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用于功率開(kāi)關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計(jì)

  •   功率開(kāi)關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開(kāi)關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電路的性能,可在功率開(kāi)關(guān)上部署緩沖器,抑制電壓尖峰,并減幅開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計(jì)緩沖器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各種不同類(lèi)型的緩沖器中,電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開(kāi)關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實(shí)用小技巧,助您實(shí)現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計(jì)。        圖1: 四種基本的功率開(kāi)關(guān)電路   有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

  •   簡(jiǎn)介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去!   1、CS單管放大電路   共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí),根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn),而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  •   摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。   關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI  金升陽(yáng)R3   一、引言   MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來(lái)革命性變化

  •   關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級(jí)反饋檢測(cè)控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率,同時(shí)提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng),并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù),可設(shè)計(jì)出無(wú)需光耦的高效率、高精度和
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

  •   意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線,可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,最大限度提升電源功率密度。   STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)性能,還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure),實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量,并取得
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全新英飛凌功率MOSFET系列使電動(dòng)工具更緊湊耐用

  •   DIY工具,比如無(wú)線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此,其所用的電子元件必須緊湊、堅(jiān)固。英飛凌科技股份公司擴(kuò)展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列,推出同時(shí)滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機(jī)驅(qū)動(dòng),節(jié)省空間和降低成本。此外,StrongIRFET™十分堅(jiān)固耐用,幫助延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。   經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動(dòng)工具的能效。這次邏輯電
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e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費(fèi)電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

  •   e絡(luò)盟日前宣布新增多款來(lái)自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無(wú)源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品,其中包括電容、電阻及MOSFET,適用于醫(yī)療、消費(fèi)電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計(jì)算及汽車(chē)電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。   e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷(xiāo)售總監(jiān)朱偉弟表示:“e絡(luò)盟擁有來(lái)自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列,可充分滿足廣大用戶對(duì)最新技術(shù)的需求,幫助他們進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過(guò)e絡(luò)盟升級(jí)版網(wǎng)站,更加快捷地查看
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Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

  •   全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品,采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品,在尺寸縮減了一半的同時(shí),提供了更高功率密度和更佳效率,且通過(guò)在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。   Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說(shuō):“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
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專(zhuān)利設(shè)計(jì)發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

  •   SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導(dǎo)通電阻,大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。   羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長(zhǎng)伊野和英(左2)表示,新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專(zhuān)利,目前已開(kāi)始量產(chǎn)。   羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)支援部課長(zhǎng)蘇建榮表示,相對(duì)于Si-IGBT,SiC
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高頻開(kāi)關(guān)電源原理

  •   導(dǎo)讀:本文主要介紹的是高頻開(kāi)關(guān)電源的原理,感興趣的盆友們快來(lái)學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢(shì)的哦~~~ 1.高頻開(kāi)關(guān)電源原理--簡(jiǎn)介   高頻開(kāi)關(guān)電源,其英文名稱(chēng)為Switching Mode Power Supply,又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器以及開(kāi)關(guān)型整流器SMR,它是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作,開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。 2.高頻開(kāi)關(guān)電源原
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一款專(zhuān)為SiC Mosfet設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源

  •   SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開(kāi)關(guān)的特質(zhì),極大地提升了太陽(yáng)能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率,拉長(zhǎng)新能源汽車(chē)的可跑里程,應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上,為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來(lái)高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢(shì)。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計(jì),SiC Mosfet現(xiàn)有市場(chǎng)容量為9000萬(wàn)美元,估計(jì)在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(zhǎng)39%。由此可預(yù)見(jiàn),SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵!   SiC Mosfet對(duì)比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢(shì):   i. 低導(dǎo)通電阻RDS
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世界首家!ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

  •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。   另外,此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品,目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產(chǎn)基地為
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Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器,為專(zhuān)用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。   降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來(lái)提升設(shè)計(jì)靈活性,
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大具有寬間距、以小尺寸實(shí)現(xiàn)大電流承載能力的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列

  •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出3個(gè)采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球,進(jìn)一步擴(kuò)大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔,使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實(shí)現(xiàn)大電流承載能力。   與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比,這些全新晶體管的尺寸小很多及其開(kāi)關(guān)性能高出很多倍,是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器及D
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鋰離子電池組監(jiān)控系統(tǒng)研究與實(shí)現(xiàn) — 鋰電池組管理系統(tǒng)測(cè)試及結(jié)論

  •   本系統(tǒng)的電路板已經(jīng)設(shè)計(jì)成功并投入實(shí)際測(cè)試,系統(tǒng)電路板如圖7.1所示。        對(duì)鋰電池組管理系統(tǒng)的測(cè)試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測(cè)、過(guò)充和過(guò)放電保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、溫度保護(hù)功能等內(nèi)容。   7.1電壓采集功能測(cè)試   測(cè)試電壓采集功能時(shí),首先按圖7.2所示方法連接系統(tǒng)。        將鋰電池組、保護(hù)器和上位機(jī)連接好后,用4位半高精度萬(wàn)用表對(duì)所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產(chǎn)生)進(jìn)行測(cè)量,并觀察上位機(jī)應(yīng)用程序顯示的數(shù)據(jù),進(jìn)行比較和記錄。
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elitesic mosfet介紹

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