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Intel宣布一項技術突破 內存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內存技術開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產(chǎn)生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  

福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結束

  • 　　據(jù)國外媒體報道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預期顯示，本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或將結束。 　　三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預期，分析師對其預期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 　　投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標股價由84萬韓元調高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  內存芯片  

宣明智：DRAM年年都要過冬　該做的就做

  • 　　盡管上周南亞科及華亞科法說會時，公司對于DRAM市場多抱持樂觀看法，不過臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺灣寬頻通訊展時卻表達保守看法，認為DRAM年年都要過冬，對DRAM景氣沒有那么樂觀，針對DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時機已過，他則表示，該做的就做。 　　對于近期DRAM價格回穩(wěn)，宣明智認為價錢回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目競爭情況下，DRAM價格殺到低于變動成本，目前DRAM市場價位回升，也頗為合理，宣明智表示，希望能大家都夠抓住機會，掌握未來競爭條件，這樣才能讓整
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  華亞科  TIMC  

TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金

  • 　　力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內存(TIMC)的技術來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時拿出TFC計劃，就算不能獲得政府補助，也達到破壞TIMC的目的，臺灣內存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  內存  

今年第二三季度DRAM內存芯片業(yè)強勁復蘇

  • 　　市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 　　據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內存芯片走出低迷的又一個跡象。 　　iSuppli表示，過去兩個季度終結了DRAM內存芯片銷
  • 關鍵字： 內存芯片  DRAM  

海力士半導體預期第四季DRAM價格上揚 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導體預估，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強勁，并指出合約價格可能在11月進一步揚升，12月時趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

iSuppli：DRAM業(yè)復蘇 2010年可望延續(xù)

  • 　　研究機構iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機構遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復蘇。 　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)iSuppli初步預測，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長34%;全球DRAM平均售價上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 　　iSuppli表示，就全年銷售額來看，全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 　　2007年全球DRA
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

內存市場價量普漲，存儲廠商轉虧為盈

  • 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
  • 關鍵字： NAND  DRAM  內存  存儲  

北卡羅萊納州立大學開發(fā)出1TB小型內存技術

  • 　　北卡羅萊納州立大學的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 　　學校的材料科學與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠實現(xiàn)對過程的控制。 　　Jagdish Narayan認為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
  • 關鍵字： 內存芯片  DRAM  

南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺幣

  • 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標2010年第2季全數(shù)轉至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉，對于先
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  50納米  DDR3  68納米  

南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達到史上最高紀錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  DDR3  

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  存儲器  NAND   

臺DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯良機？ 要求“經(jīng)濟部”退場聲浪大

  • 　　10月20日是臺“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟委員會關切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求，在政府國發(fā)基金還未投資之前，“經(jīng)濟部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應趕快煞車，或「下車」、「了斷」。 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽董事長宣明智主導的臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，以整合爾必達(Elpida)、茂德的營運計畫書送至“經(jīng)濟部”，外傳整合華邦電失利的南
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  

明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應求？ 需求增加然擴產(chǎn)無門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個月前說出，肯定會笑掉人家大牙，不過面對2009年第4季臺系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設備供應商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復，而臺積電又包下不少新增機臺訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺
  • 關鍵字： 臺積電  晶圓代工  DRAM  IC設計  

華邦電退出　臺塑集團DRAM整合計劃書難產(chǎn)

  • 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉彎，從原本堅持一定要送件，以爭取與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)同等待遇的補助款，19日改口考慮不一定會送件;業(yè)者透露，原本臺塑在計劃書中提議要整合的對象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺塑內部相當頭痛，于是提出腹案，考慮不提計劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請計劃，外界相當期待臺塑集團加入申請補助行列，隨著最后申請截
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  晶圓  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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