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具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關(guān)鍵字: 降壓型穩(wěn)壓器 負載保護 MOSFET LTM4641 μModule
IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用,包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳,管腳的端口通過電鍍進行焊接,從而
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新日本無線變身綜合電子元器件供應商
- ]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚,這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息,同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 記得去年七月份村田隆明來到本刊時,詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略,而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 電子元器件業(yè)務已占贏收85% 縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程,可以看到其業(yè)務構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
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IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用,包括大功率直流電機,直流/交流逆變器,以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能,從而實現(xiàn)較低的導通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備
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EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
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Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?! 峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年,面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票,以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
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美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應用,包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件,據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計,從201
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開關(guān)電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析
- 開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前,開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備,是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。 根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù),2008年全國開關(guān)電源(主要包含消費類開關(guān)電源、工業(yè)類開關(guān)電源、通信電源、PC電源,下同)產(chǎn)值達到855億元,2009年達931億元,
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一款基于AN8026的變頻器電源設計方案
- 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大,電動機驅(qū)動是電能消耗大戶,約消耗全國65%發(fā)電量,近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用,其他家用電器例如變頻冰箱,變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn),因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應用,而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標,作為基礎(chǔ)硬件,變頻器電源的高效可靠運行至關(guān)重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結(jié)構(gòu),主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成,從圖中可知,變頻器電源
- 關(guān)鍵字: AN8026 MOSFET
用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法
- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機,當腳從剎車踏板移動
- 關(guān)鍵字: P-FET MOSFET
IR擴充StrongIRFET系列
- 國際整流器公司?(International?Rectifier,簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業(yè)應用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?! ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
- 關(guān)鍵字: IR StrongIRFET MOSFET
Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器
- Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標準認證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器,帶可調(diào)頻率,整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制,可
- 關(guān)鍵字: Allegro 雙轉(zhuǎn)換器 MOSFET
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