jìn)制程跟進(jìn)

  • 　　DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠(chǎng)商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長(zhǎng)。 　　南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長(zhǎng)逾45%。南科預(yù)計(jì)，在第二季度時(shí)，旗下月產(chǎn)能3萬(wàn)片的12英寸廠(chǎng)將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 　　看好DDR3將成為2010年主流，南科計(jì)劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
  • 關(guān)鍵字： Elpida  50納米  DRAM  晶圓  

重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

  • 　　編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類(lèi)，即樂(lè)觀(guān)、中等和悲觀(guān)。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀(guān)察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
  • 關(guān)鍵字： IC  NAND  DRAM  

爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

  • 　　一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開(kāi)春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠(chǎng)順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預(yù)期，確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺(tái)幣120億元，就可將旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營(yíng)對(duì)戰(zhàn)煙硝味濃厚。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺(tái)動(dòng)輒逾新臺(tái)幣
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格

  • 　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 　　韓國(guó)快閃記
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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