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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常,作為設計過程的一個組成部分,你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范,并且需要選擇一些 FET。另外,如果你是一名 IC 設計人員,你還會有一定的預算,其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后,這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關 首先,F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關系。
- 關鍵字: MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第5部分—開關參數(shù)
- 最后,我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中,我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數(shù),并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。 另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思,我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語,不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
- 關鍵字: MOSFET 二極管
估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?! 岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間,熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果,該串聯(lián)組件具有巨大的損耗,并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線,以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
- 關鍵字: MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—連續(xù)電流額定值
- 今天我們來談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實的。好,也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的,而是被計算出來的,并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?! ±?,大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”,這個值同與周圍環(huán)境無關,并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞,而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
- 關鍵字: MOSFET
場效應管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗
- 本文總結(jié)了場效應管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗 一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極 根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一只表筆
- 關鍵字: 場效應管 MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然,其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可,而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說:開關時間)。在這個即將開始的博文系列中,我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說,是最常見的數(shù)據(jù),而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經(jīng)被
- 關鍵字: MOSFET UIS
一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器
- 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制,由于PWM波的驅(qū)動能力較差,設計驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經(jīng)濟適用、體積較小,輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合,輸入電壓在5V至20V之間,輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進行了深入分析,并通過實物制作驗證其可行性。
- 關鍵字: DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅(qū)動電路 201601
意法半導體(ST)推出新款功率MOSFET,實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
- 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證,采用意法半導體最先進、內(nèi)置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝,擊穿電壓范圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?! ?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET,而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
- 關鍵字: 意法半導體 MOSFET
如何通過配置負載點轉(zhuǎn)換器提供負電壓或隔離輸出電壓
- 在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中,集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器,提供負輸出電壓。此外,我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求?! PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
- 關鍵字: MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
意法半導體(ST)推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET,實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用
- 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。 新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率,同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素,電焊、工廠自
- 關鍵字: 意法半導體 MOSFET
更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應用
- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗,從而為電力電子工程師們提供了設計出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間,能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域,更高的直流母線電壓可以覆蓋
- 關鍵字: Wolfspeed MOSFET
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關,能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。 在局域網(wǎng)路由器及中跨設備等供電設備內(nèi),100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設備內(nèi)的電源降低成本,并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶,因為以太網(wǎng)
- 關鍵字: Diodes MOSFET
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