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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進行選擇或者進行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 　　ISL65426的獨特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達1A的模塊進行分配，以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
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ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3

  • ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實現(xiàn)智能的
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Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 　　最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 　　ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
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飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
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擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： LDO  IC  MOSFET  

Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動操作

  • 　　模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應(yīng)用設(shè)計的N 溝道增強模式 MOSFET。 　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅(qū)動。其超低柵極驅(qū)動意味著可
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飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器

  • 能夠驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成， 為設(shè)計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

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利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

  • 傳統(tǒng)上，開關(guān)電源（SMPS）是用一個基本的模擬控制環(huán)路來實現(xiàn)的，但數(shù)字信號控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
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智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

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  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  汽車  

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

  • 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實現(xiàn)能效目標  英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計算機、電信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標上達到業(yè)界領(lǐng)先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源技術(shù)  節(jié)能器件  模擬技術(shù)  英飛凌  

單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設(shè)計

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