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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

  • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
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東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu),并實現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
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東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
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對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要:由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)

  • 引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展,用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
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飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

  •   電機控制系統(tǒng)設(shè)計人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下,提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此,飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案,為設(shè)計人員提供交流感應(yīng)電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案,適用于功率最高為 200 W 的電機,包括風(fēng)扇電機、洗碗機和各種小型工業(yè)電機。
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理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

  • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過

  •   雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長,但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務(wù),這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。   2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺,預(yù)計半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%,盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強勁。   在假日季節(jié)之前的這個時期,MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象,而目前尚未看到這些情況。同時,消費電子、汽
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為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計小貼士

  • 歡迎來到電源設(shè)計小貼士!隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理...
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飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

  • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程,將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi),代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
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安森美推出兩款新的MOSFET器件

  • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機及平板電腦應(yīng)用,作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。
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功率MOSFET基礎(chǔ)知識

  • 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信...
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用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  
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