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基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路

  • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
    關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

    功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  急聚點(diǎn)  損耗  

關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇

  • L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)電阻  

分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

  • 要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實(shí)現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
  • 關(guān)鍵字： 晶圓減薄  MOSFET  

Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對(duì)功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性，減輕對(duì)用戶使用經(jīng)驗(yàn)的要求。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  DrMOS  

HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

  • 摘要： 先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302  

IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IR  驅(qū)動(dòng)IC  AUIR3200S  MOSFET  

用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源

  • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會(huì)以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
  • 關(guān)鍵字： TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

  • MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管
  • 關(guān)鍵字： mosfet  場(chǎng)效應(yīng)管    

通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)

  • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個(gè)主要的組成部分：用于實(shí)施系統(tǒng)管理任務(wù)和控制算法的控制器，以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路?？刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細(xì)地分析每個(gè)組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
  • 關(guān)鍵字： PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器  

采用具有最新超級(jí)結(jié)MOSFET的高功率因數(shù)反激式轉(zhuǎn)換器的LED照明解決方案

  • 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行，成本結(jié)構(gòu)已成為關(guān)鍵因素。簡(jiǎn)單的反激式轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而，LED照明的開關(guān)電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，采用最新的功率器件至關(guān)重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級(jí)結(jié)MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： LED  MOSFET  DCM  

討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)

  • 超級(jí)結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導(dǎo)通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通...
  • 關(guān)鍵字： PFC  MOSFET  

功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專用MOSFET提高效率

  • 新的MOSFET將瞄準(zhǔn)多個(gè)市場(chǎng)，包括直流對(duì)直流（DC-DC）、離線交流對(duì)直流（AC-DC）、電機(jī)控制、不斷電系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率元器件  MOSFET  效率  

安森美半導(dǎo)體汽車音響及信息娛樂系統(tǒng)方案

  • 過去，汽車娛樂系統(tǒng)基本上指的就是音響系統(tǒng)。如今，越來越多消費(fèi)領(lǐng)域的功能正逐步應(yīng)用到汽車中，使得現(xiàn)代汽車信息娛樂系統(tǒng)已經(jīng)取代傳統(tǒng)的汽車娛樂系統(tǒng)。當(dāng)今的汽車搭載了先進(jìn)的信息娛樂系統(tǒng)，包括導(dǎo)航、音響、遠(yuǎn)程信息處理、緊急呼叫、USB、藍(lán)牙、SD卡、HDMI和視頻等。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  LED  娛樂系統(tǒng)  

Cypress PSoC 1在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的應(yīng)用

  • 利用PSoC 1系列芯片中的可編程模擬單元可實(shí)現(xiàn)對(duì)步進(jìn)電機(jī)的高細(xì)分?jǐn)?shù)和精確的正弦波形控制。圖1為利用PSoC 1實(shí)現(xiàn)以上步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案電路圖，只需一個(gè)芯片，就可實(shí)現(xiàn)可編程模擬電路，例如高速/低速比較器，DAC等功能模塊，以及可編程數(shù)字電路，并且利用芯片內(nèi)的模擬/數(shù)字總線非常方便靈活地進(jìn)行互聯(lián)。
  • 關(guān)鍵字： PSoC  DAC  MOSFET  
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