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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

基于DSP的雙電動機同步控制平臺設計

  • 　　引言 　　長期以來，電動機作為機械能和電能的轉換裝置，在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優(yōu)點，既具有交流電動機結構簡單、運行可靠、維護方便的特點，又具有直流電動機運行效率高、調速性能好的優(yōu)點。正是這些優(yōu)點使得無刷直流電動機在當今國民經(jīng)濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數(shù)字信號處理器)產(chǎn)生一定的邏輯控制PWM波形來驅動電動機，實現(xiàn)無刷直流電動機的平穩(wěn)運轉。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對產(chǎn)品性能的
  • 關鍵字： DSP  MOSFET  

高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件

  • 　　1 MIL-STD-1275D 的要求 　　MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。 　　在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
  • 關鍵字： 凌力爾特  MIL-STD-1275D  浪涌  MOSFET  紋波  

COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本

  • 　　目前世界每年所生產(chǎn)的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?，F(xiàn)在，總負載已經(jīng)輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動力轉向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結構……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
  • 關鍵字： COOLiRFET  MOSFET  DPAK  PQFN  硅片  

BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)

  • 　　接上篇 　　4 設計趨勢 　　目前BCM設計技術日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現(xiàn)。 　　4.1 集成度和靈活性 　　隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
  • 關鍵字： BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  SPI  

BCM硬件設計的平臺化和半導體化(中)

  • 　　接上篇 　　2.2 驅動類型 　　在BCM設計中涉及到許多負載，對應不同的負載會采用不同的驅動類型，主要包括開關驅動和LED驅動兩類。 　　2.2.1 開關驅動 　　驅動類型主要是從驅動負載的電路拓撲加以考慮，主要有高邊驅動、低邊驅動、半橋驅動和全橋驅動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。 　　這四種拓撲常采用開關器件來實現(xiàn)，開關器件種類很多，其中常見的有機械開關和半導體開關兩種，出于能效和壽命方面的優(yōu)勢，目前半導體開關是BCM設計中的主流選擇。半導體開關中有三極管、MOSFET和I
  • 關鍵字： BCM  ECU  LED  負載  MOSFET  MCU  

帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度

  • 　　1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設計者提高電源密度 　　由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機械解決方案(例如轉向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?，F(xiàn)在，總負載能夠輕松達到3 kW或更高，還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。 　　節(jié)油功能(例如電動助力轉向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結構)、更復雜的安全特性(例如電動駐車
  • 關鍵字： MOSFET  DPAK  SO-8  PQFN  PCB  

更強勁、更簡單：看電源模塊的未來趨勢

  • 　　有線、無線網(wǎng)絡以及云計算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢。網(wǎng)絡吞吐量的迅速攀升，需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。 　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。 　　Intersil公司高級應用經(jīng)理梁志翔介紹說，Intersil開發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
  • 關鍵字： Intersil  ISL8272M  MOSFET  201504  

8種噪聲測試技術的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

  • 　　噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。 　　附加相位噪聲測試技術及注意事項 　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。 　　用于4G-LTE
  • 關鍵字： 模塊電源  MOSFET  

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

  • 　　近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內部結構的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實現(xiàn)器件和電路的
  • 關鍵字： MOSFET  

CISSOID 公司推出 HADES v2

  • 　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。 　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
  • 關鍵字： CISSOID  MOSFET   

聯(lián)合收獲機凹板間隙調節(jié)系統(tǒng)研究

  • 　　摘要：聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質量的關鍵因素之一，本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結構，通過控制線性驅動器對凹板間隙進行自動調節(jié)的系統(tǒng)，實現(xiàn)了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調節(jié)，通過試驗研究結果表明：該系統(tǒng)調節(jié)方便實用，且調節(jié)精度在5%以內。 　　引言 　　谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
  • 關鍵字： 凹板間隙  CAN  PWM  MOSFET  BTS7960  201504  

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

  • 　　摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。 　　中國看世界，汽車電子是一個經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對其創(chuàng)新理念
  • 關鍵字： 大唐恩智浦  MOSFET  汽車電子  201504  

繼電器相關技術文獻及應用電路設計匯總

  • 　　繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節(jié)、安全保護、轉換電路等作用。 　　極限條件下的時間繼電器設計方案 　　時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
  • 關鍵字： PIC18F6585  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結溫為175° C

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結溫為175° C 適合超高功率密度應用

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成
  • 關鍵字： Fairchild   MOSFET  
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