首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

Uni-chem收購Hynix美國DRAM廠 轉(zhuǎn)產(chǎn)太陽能電池

  • 　　南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時表示，該公司將斥資5,000萬美元買下南韓內(nèi)存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國奧勒岡州猶吉尼市已停止運作的DRAM廠。根據(jù)報導(dǎo)，Uni-chem計劃利用該座廠房生產(chǎn)太陽能電池，以便開拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應(yīng)皮革給現(xiàn)代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。 　　根據(jù)報導(dǎo)，Uni-chem甫于2009年8月收購太陽能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  晶圓  

英特爾：為產(chǎn)業(yè)融合而重組

  • 　　英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對其組織架構(gòu)大刀闊斧地進行了重組。 　　坊間著實對此熱議了一陣。從這些文章的標題看，有就事論事說主要產(chǎn)品部門整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的，也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時間專注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說是因為中國讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準備》。 　　西方現(xiàn)代管理制度強調(diào)的是因事用人，而因人設(shè)事最為忌諱。事實上，英特爾自創(chuàng)始以來，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  CPU  存儲器  DRAM  

三星DRAM芯片停止對臺供貨

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應(yīng)臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。 　　存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  NAND  

TMC爭取政府注資 低于百億新臺幣

  • 　　臺灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經(jīng)濟部”，與新任“經(jīng)濟部”長施顏祥見面，爭取TMC營運資金。據(jù)了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺幣，下同)，由于金額遠低于官方與業(yè)界原預(yù)期，一般認為TMC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營運。 　　DRAM現(xiàn)貨價直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉(zhuǎn)盈之際，TMC仍然積極運作。施顏祥先前擔(dān)任經(jīng)濟部常務(wù)次長時，便負責(zé)協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動密切。這是施顏祥就任“
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

制程差距擴大 臺灣DRAM廠隱憂

  • 　　臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計劃，預(yù)計籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預(yù)期早，國內(nèi)DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 　　由于DDR2過渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價才有機會達到2美元，但根據(jù)集邦科技報
  • 關(guān)鍵字： 南科  50納米  40納米  DRAM  

南亞科擬再募資上百億元

  • 　　DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計畫，預(yù)計辦理8億股的現(xiàn)金增資，籌措資金新臺幣百億元，用途在于買3廠的機器設(shè)備和償還到期公司債，目前南亞科積極轉(zhuǎn)換制程到美光(Micron)68奈米制程，約有20~25%產(chǎn)能比重已轉(zhuǎn)換過去，10月目標是80%產(chǎn)能都轉(zhuǎn)到68奈米，為未來主力制程50 奈米做暖身，南亞科將挾持臺塑集團的銀彈和美光的技術(shù)，成為臺系DRAM廠聚焦之處。 　　南亞科在6月發(fā)行10億股的私募，當時由臺塑集團相關(guān)企業(yè)出面認購，募得資金約新臺幣122.2億元資金，南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現(xiàn)金增
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  晶圓  

三星對半導(dǎo)體銷售前景仍謹慎 拒談收購Hynix

  • 　　全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態(tài)度。 　　三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當初預(yù)期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時，將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點。” 　　感恩節(jié)假期在美國落在11月，加拿大則為10月。 　　權(quán)五鉉另表示，目
  • 關(guān)鍵字： Samsung  內(nèi)存芯片  DRAM  

年內(nèi)必有存儲廠商倒閉 Spansion進行戰(zhàn)略調(diào)整

  • 　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調(diào)整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
  • 關(guān)鍵字： Spansion  DRAM  NOR  

IC資本支出依然謹慎 供應(yīng)收緊價格上漲

  • 　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 　　IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。 　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團有購買意向

  • 　　據(jù)外電報道，曉星集團表示了收購海力士半導(dǎo)體的意向。 　　海力士股份管理協(xié)商會主管機構(gòu)的外換銀行表示，在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天，只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解，這家企業(yè)是曉星集團。 　　外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括：公平交易委員會指定的企業(yè)集團當中，去年資產(chǎn)總額達到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團中，資產(chǎn)總額達2萬億韓元以上的14家企業(yè)。 　　當初估計，國內(nèi)至少會有4、5家企業(yè)會對收購海力士有興
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  存儲芯片  

三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場需求壓力

  • 　　據(jù)報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 　　Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預(yù)計，導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 　　Oh-Hyun Kwon認為，提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠，技術(shù)升級將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
  • 關(guān)鍵字： 三星  40nm  DRAM  DDR3  

Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”

  • 　　Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進行了分塊處理，位于各個分塊內(nèi)部的芯片共享一個命令/地址端口，不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨立的傳輸通道進行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： Rambus  DRAM  DDR3  

三星芯片部總裁：全球芯片需求形勢好于預(yù)期

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子芯片部門總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預(yù)期，因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場需求。 　　權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經(jīng)濟刺激政策。 　　在臺北的新聞發(fā)布會上，權(quán)五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關(guān)于手機行業(yè)的論壇。 　　他表示，三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量，預(yù)計將有助于結(jié)束市場供給短缺的現(xiàn)象。 　　權(quán)五鉉表示，此前由于制造商產(chǎn)能過度擴張，DRAM(動態(tài)隨機存取
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  DDR3  液晶面板  記憶體芯片  

4大DRAM廠現(xiàn)金正流入　華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

  • 　　DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看，已進入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標是轉(zhuǎn)虧為盈。 　　4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  DDR2  

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  • 　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。 　　IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。 　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。 　　IBM希望將3
  • 關(guān)鍵字： IBM  32nm  DRAM  動態(tài)存儲器  
共1829條 98/122 |‹ « 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 » ›|

dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473